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公开(公告)号：CN103426842B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310181339.1
申请日：2013-05-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/433
CPC classification number: H01L23/3733 , B82Y40/00 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L2224/73253 , Y10S977/888 , Y10S977/891 , Y10S977/932 , Y10T428/24174
Abstract: 本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。
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公开(公告)号：CN105204106A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510658524.4
申请日：2015-10-12
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3041 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G02B1/14 , G02B5/3033 , G02F1/1335 , G02F1/133528 , G02F2202/10 , G02F2202/36 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/815 , Y10S977/824 , Y10S977/891 , Y10S977/892 , Y10S977/952 , G02B5/3008
Abstract: 本发明提供一种量子点偏光片的制作方法。本发明的量子点偏光片的制作方法，将量子点层、偏光层分别形成于不同的基材上而分别得到量子点膜片、偏光膜片，然后将量子点膜片、偏光膜片相贴合后得到量子点偏光片，量子点偏光片并非在同一基材上依次成膜得到，从而使得量子点偏光片中的量子点层通过高低温制程均可制备，扩大了量子点材料的选择和制备范围，由该方法得到的量子点偏光片，在增加显示面板色域覆盖率的同时，不会发生光偏振消除的现象。
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公开(公告)号：CN102144275B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980134077.5
申请日：2009-09-01
Applicant: 陶氏康宁公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/24 , B01F13/0001 , B01J2/04 , B82Y40/00 , H01J37/32082 , H01J2237/339 , Y10S977/891
Abstract: 本发明提供了一种用于合成纳米颗粒的低压甚高频脉冲等离子体反应器系统。该系统包括腔室，该腔室用于接纳至少一个基板，并且能够被抽真空至所选压强。该系统还包括用于从至少一种前驱体气体产生等离子体的等离子体源，以及用于以所选频率提供连续或脉冲射频功率至等离子体的甚高频射频功率源。该频率是基于脉冲射频功率和等离子体之间的耦合效率来选择的。VHF放电和气体前驱体的参数是基于纳米颗粒性质来选择的。纳米颗粒平均大小和颗粒大小分布是通过控制辉光放电的驻留时间(脉冲调制等离子体)相对于通过放电区的气体分子驻留时间、以及纳米颗粒前驱体气体(一种或多种)的质量流量来操控的。
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公开(公告)号：CN103426842A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310181339.1
申请日：2013-05-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/433
CPC classification number: H01L23/3733 , B82Y40/00 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L2224/73253 , Y10S977/888 , Y10S977/891 , Y10S977/932 , Y10T428/24174
Abstract: 本发明公开一种片状结构、片状结构的制造方法及电子器件。该片状结构具有：束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间。所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。本发明能够提供一种具有热传导均匀的平面的片状结构。
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公开(公告)号：CN102351169B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110192086.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101305280B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200680020405.5
申请日：2006-06-09
Applicant: 吉卢比有限公司
IPC: G01N33/543 , G01N21/55
CPC classification number: G01N33/54373 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G01N21/554 , G01N21/6489 , G01N2021/258 , Y10S977/882 , Y10S977/891 , Y10S977/957 , Y10S977/958 , Y10S977/959
Abstract: 本发明一般涉及生物传感器技术，并且具体涉及基于金属纳米岛、半导体纳米岛和磁性纳米岛有序阵列的用于医学、生物学、生物化学、化学和环境学应用的新颖多功能生物传感器。
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公开(公告)号：CN101231944B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200810008557.4
申请日：2008-01-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L31/04 , H01L31/18 , H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L31/08
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/56 , Y10S977/784 , Y10S977/809 , Y10S977/814 , Y10S977/844 , Y10S977/89 , Y10S977/891
Abstract: 本发明公开了包括硅纳米管芯的多层结构及其制造方法、太阳能电池及形成其的方法、非易失性存储器单元及其制造方法、以及光感测单元及其制造方法。在一实施例中，包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法包括步骤：于基底上形成第一导电层，于第一导电层上形成富硅介电层，至少对富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于富硅介电层中形成多个硅纳米管芯。富硅介电层折射系数大体上为1.47～2.5的富硅氧化层，或折射系数约为1.7～2.5的富硅氮化层，包括硅纳米管芯的多层结构可用于太阳能电池、光侦测器、触控显示器、非易失性存储器元件的储存节点或液晶显示器。
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公开(公告)号：CN101104513A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610061618.4
申请日：2006-07-12
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: C23C14/165 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C23C14/5853 , C30B25/00 , C30B29/602 , Y10S977/89 , Y10S977/891
Abstract: 本发明是关于一种单壁碳纳米管的生长方法，主要包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成一氧化铟锡电极，氧化铟锡电极的厚度为5纳米～100纳米；在氧化铟锡电极上沉积一铝过渡层，铝过渡层的厚度为5纳米～40纳米；在铝过渡层上沉积一催化剂层，催化剂层的厚度为3纳米～10纳米；将沉积有催化剂层、铝过渡层和氧化铟锡电极的基底放置在空气中，在300℃～500℃下热处理10分钟～12小时，催化剂层经退火后形成氧化颗粒；将基底放置在反应装置中，在反应装置内通入保护气体，在保护气体的保护下加热至640℃～900℃；以及通入碳源气与保护气体的混合气体，加热至640℃～900℃反应30分钟～60分钟生长出单壁碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1464916A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN01812239.6
申请日：2001-05-31
Applicant: 西加特技术有限责任公司
CPC classification number: G11B5/8408 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/152 , C23C14/0605 , C23C14/5873 , C30B23/02 , C30B29/02 , C30B33/00 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/3163 , G11B5/40 , G11B5/722 , G11B5/82 , G11B7/122 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B11/10582 , G11B11/10586 , Y10S427/102 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , Y10S977/951
Abstract: 在基底(202)上沉积富勒烯分子的多层涂层(200)，除去多层涂层中的一些层，在基底上留下大约为单层的富勒烯涂层。一些实施方案中，一种束流发生器(250)如离子束、电子束或激光束的发生器产生束流(252)，该束流安排成使得多层涂层的富勒烯－富勒烯分子间的键合断裂，但不足以使涂层的富勒烯与基底的缔合/键合断裂。将此束流(252)投射到多层涂层(200)上，断裂掉富勒烯－富勒烯分子间的键合。在其它实施方案中，是在多层涂层上施用溶剂来断裂多层涂层的富勒烯－富勒烯分子间键，形成单层富勒烯分子。
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公开(公告)号：CN1359532A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN00806375.3
申请日：2000-04-27
Applicant: 赛弗根生物系统股份有限公司
CPC classification number: H01J49/0418 , B01L3/5085 , Y10S977/881 , Y10S977/891 , Y10S977/892 , Y10T436/255
Abstract: 本发明提供质谱仪用的样品支架,它包括具有一表面的基底和覆盖该表面的膜。所述膜上有一些孔,用来界定显现分析物的特征部位。所述膜的表面张力比基底表面低,它的水接触角为120－180°。
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