公开(公告)号：CN102351169B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110192086.9

申请日：2005-04-29

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 潘尧令 ,  段镶锋 ,  B·杜布罗 ,  J·戈德曼 ,  S·莫斯特拉谢 ,  牛春明 ,  L·T·罗马诺 ,  D·斯顿博

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/18 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7854 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/891 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。

公开(公告)号：CN101010780B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200580021904.1

申请日：2005-04-29

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 潘尧令 ,  段镶锋 ,  B·杜布罗 ,  J·戈德曼 ,  S·莫斯特拉谢 ,  牛春明 ,  L·T·罗马诺 ,  D·斯顿博

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/18 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7854 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/891 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。

公开(公告)号：CN101010780A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580021904.1

申请日：2005-04-29

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 潘尧令 ,  段镶锋 ,  B·杜布罗 ,  J·戈德曼 ,  S·莫斯特拉谢 ,  牛春明 ,  L·T·罗马诺 ,  D·斯顿博

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/18 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7854 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/891 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。

公开(公告)号：CN1863954B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200480028982.X

申请日：2004-08-04

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： M·布雷采亚 ,  陈建 ,  C·乔 ,  牛春明 ,  潘尧令 ,  J·W·帕斯 ,  L·T·罗马诺 ,  D·斯顿博

IPC: D02G3/00 ,  D01F9/12 ,  H01L21/44 ,  H01L29/78 ,  H01G4/32

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2913 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制备纳米线-材料复合体的系统和方法。提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线。在该部分上沉积材料，以形成纳米线-材料复合体。该方法还任选包括将纳米线-材料复合体与衬底分离，以形成独立式纳米线复合体。任选将独立式纳米线复合体进一步加工成为电子衬底。使用其中描述的方法可以制备各种电子衬底。例如，可以由纳米线-材料复合体的多个、叠层制备多色发光二极管，每个复合体层发射不同波长的光。

公开(公告)号：CN102351169A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110192086.9

申请日：2005-04-29

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 潘尧令 ,  段镶锋 ,  B·杜布罗 ,  J·戈德曼 ,  S·莫斯特拉谢 ,  牛春明 ,  L·T·罗马诺 ,  D·斯顿博

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/18 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7854 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/891 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。

公开(公告)号：CN1863954A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480028982.X

申请日：2004-08-04

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： M·布雷采亚 ,  陈建 ,  C·乔 ,  牛春明 ,  潘尧令 ,  J·W·帕斯 ,  L·T·罗马诺 ,  D·斯顿博

IPC: D02G3/00 ,  D01F9/12 ,  H01L21/44 ,  H01L29/78 ,  H01G4/32

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2913 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制备纳米线－材料复合体的系统和方法。提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线。在该部分上沉积材料，以形成纳米线－材料复合体。该方法还任选包括将纳米线－材料复合体与衬底分离，以形成独立式纳米线复合体。任选将独立式纳米线复合体进一步加工成为电子衬底。使用其中描述的方法可以制备各种电子衬底。例如，可以由纳米线－材料复合体的多个、叠层制备多色发光二极管，每个复合体层发射不同波长的光。