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公开(公告)号：CN111341691A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201910776613.7
申请日：2019-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , B23K26/362
Abstract: 一种基板处理装置包括：旋转卡盘，其上安装有基板，所述旋转卡盘旋转所述基板；化学液体喷嘴和去离子水喷嘴中的至少一个，化学液体喷嘴配置为向基板的表面提供化学液体，去离子水喷嘴配置为向基板的表面提供去离子水；以及激光设备，配置为发射周期为10-9秒或更短的脉冲波激光束以蚀刻基板的边缘。
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公开(公告)号：CN109545707A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811088273.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括：主体框架，其具有突起和凹室，突起从主体框架的第一表面竖直向上突出，凹室由主体框架的突起和第一表面限定；罩框架；缓冲腔室，缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间；以及连接器。缓冲腔室包括：内部容器，其可拆卸地联接到主体框架，从而在凹室中提供腔室空间；以及内部罩，内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触，从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架，使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间，使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。
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公开(公告)号：CN108538810A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710888495.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
CPC classification number: H01L23/53204 , H01L21/28518 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76855 , H01L21/76879 , H01L21/76889 , H01L23/5226 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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公开(公告)号：CN106206595A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610365474.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L23/485 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848 , H01L27/11524
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第一蚀刻速率的第一材料的第一嵌入的源极/漏极。第一嵌入的源极/漏极可以每个包括具有凹陷部分和相对于凹陷部分的外凸起部分的上表面。第二导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第二蚀刻速率的第二材料的第二嵌入的源极/漏极，该第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。第二嵌入的源极/漏极可以每个包括处于与第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件的外凸起部分不同的水平的上表面。
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公开(公告)号：CN119275128A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410108789.6
申请日：2024-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了衬底处理系统和衬底处理方法。该衬底处理方法包括：对衬底执行曝光工艺；在曝光工艺之后，去除衬底上的水分；对去除了水分的衬底执行润湿工艺；以及在润湿工艺之后，对衬底执行干燥工艺。去除衬底上的水分的步骤包括：测量衬底的重量以及加热测量了其重量的衬底。对衬底执行干燥工艺的步骤包括：将衬底放入干燥室中，以及向干燥室供应超临界流体以干燥衬底上的流体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118116831A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310961085.9
申请日：2023-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了一种衬底处理挡板、衬底处理装置、以及衬底处理装置制造方法。衬底处理挡板包括：板主体，具有沿第一方向延伸的中心轴线；以及上主体，在板主体上。上主体包括与上主体的顶表面连接的上引流路径。板主体包括：下引流路径，连接到上引流路径和板主体的底表面；以及耦接孔，延伸穿过板主体的顶表面。耦接孔包括放置孔。放置孔包括位置设置孔，该位置设置孔的宽度随着距板主体的顶表面的距离减小而减小。
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公开(公告)号：CN117637523A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310524509.5
申请日：2023-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了超临界流体供应装置、衬底处理装置和衬底处理方法。该衬底处理装置包括：干燥室，包括被配置为其中设置有衬底的干燥空间；以及超临界流体供应装置，被配置为向干燥室供应超临界流体。该超临界流体供应装置包括：流体供应罐；高温流体罐，被配置为在其中以第一温度存储从流体供应罐供应的流体；以及低温流体罐，被配置为在其中以与第一温度不同的第二温度存储从流体供应罐供应的流体。高温流体罐和低温流体罐在流体供应罐和干燥室之间并联连接。
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公开(公告)号：CN107689374B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201710600268.2
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明涉及利用分隔件结构的半导体器件。半导体器件可以包括：场绝缘层，位于基底上；栅极结构，位于基底上且与场绝缘层分开；第一分隔件结构，位于栅极结构的侧壁和下表面上且与场绝缘层分开；第二分隔件结构，位于场绝缘层的上表面的被栅极结构叠置的部分上。
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公开(公告)号：CN107706094B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710665594.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/8234
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和型芯层；在型芯层上形成第一光致抗蚀剂；通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除型芯层而形成型芯图案；形成间隔物图案，间隔物图案包括位于型芯图案中包括的第一型芯一侧的第一型芯间隔物以及位于第一型芯另一侧的第二型芯间隔物；在去除型芯图案之后，形成覆盖间隔物图案的牺牲层；在牺牲层上形成包括桥图案的第二光致抗蚀剂，桥图案重叠第一型芯间隔物和第二型芯间隔物的部分；以及通过使用间隔物图案以及第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除栅极层而形成栅极图案。
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