-
公开(公告)号:CN105428195A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201510578768.1
申请日:2015-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C4/134 , C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/06 , C23C4/105 , C23C4/11 , C23C4/127 , C23C4/131 , C23C28/042
Abstract: 本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上的层的基底的表面上喷镀氟化钇而形成。该部件的被膜内的气孔率为4%以下,该被膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)为4.5μm以下。
-
公开(公告)号:CN105428195B
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201510578768.1
申请日:2015-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C4/134 , C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/06 , C23C4/105 , C23C4/11 , C23C4/127 , C23C4/131 , C23C28/042
Abstract: 本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上的层的基底的表面上喷镀氟化钇而形成。该部件的被膜内的气孔率为4%以下,该被膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)为4.5μm以下。
-