公开(公告)号：CN102957093A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210397783.2

申请日：2012-10-18

Applicant: 上海交通大学无锡研究院

Inventor： 刘惠春 ,  傅爱兵

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明公布了一种半导体量子点子能级发光器件，其结构为n型掺杂的GaAs衬底层，在所述的GaAs衬底层上通过分子束外延技术或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：Al组分0-0.2变化的AlGaAs层，用于为量子点层注入电子，同时可以对能级进行调制；AlGaAs缓冲层，其中Al组分固定为0.2；多层的AlAs或GaAs，InAs周期结构；在多层周期结构上沉积一层未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs上电级层；其中最上的GaAs上电极层和最下面的n型掺杂GaAs衬底层。本发明的量子点发光器件能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。本发明的量子点发光器件还能够在远红外和太赫兹波段产生激光，且发光效率高。

公开(公告)号：CN102957092B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210397689.7

申请日：2012-10-18

Applicant: 上海交通大学无锡研究院

Inventor： 刘惠春 ,  沈文忠 ,  傅爱兵 ,  郝明瑞 ,  杨耀

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/04

Abstract: 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器（如量子级联激光器）通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。

公开(公告)号：CN102957092A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210397689.7

申请日：2012-10-18

Applicant: 上海交通大学无锡研究院

Inventor： 刘惠春 ,  沈文忠 ,  傅爱兵 ,  郝明瑞 ,  杨耀

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/04

Abstract: 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器（如量子级联激光器）通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。