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公开(公告)号：CN100547743C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710166668.3
申请日：2007-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 能够防止由基板制造半导体器件的生产率降低的基板处理方法。向具有热氧化膜、BPSG膜和沉积膜的晶片供应HF气体，由此使用氟化酸选择性蚀刻BPSG膜和沉积膜。蚀刻时生成的H2SiF6残留物质受热分解成HF和SiF4。
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公开(公告)号：CN1821448A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008225.7
申请日：2006-02-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: C23F4/04 , H01L21/3065 , H05H1/24 , H01L21/673
Abstract: 本发明目的是提供在等离子体处理装置中，难以产生以识别标志为起点的裂纹的部件，同时提供利用此识别标志可以检测部件寿命的方法。在装入基板(W)的处理容器(10)中生成等离子体，对基板(W)实施等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，作为配置在处理容器(10)内的部件(17)，在部件(17)的表面上带有识别标志(20、21)，该识别标志(20、21)是将通过把多个在平面看具有大体圆形、纵断面形状大体为U字形的基点坑(22)并排所表示的记号进行一组或两组以上的组合而成。
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公开(公告)号：CN1591793A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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公开(公告)号：CN113013014B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110199431.5
申请日：2018-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置，能够减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)～120(4))。空芯线圈具有固定的口径和固定的线圈长度。外导体为筒形，收容或包围空芯线圈，与空芯线圈组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路。可动件配置于一个或多个有效区间内，用于变更空芯线圈的各个卷线间隙，所述有效区间是在滤波器的频率‑阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率向高频区域侧或低频区域侧产生移位的区间。
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公开(公告)号：CN113764250A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110589644.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘部件的自动原地更换结构，其中基板支撑件包括：基台；以及静电卡盘，静电卡盘的上部与下部可分离，下部保持在基台上，上部能够原地更换，其中：静电卡盘的上部包括顶部陶瓷板，顶部陶瓷板具有：第一电极，通过响应于施加到第一电极的第一电压而产生的第一静电引力，可控制地将晶片保持在顶部陶瓷板的上表面，以及金属层，设置在第一电极和静电卡盘的底部的上表面之间，并且静电卡盘的底部包括第二电极，第二电极通过响应于施加到第二电极与金属层之一的第二电压而产生的第二静电引力，可控制地将上部保持到下部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013014A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110199431.5
申请日：2018-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、基板处理装置以及滤波器装置，能够减少针对噪声的每个频率重新制作滤波器的功夫。滤波器(102(1))具有空芯线圈(104(1))、外导体以及可动件(120(1)～120(4))。空芯线圈具有固定的口径和固定的线圈长度。外导体为筒形，收容或包围空芯线圈，与空芯线圈组合而形成以多个频率进行并联谐振的分布常数线路。可动件配置于一个或多个有效区间内，用于变更空芯线圈的各个卷线间隙，所述有效区间是在滤波器的频率‑阻抗特性中使特定的一个或多个并联谐振频率向高频区域侧或低频区域侧产生移位的区间。
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公开(公告)号：CN112563186A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010971656.3
申请日：2020-09-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 林大辅
IPC: H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片支承器和等离子体处理装置。基片支承器包括：主体部、第1环、第2环和升降销。主体部具有基片支承区域和环状区域。环状区域包围基片支承区域。第1环具有贯通孔，配置在环状区域上。第2环配置在第1环上。第2环具有面对基片支承区域上的基片的端面的内周面。升降销包括下侧杆和上侧杆。下侧杆具有能够与第1环抵接的上端面。上侧杆从下侧杆的上端面向上方延伸，能够经由第1环的贯通孔与第2环抵接，且具有比贯通孔的长度大的长度。根据本发明，能够用较少个数的销进行构成边缘环的两个环中的仅一个环的升降和两个环的同时升降。
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公开(公告)号：CN111801990A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980013656.8
申请日：2019-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力对计算模型进行拟合，来计算来自等离子体的热输入量，该计算模型包括该热输入量作为参数来计算过渡状态的供给电力。输出部输出基于由参数计算部计算出的热输入量的信息。
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公开(公告)号：CN101896033B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201010129374.5
申请日：2010-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32577
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，对生成等离子体所消耗的高频的电场强度分布进行控制。等离子体蚀刻装置(10)具有：在内部对晶片(W)进行等离子体处理的处理容器(100)；上部电极(105)和下部电极(110)，在处理容器(100)的内部相互相对，且在它们之间形成处理空间；以及高频电源(150)，其与上部电极(105)和下部电极(110)中的至少一个连接，向处理容器(100)的内部输出高频电力。上部电极(105)和下部电极(110)的至少一个包括：由板状的电介质形成基材(105a)；具有开口部、且覆盖基材(105a)的导电性盖(105b)；和设置在基材(105a)与等离子体之间的金属的第一电阻体(105d)。
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公开(公告)号：CN102191502B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110034760.0
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23F4/00 , C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: B05B1/18 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23F1/08
Abstract: 本发明提供气体簇射用构造体和基板处理装置。该构造体将基座板层叠在顶板上而形成，用于呈簇射状向处理气氛供给气体，能不受组装误差的影响而将两板的压接力设定为适当的大小，且能防止固定两者的固定构件与顶板之间的摩擦。从顶板的下表面侧插入螺纹构件而将螺纹构件与基座板螺纹连接，在螺纹构件的头部与顶板之间夹装环状的弹性体，利用弹性体的复原力使顶板与基座板压接。此时，在上述头部和顶板之间形成有间隙。并且在上述头部的外缘侧夹装环状的弹性体的状态下，在该头部覆盖罩。作为另一例，使基座板比顶板的外缘突出，用螺纹构件固定位于顶板外缘部的外侧的环状的夹持构件和基座板的突出部分，且使弹性体介于夹持构件与顶板之间。
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