公开(公告)号：CN117999644A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280065029.0

申请日：2022-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01L21/683

Abstract: 本公开提供一种用静电吸盘保持基板的基板保持方法及基板处理装置。基板保持方法，具有如下工序：将第1基板搬入第1室内，将所述第1基板载置在配置于所述第1室内的静电吸盘；对所述静电吸盘的静电电极施加第1电压，使所述第1基板吸附于所述静电吸盘；将所述静电吸盘从所述第1室搬出；对所述静电吸盘的表面进行磨削；将所述静电吸盘配置在第2室；将第2基板搬入所述第2室内，将所述第2基板载置在配置于所述第2室内的所述静电吸盘；以及向所述静电吸盘的静电电极施加比所述第1电压小的第2电压，使所述第2基板吸附在所述静电吸盘。

公开(公告)号：CN110544614B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201910459256.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种模型生成装置、模型生成方法以及记录介质，谋求与预定实施的等离子体处理对应的工艺条件。在等离子体处理装置中，以多种模式改变至少包括载置台温度及载置台的载置面的各区域的温度的等离子体处理的处理参数，获取部将每个模式的温度稳定的状态下的各区域的温度及向加热器供给的供给电流获取为测定数据。生成部使用测定数据，设为与相邻区域之间的温度差成正比的热量的热在区域之间移动、与载置台同区域之间的温度差成正比的热量的热在载置台与区域之间移动、按每个区域输入根据向该区域的加热器供给的供给电流计算出的热量的热、并且设为向各区域输入的热量与从各区域输出的热量一致来生成表示了处理参数间的关系的预测模型。

公开(公告)号：CN111261486A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911205136.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置、计算方法和记录介质。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定后，测量部测量没有进行等离子体点火的未点火状态和进行等离子体点火后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态下的供给电力，对参数包括消耗部件的厚度的、计算过渡状态下的供给电力的计算模型进行拟合，来计算消耗部件的厚度。

公开(公告)号：CN101447419A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180735.1

申请日：2008-11-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0368

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种膜的形成方法、薄膜晶体管、太阳能电池、制造装置和显示装置，其提高形成微晶膜的晶粒之间的横方向的结合强度。在硅基板G上形成栅极氧化膜10后，反复进行用2.0eV电子温度以下的高电子密度等离子体形成微晶硅膜的第一工序、和用比2.0eVd的电子温度高的电子温度的高电子密度等离子体形成超微晶硅膜的第二工序进行成膜。由此，形成微晶硅膜和超微晶硅膜叠层而得的叠层膜20。利用上述方法，能够制造将叠层膜20作为活性层发挥功能的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管中的至少一种。

公开(公告)号：CN1913741A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610092245.7

申请日：2006-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供用于均匀地产生等离子体而控制供给气体的顺序的方法。微波等离子体处理装置(100)使从微波发生器(28)输出的微波通过多个波导管(22)从槽缝天线(23)的槽缝向多块电介质零件传播，透过各电介质零件并向处理容器(10)内放射。控制装置(40)一边向处理容器(10)内供给Ar气体，一边向处理容器(10)内入射微波的功率。在Ar气体通过微波的功率进行等离子体点火后，向处理容器(10)内供给用于进行等离子体化的必要能量大于Ar气体的SiH4气体和NH3气体。由此，微波等离子体处理装置(100)可通过入射到处理容器(10)内的微波的功率使处理气体等离子体化稳定地产生优质的SiN膜。

公开(公告)号：CN1863427A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610072117.6

申请日：2006-04-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀口贵弘 ,  冈信介

IPC: H05H1/30 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置(100)构成为具有多根气体导入管(30)、多根气体管(28)、和支撑这些气体管(28)的多个支撑体(27)。在多个支撑体(27)的内部设有连接于气体导入管(30)的第一路径或第二路径。氩气经由气体导入管(30)从第一路径供给，由微波进行等离子体化(P1)。硅烷气体和氢气经由气体导入管(30)、第二路径从多根气体管(28)供给，由使氩气等离子体化时被减弱的微波进行等离子体化(P2)。由如此产生的等离子体可以生成优质的无定形硅膜。

公开(公告)号：CN111261486B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911205136.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置、计算方法和记录介质。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定后，测量部测量没有进行等离子体点火的未点火状态和进行等离子体点火后向加热器供给的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用由测量部测量出的未点火状态和过渡状态下的供给电力，对参数包括消耗部件的厚度的、计算过渡状态下的供给电力的计算模型进行拟合，来计算消耗部件的厚度。

公开(公告)号：CN108335999B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201810054937.5

申请日：2018-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及基板处理装置、温度控制方法以及存储介质。载置台设置有用于载置基板和以包围该基板的方式配置的环构件的一方或两方的载置面，并在载置面分割得到的各分割区域分别设置有能够调整温度的加热器。计算部使用预测模型计算对载置面上的基板进行规定处理时的基板的规定测定点的关键尺寸满足规定条件的各分割区域的加热器的目标温度，该预测模型为，将各分割区域的加热器的温度作为参数并考虑包含测定点的分割区域以外的其它分割区域的加热器的温度依据该测定点与其它分割区域的距离所产生的影响来预测测定点处的关键尺寸。在对载置面上的基板进行基板处理时进行控制使得各分割区域的加热器成为由计算部计算出的目标温度。

公开(公告)号：CN111933509A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010374157.6

申请日：2020-05-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、计算方法以及记录介质，能够求出顶板的消耗程度。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起针对加热器的供给电力下降的过渡状态下的供给电力。参数计算部使用测量出的未点火状态和过渡状态的供给电力，对将顶板的厚度作为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算顶板的厚度。

公开(公告)号：CN100576966C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610092245.7

申请日：2006-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈信介

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供用于均匀地产生等离子体而控制供给气体的顺序的方法。微波等离子体处理装置(100)使从微波发生器(28)输出的微波通过多个波导管(22)从槽缝天线(23)的槽缝向多块电介质零件传播，透过各电介质零件并向处理容器(10)内放射。控制装置(40)一边向处理容器(10)内供给Ar气体，一边向处理容器(10)内入射微波的功率。在Ar气体通过微波的功率进行等离子体点火后，向处理容器(10)内供给用于进行等离子体化的必要能量大于Ar气体的SiH4气体和NH3气体。由此，微波等离子体处理装置(100)可通过入射到处理容器(10)内的微波的功率使处理气体等离子体化稳定地产生优质的SiN膜。