一种规模化微波制备的碳化硅及其制备方法

    公开(公告)号:CN116789136A

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN202310054850.9

    申请日:2023-02-03

    Abstract: 本发明属于SiC材料技术领域,具体涉及一种规模化微波制备的碳化硅及其制备方法。制备方法包括以下步骤:以碳源和硅源为制备原料,球磨制成前驱体;将前驱体预压制成胚体,胚体埋入石英砂中,于850~950℃下微波烧结得到碳化硅。本发明提供了一种微波规模化制备水泥熟料的方法,微波烧结烧结时间短,同时在封闭的腔体内烧结,使得反应产生的气体无法排除,进一步加剧了升温现象,反应生成的碳化硅沉积在前驱体所在的区域,新形成的碳化硅颗粒吸收微波形成新的热源,使反应更加充分,提高了合成效率,可以应用于工业化大规模生产,有广阔的应用前景。

    一种硅酸三钙粉体的制备方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115092940A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210780727.0

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明属于水泥基建材料技术领域,公开一种硅酸三钙粉体的制备方法,包括以下步骤:以CaCO3粉体、SiO2粉体为制备原料,经混合处理,获得组分均匀的混合粉体;将获得的混合粉体预压制坯,获得坯料;将获得的坯料于1200~1500℃的温度下烧结处理0.5~1.5h,即获得硅酸三钙;所述烧结处理采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结。本发明采用辅助加热体协同微波处理的方式进行混合烧结制备硅酸三钙,利用微波和微波耦合外热源的共同作用可实现坯体内外的快速烧结,混合加热机制在低温下使样品更容易加热,而在高温下可保证样品稳定加热,有效的降低了硅酸三钙的合成时间与合成温度,提高了合成纯度与效率。

    一种Cu/SiO2-Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113930634B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202111108563.9

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本发明属于金属基复合材料技术领域,公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法,所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物,制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶,随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉,混合均匀后将其于800~950℃温度下进行热压烧结,即获得金属基复合材料;其中,所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01~0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相,通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角,改善界面结合状态、力学性能及电学性能;且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa;0~200℃电导率不随测试温度改变而变化,200~400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加,400~900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。

    一种人造金刚石的提纯方法

    公开(公告)号:CN108190883B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201810195584.0

    申请日:2018-03-09

    Abstract: 本发明涉及一种人造金刚石的提纯方法,属于人工合成金刚石后处理技术领域。本发明的人造金刚石的提纯方法,包括以下步骤:1)将人造金刚石粉体进行微波加热处理60~120min,得预处理的人造金刚石粉体;2)将预处理的人造金刚石粉体进行磁选处理,得到金刚石颗粒;3)将步骤2)分离出的金刚石颗粒与表面活化剂混合后进行微波处理。步骤1)中微波加热处理为多模谐振模式双频率处理。本发明的人造金刚石的提纯方法相比于传统的人造金刚石提纯方法,该方法工艺简单,操作方便,加热温度低,时间短,工作环境得到极大改善,彻底解决了现有人造金刚石提纯过程中的环境污染问题,适合大规模工业化应用,具有非常广阔的应用前景。

    一种低温玻璃相增强的SiCp/Cu复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104294071A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410011383.2

    申请日:2014-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种低温玻璃相增强的SiCp/Cu复合材料及其制备方法,属于陶瓷增强金属基复合材料制备技术领域。SiCp/Cu复合材料的Cu基体中分散有由玻璃相包裹的SiC颗粒,玻璃相成分为SiO2和K2O,其中SiO2与K2O的摩尔比为2~6,所述SiC与玻璃相中SiO2及Cu的体积比为1:(0.2~1.2):(2~4)。一方面低温玻璃相在熔融时与SiC颗粒具有较好的界面润湿性,同时在复合材料烧结过程中Cu基体颗粒表面会形成一定量的Cu2O,参与界面玻璃相的形成,因此Cu基体和玻璃相结合良好;另一方面,界面玻璃相的引入可避免多个SiC颗粒团聚时的直接面接触,同时阻止界面固相反应中反应物原子的相互扩散,从而有效抑制界面固相反应产物生成,使复合材料获得良好的综合力学性能。

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