公开(公告)号：CN105428195B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510578768.1

申请日：2015-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 长山将之 ,  三桥康至 ,  虻川志向 ,  永井正也 ,  金泽义典 ,  仁矢铁也

IPC: H01J37/32 ,  H01J9/00

CPC classification number: C23C4/134 ,  C23C4/005 ,  C23C4/01 ,  C23C4/02 ,  C23C4/06 ,  C23C4/105 ,  C23C4/11 ,  C23C4/127 ,  C23C4/131 ,  C23C28/042

Abstract: 本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上的层的基底的表面上喷镀氟化钇而形成。该部件的被膜内的气孔率为4％以下，该被膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)为4.5μm以下。

公开(公告)号：CN104821268B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410747792.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基

公开(公告)号：CN104821268A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410747792.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。

公开(公告)号：CN102569130B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110445614.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池英一郎 ,  长山将之 ,  宫井高广

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。

公开(公告)号：CN104120409A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410328055.5

申请日：2010-10-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴 ,  野中龙 ,  长山将之

IPC: C23C16/46 ,  G05D23/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。

公开(公告)号：CN101165855B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200710181968.9

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山秀树 ,  冈山信幸 ,  长山将之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757

Abstract: 一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。

公开(公告)号：CN102965610A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110462982.2

申请日：2007-10-31

Applicant: 福吉米株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊部博之 ,  青木功 ,  北村顺也 ,  水野宏昭 ,  小林义之 ,  长山将之

IPC: C23C4/10 ,  C23C4/12 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  Y10T428/2982

Abstract: 热喷涂粉末包含原子序从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。

公开(公告)号：CN102420089A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110296183.2

申请日：2011-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤直行 ,  长山将之 ,  长久保启一

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻用的电极板和等离子体蚀刻处理装置。该等离子体蚀刻用的电极板能够将贯通电极板的多种类型的气孔的配置最优化。等离子体蚀刻用的电极板(160)呈具有规定的厚度的圆板状，在同心圆状的多个不同的圆周上形成有将电极板(160)的一个面铅垂地贯通的多个气孔，在沿着径向将电极板(160)分割成两个以上的区域中的各区域形成有不同类型的气孔。

公开(公告)号：CN1511197A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN02810599.0

申请日：2002-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  中山博之 ,  三桥康至

IPC: C23C4/02 ,  C23C26/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C4/02

Abstract: 在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材(101)的表面形成氧化处理层(111)后，在该氧化处理层(111)之上，形成热喷涂层(121)。

公开(公告)号：CN1445826A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03119377.3

申请日：2003-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高濑均 ,  长山将之 ,  三桥康至 ,  中山博之

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B7/04 ,  B24C1/003 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法，不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂(例如丙酮)的化学清洗步骤(a)；接着吹入压缩空气，以便去除已经由化学处理过的缓冲板(14)脱落的沉积物的步骤(b)；接着，通过采用CO2鼓风装置(105)鼓风物理清除残留在缓冲板(14)边缘的沉积物，和缓冲板(14)浸入纯水(104)，并给予超声振动清除保留在缓冲板(14)上的沉积物的f步骤。