公开(公告)号：CN118677218B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410721980.8

申请日：2024-06-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  易俊杰 ,  余胜奇 ,  罗兴雨 ,  高升 ,  张红升

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。

公开(公告)号：CN118712222A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410744959.X

申请日：2024-06-11

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 高升 ,  吴艳君 ,  黄义 ,  张琳 ,  李萱

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有复合电流阻挡层的增强型超结CAVET器件，属于微电子领域。该器件通过在电流阻挡层内嵌入了InGaN/AlN/InGaN复合电流阻挡层，由靠近源极的InGaN层、AlN层和靠近电流孔径层的InGaN层组成。本发明由于电流阻挡层采用InGaN/AlN/InGaN复合结构，嵌入的InGaN层通过形成次沟道有效提升了器件的输出特性；与此同时，引入的GaN/AlN异质结加速了沟道二维电子气的耗尽，从而抑制了次沟道引起的阈值电压负漂，极大增强了器件的栅控能力。

公开(公告)号：CN118677218A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410721980.8

申请日：2024-06-05

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  易俊杰 ,  余胜奇 ,  罗兴雨 ,  高升 ,  张红升

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明涉及一种用于GaN半桥驱动芯片的高抗噪、低延时电平移位电路，属于集成电路中电源管理技术领域。该电路通过额外增加一条浮动电源轨VDDH到地的通路，去模拟电平移位电路中浮动电源轨电压突变时，带来的噪声的影响。该方案理论上可以实现非常好的抗噪能力，只增加了六个PMOS管，一个NLDMOS，一个反向器，结构简单。

公开(公告)号：CN118263322A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410349902.X

申请日：2024-03-26

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  周扬淇 ,  肖宇凡 ,  高升 ,  黄义

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明涉及一种集成嵌入式源沟道低势垒二极管的非对称沟槽SiC‑MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在传统非对称沟槽SiC‑MOSFET器件的P+屏蔽区中刻蚀一个源极沟槽多晶硅和源极N+区，同时在沟槽源极旁引入低势垒的P‑base沟道，P‑base耗尽层电荷使能带发生弯曲，从而在SiC/SiO2界面处形成由JFET区指向N+源区的LBD。LBD开启压降为1.9V，约为PN结体二极管的2/3。通过LBD对空穴的抑制作用消除双极退化效应。此外，本发明将部分沟槽栅变为虚拟栅，减小栅极覆盖漂移区的面积，降低栅漏电荷和反馈电容，提高了器件的开关速度，降低了开关损耗。

公开(公告)号：CN118866941A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411099136.2

申请日：2024-08-12

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  池天宇 ,  高升 ,  吴艳君 ,  李萱

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种具有门型栅结构的抗单粒子GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。该器件自下而上包括缓冲层、势垒层、钝化层、源极、栅极和漏极，还包括一个门型栅结构，其中门型栅结构位于栅极下方，势垒层上方，由P‑GaN层和n掺杂AlGaN层组成。本发明通过在P‑GaN层内嵌入n掺杂AlGaN层，引入补偿电子与单粒子入射后在栅极和源极下方聚集的大量空穴进行充分复合，从而有效抑制电子由源极注入到沟道，提高了器件的单粒子烧毁电压。