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公开(公告)号：CN102957092A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210397689.7
申请日：2012-10-18
Applicant: 上海交通大学无锡研究院
Abstract: 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器（如量子级联激光器）通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。
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公开(公告)号：CN100481528C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710041124.4
申请日：2007-05-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定探测器类型为砷化镓同质结远红外探测器，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应优化了顶部和底部DBR反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长出砷化镓同质结远红外探测器，在此基础上依次生长：顶部DBR反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管、以及底部DBR反射镜，就得到了带反射镜的无像元远红外上转换成像装置。本发明提高了远红外上转换成像的效率，为成熟半导体远红外成像的普遍应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN1304297C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410018011.9
申请日：2004-04-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 一种用于纳米材料领域的制备纳米晶SnO2粉的方法，以Al、SnCl2·2H2O、HCl为原料，采用固液氧化还原制备Sn，SnO，SnOx混合粉体，然后采用固态热氧化技术，对混合粉体进行热氧化处理，制备出超纯纳米晶SnO2粉，再经进一步碾磨得到超细纳米晶SnO2粉。本发明不需多次洗涤和分离技术就可得到高纯中间混合粉体，并且由于中间体由Sn，SnO，SnOx构成的混合粉体，有效避免了由纯金属锡粉体熔化聚集结块问题。因而容易获得由纳米晶结构SnO2松散构成的粉体，极易被碾磨成超细、超均匀SnO2粉。本发明采用固液氧化还原反应法和固态热氧化技术合成了SnO2氧化物纳米材料，充分显示了产率高、无污染、粒径均匀等优点。
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公开(公告)号：CN1737999A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510029498.5
申请日：2005-09-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅晶粒的尺寸以及晶粒周围氢原子配置环境，实现晶粒内部的晶格结构应变，从而使高密度有序纳米硅晶粒薄膜的电子迁移率提高到103cm2/Vs量级。本发明在工艺成熟的单晶硅衬底上生长出的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜有利于制作高性能器件和大规模集成电路，所制备的氢化纳米硅薄膜具有很好的电学性能，并具有高电子迁移率(达到103cm2/Vs量级)和高电导率(在5.7－109.8Ω－1cm－1范围内)等优点。
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公开(公告)号：CN1569645A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018011.9
申请日：2004-04-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 一种用于纳米材料领域的制备纳米晶SnO2粉的方法，以Al、SnCl2·2H2O、HCl为原料，采用固液氧化还原制备Sn，SnO，SnOx混合粉体，然后采用固态热氧化技术，对混合粉体进行热氧化处理，制备出超纯纳米晶SnO2粉，再经进一步碾磨得到超细纳米晶SnO2粉。本发明不需多次洗涤和分离技术就可得到高纯中间混合粉体，并且由于中间体由Sn，SnO，SnOx构成的混合粉体，有效避免了由纯金属锡粉体熔化聚集结块问题。因而容易获得由纳米晶结构SnO2松散构成的粉体，极易被碾磨成超细、超均匀SnO2粉。本发明采用固液氧化还原反应法和固态热氧化技术合成了SnO2氧化物纳米材料，充分显示了产率高、无污染、粒径均匀等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1167136C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02150784.8
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种谐振腔增强的远红外探测器反射镜的制备方法属于光电探测器领域。方法步骤如下：选取与探测器材料相同的材料作为反射镜的材料；根据菲涅尔系数矩阵和德鲁得模型，通过数值计算得到没有谐振腔时探测器腔体内的光吸收率；用同样的方法计算谐振腔增强的探测器腔体内的光吸收率，并优化底部反射镜的结构和材料参数；根据优化得到的参数，通过分子束外延生长出谐振腔增强的探测器，并测量其反射和透射光谱，验证这种制备的可行性。本发明制备出的反射镜可以应用在远红外波段，并可以通过MBE生长，生长质量得到保证，使得探测器腔体内的光吸收率大大增强，从而提高了探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN1412860A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02150783.X
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0232 , G01J1/02
Abstract: 一种谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜属于光电探测器领域。本发明提供了一种采用分子束外延生长制备的远红外探测器的反射镜。顶部反射镜由探测器与空气形成的界面形成。底部反射镜由底部电极层和它下面的多周期的非掺杂/掺杂的砷化镓层共同组成，本发明具有实质性特点和显著进步，可以通过分子束外延生长制备，具有很好的样品质量，可以应用到远红外波段，而且大大提供探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN113675298B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110951231.0
申请日：2021-08-18
Applicant: 上海交通大学 , 江苏林洋光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236
Abstract: 一种具有纳微米结构的TOPCon晶硅太阳电池实现方法，在n型晶硅衬底的正面采用碱溶液制备得到微米结构金字塔后，在微米结构金字塔上制备硅纳米柱阵列或金属纳米颗粒阵列；然后在正面通过高温硼扩散形成p‑n结、在背面通过LPCVD方法或PVD方法制备氧化硅/掺杂多晶硅叠层结构；最后在正面的p‑n结上依次覆盖氧化铝/氢化氮化硅叠层和金属Ag/Al栅线、在背面的氧化硅/掺杂多晶硅叠层结构上覆盖氢化氮化硅层和金属Ag栅线。本发明能够显著降低硅片对入射光的反射率，从而使得更多光子被晶硅衬底吸收，同时新绒面结构没有带来更大载流子复合，电池效率跟常规电池具有可比性。
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公开(公告)号：CN114134549B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111409308.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域、电化学领域，所述方法包括：在ITO玻璃上沉积硫酸根阴离子修饰的金属铅层；将ITO玻璃上含有的所述硫酸根阴离子修饰的金属铅层转化为所述硫酸根阴离子修饰的钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以有效地改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，从而得到更高光电转换效率的钙钛矿太阳电池；同时还可以突破平整基底的限制，在表面制绒的异质结太阳电池上实现钙钛矿薄膜的均匀保型生长。
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公开(公告)号：CN113707734A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110973198.1
申请日：2021-08-24
Applicant: 上海交通大学 , 江苏林洋光伏科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48
Abstract: 一种具有空穴选择钝化结构的晶硅/钙钛矿叠层太阳电池，包括：作为底电池的n型晶硅TOPCon结构、作为顶电池的钙钛矿结构以及作为中间层的透明导电薄膜，其中n型晶硅TOPCon结构包括以下任意一种结构：①依次设置的背金属电极、氢化氮化硅、磷掺杂多晶硅、隧穿氧化硅、n型晶硅、隧穿氧化硅和硼掺杂薄多晶硅，或②依次设置的背金属电极、氢化氮化硅、磷掺杂多晶硅、隧穿氧化硅、n型晶硅、本征非晶硅和硼掺杂非晶硅。本发明利用n型太阳电池光生载流子主要集中在电池前表面的发射极一侧的特性，通过采用性能优异的钝化层，能够降低载流子复合损失，实现少数载流子的快速有效收集；同时，该方法简单易行，具备产业上的可行性。
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