-
公开(公告)号:CN109545707A
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201811088273.0
申请日:2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括:主体框架,其具有突起和凹室,突起从主体框架的第一表面竖直向上突出,凹室由主体框架的突起和第一表面限定;罩框架;缓冲腔室,缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间;以及连接器。缓冲腔室包括:内部容器,其可拆卸地联接到主体框架,从而在凹室中提供腔室空间;以及内部罩,内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触,从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架,使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间,使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。
-
公开(公告)号:CN109037094A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810022556.9
申请日:2018-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02101 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/68735 , H01L21/67017
Abstract: 一种基板处理装置包括:容器,其提供用于处理基板的处理空间;基板支撑部,其支撑装载在处理空间中的基板;以及屏障,其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。
-
-