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公开(公告)号：CN1517153A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410002221.9
申请日：2004-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L22/20 , G01R31/2884
Abstract: 一种焊盘涂覆系统，包括具有第一控制开关并在根据UV源开/关信号进行焊盘涂覆操作期间发出UV光的紫外线(UV)源部分、具有第二控制开关并在根据涂覆条件指示信号进行焊盘涂覆操作期间分配涂覆液体的给料器以及产生UV源开/关信号和涂覆条件指示信号并控制焊盘涂覆操作的探针器。监视第一和第二开关的操作状态，并且如果第一和第二开关的至少一个的操作状态没有设置为所希望的状态，则停止焊盘涂覆操作。
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公开(公告)号：CN1700425A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510073964.X
申请日：2005-05-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 高科技实美化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213 , C11D7/32 , C11D7/00 , C11D3/00 , C11D1/00
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0084 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 一种用于半导体晶片处理的腐蚀－抑制清洗组合物，包含约0.5wt％至约5wt％的浓度范围的双氧水、约1wt％至约10wt％的浓度范围的硫酸、约0.01wt％至约1wt％的浓度范围的氢氟酸；约0.1wt％至约5wt％的浓度范围的唑和去离子水。在清洗工序过程中，唑通过与金属层表面螯合抑制待清洗金属层被腐蚀。
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公开(公告)号：CN1654713A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009448.0
申请日：2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友FINE-CHEM.株式会社
IPC: C23G5/036 , H01L21/30 , H01L21/82 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2082 , C11D3/30 , C11D3/364 , C11D3/39 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。
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公开(公告)号：CN107689374B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201710600268.2
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明涉及利用分隔件结构的半导体器件。半导体器件可以包括：场绝缘层，位于基底上；栅极结构，位于基底上且与场绝缘层分开；第一分隔件结构，位于栅极结构的侧壁和下表面上且与场绝缘层分开；第二分隔件结构，位于场绝缘层的上表面的被栅极结构叠置的部分上。
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公开(公告)号：CN107706094B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710665594.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/8234
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和型芯层；在型芯层上形成第一光致抗蚀剂；通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除型芯层而形成型芯图案；形成间隔物图案，间隔物图案包括位于型芯图案中包括的第一型芯一侧的第一型芯间隔物以及位于第一型芯另一侧的第二型芯间隔物；在去除型芯图案之后，形成覆盖间隔物图案的牺牲层；在牺牲层上形成包括桥图案的第二光致抗蚀剂，桥图案重叠第一型芯间隔物和第二型芯间隔物的部分；以及通过使用间隔物图案以及第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除栅极层而形成栅极图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706094A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710665594.1
申请日：2017-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/28114 , H01L21/0337 , H01L21/28123 , H01L21/28132 , H01L21/32139 , H01L21/823431 , H01L27/0207 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66795 , H01L29/7856 , H01L21/0274
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和型芯层；在型芯层上形成第一光致抗蚀剂；通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除型芯层而形成型芯图案；形成间隔物图案，间隔物图案包括位于型芯图案中包括的第一型芯一侧的第一型芯间隔物以及位于第一型芯另一侧的第二型芯间隔物；在去除型芯图案之后，形成覆盖间隔物图案的牺牲层；在牺牲层上形成包括桥图案的第二光致抗蚀剂，桥图案重叠第一型芯间隔物和第二型芯间隔物的部分；以及通过使用间隔物图案以及第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除栅极层而形成栅极图案。
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公开(公告)号：CN107689374A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710600268.2
申请日：2017-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/4991 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及利用分隔件结构的半导体器件。半导体器件可以包括：场绝缘层，位于基底上；栅极结构，位于基底上且与场绝缘层分开；第一分隔件结构，位于栅极结构的侧壁和下表面上且与场绝缘层分开；第二分隔件结构，位于场绝缘层的上表面的被栅极结构叠置的部分上。
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公开(公告)号：CN100356541C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN02132256.2
申请日：2002-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明揭示了一种用于从集成电路测试探针设备测试探针板的多个电接点上，清洁碎屑和残渣的设备及其使用方法，该设备优先包括具有槽形表面的硅片，可以移动该测试探针板以实现压力接触。槽形表面提供了一种栅形结构，这种栅形结构与所实现的压力电接触结合，可以破碎夹杂或粘附的任何残渣颗粒，然后，将这些颗粒破碎为更小颗粒并从探针板上脱落。利用各种测量传感器对探针板的压力和相对运动进行控制。
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公开(公告)号：CN1299837C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410002221.9
申请日：2004-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L22/20 , G01R31/2884
Abstract: 一种焊盘涂覆系统，包括具有第一控制开关并在根据UV源开/关信号进行焊盘涂覆操作期间发出UV光的紫外线(UV)源部分、具有第二控制开关并在根据涂覆条件指示信号进行焊盘涂覆操作期间分配涂覆液体的给料器以及产生UV源开/关信号和涂覆条件指示信号并控制焊盘涂覆操作的探针器。监视第一和第二开关的操作状态，并且如果第一和第二开关的至少一个的操作状态没有设置为所希望的状态，则停止焊盘涂覆操作。
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公开(公告)号：CN1466182A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN02132256.2
申请日：2002-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明揭示了一种用于从集成电路测试探针设备测试探针板的多个电接点上，清洁碎屑和残渣的设备及其使用方法，该设备优先包括具有槽形表面的硅片，可以移动该测试探针板以实现压力接触。槽形表面提供了一种栅形结构，这种栅形结构与所实现的压力电接触结合，可以破碎夹杂或粘附的任何残渣颗粒，然后，将这些颗粒破碎为更小颗粒并从探针板上脱落。利用各种测量传感器对探针板的压力和相对运动进行控制。
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