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公开(公告)号：CN112151637A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011002388.0
申请日：2020-09-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种在表面制绒的非晶硅/晶硅异质结电池上快速低成本制备钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法为先表面制绒的异质结电池清洗；然后在清洗干净的所述表面制绒的异质结电池表面采用电化学方法制备金属铅层；最后采用电化学方法将表面制绒的异质结电池上含有的所述金属铅层转化为所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以快速低成本地在表面制绒的异质结电池上制备均匀的钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN114134549B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111409308.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域、电化学领域，所述方法包括：在ITO玻璃上沉积硫酸根阴离子修饰的金属铅层；将ITO玻璃上含有的所述硫酸根阴离子修饰的金属铅层转化为所述硫酸根阴离子修饰的钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以有效地改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，从而得到更高光电转换效率的钙钛矿太阳电池；同时还可以突破平整基底的限制，在表面制绒的异质结太阳电池上实现钙钛矿薄膜的均匀保型生长。
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公开(公告)号：CN112151637B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011002388.0
申请日：2020-09-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种在表面制绒的非晶硅/晶硅异质结电池上快速低成本制备钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法为先表面制绒的异质结电池清洗；然后在清洗干净的所述表面制绒的异质结电池表面采用电化学方法制备金属铅层；最后采用电化学方法将表面制绒的异质结电池上含有的所述金属铅层转化为所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以快速低成本地在表面制绒的异质结电池上制备均匀的钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN114134549A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111409308.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域、电化学领域，所述方法包括：在ITO玻璃上沉积硫酸根阴离子修饰的金属铅层；将ITO玻璃上含有的所述硫酸根阴离子修饰的金属铅层转化为所述硫酸根阴离子修饰的钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以有效地改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，从而得到更高光电转换效率的钙钛矿太阳电池；同时还可以突破平整基底的限制，在表面制绒的异质结太阳电池上实现钙钛矿薄膜的均匀保型生长。
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公开(公告)号：CN111211224A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010022553.2
申请日：2020-01-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种快速低成本制备商用钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法包括：FTO玻璃清洗；在清洗干净的所述FTO玻璃表面制备金属铅层；将含有所述金属铅层的所述FTO玻璃浸入甲基碘化铵/异丙醇溶液中制备所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，不仅可以快速可控地实现金属铅层向钙钛矿薄膜的转变，而且容易控制钙钛矿薄膜晶体尺寸，还很容易在柔性、大尺寸、粗糙的衬底上制备钙钛矿薄膜。
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