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公开(公告)号：CN119585856A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055367.0
申请日：2023-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 公开的基片支承器包括：第一层；和电介质制的第二层，其配置在第一层上，包含基片支承面和至少1个吸附电极，且具有比第一层高的体积电阻值。第一层包含：第一区域，其与第二层接触，具有第一热传导率；第二区域，其具有比第一热传导率高的第二热传导率，第一区域配置在该第二区域与第二层之间；和变化区域，其配置在第一区域与第二区域之间，具有以随着从第一区域向第二区域去的方向上的自第一区域起的距离的增加而接近第二热传导率的方式在第一热传导率与第二热传导率之间的范围内变化的热传导率。
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公开(公告)号：CN1787183A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510131087.7
申请日：2005-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ti进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力4Pa以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子体作用于在可保持真空的处理容器内形成的、并至少具有形成为规定形状的图案的掩模层和作为在上述掩模层下面形成的被蚀刻层的Ti层的被处理体，对上述Ti层进行蚀刻；第二等离子体处理工序，在第一等离子体处理工序结束后，将洗净气体的等离子体导入到上述处理腔室内而进行干洗净，在上述第二等离子体处理工序中，除去由上述第一等离子体处理工序生成的含有Ti化合物的堆积物。
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公开(公告)号：CN113764250A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110589644.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种静电卡盘部件的自动原地更换结构，其中基板支撑件包括：基台；以及静电卡盘，静电卡盘的上部与下部可分离，下部保持在基台上，上部能够原地更换，其中：静电卡盘的上部包括顶部陶瓷板，顶部陶瓷板具有：第一电极，通过响应于施加到第一电极的第一电压而产生的第一静电引力，可控制地将晶片保持在顶部陶瓷板的上表面，以及金属层，设置在第一电极和静电卡盘的底部的上表面之间，并且静电卡盘的底部包括第二电极，第二电极通过响应于施加到第二电极与金属层之一的第二电压而产生的第二静电引力，可控制地将上部保持到下部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100413035C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510131087.7
申请日：2005-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ti进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力4Pa以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子体作用于在可保持真空的处理容器内形成的、并至少具有形成为规定形状的图案的掩模层和作为在上述掩模层下面形成的被蚀刻层的Ti层的被处理体，对上述Ti层进行蚀刻；第二等离子体处理工序，在第一等离子体处理工序结束后，将洗净气体的等离子体导入到上述处理腔室内而进行干洗净，在上述第二等离子体处理工序中，除去由上述第一等离子体处理工序生成的含有Ti化合物的堆积物。
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公开(公告)号：CN118843611A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026396.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人名古屋工业大学
IPC: C04B35/111 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 一种氧化铝陶瓷部件，含有平均粒径100μm以下的氧化铝多晶体，所述氧化铝多晶体的晶界中，氧化物的结晶状态、石榴子石结构的结晶状态和非结晶状态以外的状态的钇被掺杂。
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公开(公告)号：CN117678062A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050917.5
申请日：2022-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H02N13/00
Abstract: 基片支承器包括：基座；配置在所述基座的上部的第一电介质部，其用于载置基片；和以包围所述第一电介质部的方式配置的第二电介质部，其用于载置边缘环，所述第一电介质部和所述第二电介质部中的至少任一者包括由绝缘性材料形成的喷镀层。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；和设置在所述等离子体处理腔室的内部的所述基片支承器。
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公开(公告)号：CN116072586A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211285567.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供基片支承器、等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够适当地调节支承于基片支承器的基片的温度，即使在高温区域中也能够维持静电吸附。本发明的支承基片的基片支承器包括：基座；上述基座上的第一陶瓷层；和上述第一陶瓷层上的第二陶瓷层，上述第一陶瓷层包括：第一陶瓷制的第一基体部；和内置于上述第一基体部，用于调节上述基片的温度的多个加热电极，上述第二陶瓷层包括：与上述第一陶瓷不同的第二陶瓷制的第二基体部；和内置于上述第二基体部，用于保持上述基片的吸附电极。
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公开(公告)号：CN115719728A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210984564.8
申请日：2022-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供静电吸盘及其制造方法、基板支承器及等离子体处理装置，能够抑制从静电吸盘产生微粒。对基板进行静电吸附的静电吸盘基板具备：吸盘主体，其由第一陶瓷粒子形成，并具有与被吸附于所述静电吸盘的基板相向的基板相向面；多个凸部，所述多个凸部形成于所述吸盘主体的所述基板相向面，其中，各所述凸部的至少除前端侧层以外的部分由粒子的长径为20μm以上且2000μm以下的第二陶瓷粒子形成，并且该部分的气孔率为0.1％以上且1.0％以下。
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