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公开(公告)号：CN104935259B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510299059.X
申请日：2015-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明涉及一种折叠正交双平衡混频器，包括跨导级模块、开关级模块、尾电流源模块、负载电流源模块以及共模反馈模块；负载电流源模块包括晶体管M1、M2，尾电流源模块包括晶体管M11、M12，开关级模块包括晶体管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10，跨导级模块包括晶体管M13、M14、M15、M16。本发明中采用折叠的开关级模块提高端口间的隔离度；采用电流源负载模块提高混频器的增益；采用共模反馈模块为混频器各个关键节点提供稳定的工作电流、提高混频器的线性度；另外同相和正交两个混频器支路共用一组射频输入端口，实现正交混频的同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN105048996B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510304237.3
申请日：2015-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种截止频率自校正的混模低通滤波器，包括混模低通滤波器、环形振荡器以及频率调谐模块；混模低通滤波器由两级有源RC双二阶滤波器级联组成；环形振荡器包括或非门、第一、二反相器、电阻R5、R6以及可调电容阵列Ct，频率调谐模块包括第一、二频率计数器、比较器和累加器。上述技术方案中，基于混合使用滤波器响应模型的全差分四阶低通滤波器，在达到高阻带衰减度的同时获得良好带内平坦度；环形振荡器可消除振荡器亚稳态点的同时实现振荡频率可调功能；频率调谐模块对滤波器截止频率的实时监控和快速自动校正，极大的抑制工艺、电压、温度等波动对滤波器频率响应精确度的影响。
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公开(公告)号：CN107328975A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710609991.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R15/00
Abstract: 本发明公开了一种高速多通道信号采集电路，包括滤波电路和整流电路，所述滤波电路串联RC电路滤去中高频杂波，同时利用运放器稳压和比例放大后输入整流电路，整流电路利用晶闸管和三端可控硅整流输出稳定的信号；采用晶闸管D4的负极接收接收滤波电路的信号，串联电容C4，利用电容C4通交隔直的特性滤去交流信号中的直流信号，电容C4的另一端接晶闸管D5的负极和三端可控硅Q1的控制极，晶闸管D5起到保护电路的作用，三端可控硅Q1的控制极电位过高则会反相导通接地，电位过低不会使三端可控硅Q1触发导通，达到整流的效果，有效地解决了高压集成电路的输出信号的稳定和滤波且能有效的调控异常信号。
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公开(公告)号：CN107017293A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710242816.9
申请日：2017-04-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/2003 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，结构自下而上包括：半绝缘衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述AlGaN势垒层的上表面的两侧分别设有源电极和漏电极、源电极和漏电极之间且靠近源电极处设有栅电极，在栅电极的源侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅源势垒层区域，在栅电极的漏侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅漏势垒层区域。本发明的有益之处在于：(1)跨导饱和区扩展；(2)击穿电压提高；(3)频率特性改善；(4)微波输出特性增强。
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公开(公告)号：CN105870190A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610256738.3
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0603 , H01L29/0611 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/42312 , H01L29/66477
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别公开了一种具有双高栅的4H?SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法；目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有双高栅的4H?SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法。采用的技术方案为：对4H?SiC半绝缘衬底进行清洗；外延生长SiC层并原位掺杂乙硼烷形成P缓冲层；P缓冲层上外延生长SiC层并原位掺杂形成N型沟道层；N型沟道层外延生长SiC层并原位掺杂形成N+帽层；N+帽层上制作隔离区和有源区；制作源电极和漏电极；对源电极和漏电极之间的N+型帽层和沟道进行光刻、刻蚀，形成的双高栅区域；制作栅电极；制作电极压焊点，完成器件的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105137243A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510573741.3
申请日：2015-09-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S21|和噪声系数NF，(2)对待测样品持续注入一定时间，(3)测量本次注入后待测样品的|S21|和NF，(4)增大注入信号平均功率，反复进行(2)和(3)两步，直到|S21|和NF发生剧烈恶化为止；四、绘制|S21|和NF随着注入功率Pin增大而变化的双y轴坐标系曲线图，从中提取退化功率阈值和损伤功率阈值。本发明的有益之处在于：功率注入效果更好，阈值测量结果更能反映出低噪放实际工作条件下的抗功率程度；可得到退化功率阈值，满足了低噪放高可靠性和用于高灵敏度电子设备中低噪声的要求。
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公开(公告)号：CN101104925A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710018518.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/52 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开一种用于集成电路钝化层的氮化硅薄膜的低温制造方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空并设定工艺条件；将硅源气体与氮化源气体先混合后通入工艺室，利用电子回旋共振效应吸收的微波源能量对混合后的硅源气体和氮化源气体进行电离分解，并将电离分解后所产生的活性带电粒子通过永磁磁场的作用输运到衬底表面，在衬底上淀积氮化硅薄膜，该工艺条件是：工艺室的压力为0.1Pa～5Pa；微波功率为600W～2000W；淀积温度为室温～300℃范围；气体总流量为50～300sccm；硅源气体和氮化源气体的流量比为1∶6～1∶12；衬底旋转速率为60转/分钟。本发明可在300℃以下低温下高速均匀淀积6英寸的的低氢含量的氮化硅薄膜，作为集成电路钝化层或光学器件材料。
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公开(公告)号：CN1024948C
公开(公告)日：1994-06-08
申请号：CN90110381.0
申请日：1990-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及敏感技术领域，特别是一种制备酒敏薄膜的方法。该方法是用等离子增强型化学气相淀积法制备氧化铁酒敏薄膜，其关键是参加化学气相淀积反应的源物质采用了金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO5]。用此方法制备的氧化铁酒敏薄膜，在1000ppm浓度下的乙醇气体中，灵敏度可达50，而在同样浓度的城市煤气，氢气和液化石油气等杂气气氛下，其灵敏度分别仅有1.4，2.9和6，而且对于酒精的最低检测浓度可达到1ppm以下。具有灵敏度高，选择性好，响应恢复时间快等优点。
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公开(公告)号：CN114415048B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202111537608.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/392
Abstract: 本发明提供的一种太阳能电池高功率微波损伤阈值的测试方法，通过以太阳能电池板作为测试目标板，使用测试平台模拟真实环境中的高功率微波并控制高功率微波的注入功率，将其注入测试目标，测试得到每一次增加注入功率后，所述测试目标板的输出端功率以及每次注入功率、测试目标板内的温度、以及每一次增加注入功率后测试目标板的I‑V特性曲线；根据I‑V特性曲线，确定每一次增加注入功率后，测试目标板的最大输出功率；对比两次高功率微波损伤阈值功率是否相同，以确定不存在累积效应的高功率微波损伤阈值，为后续太阳能电池板的损伤鉴定提供真实环境参考，为后续研发太阳能电池板提高性能提供有效参数基准，降低太阳能电池板的损伤概率。
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公开(公告)号：CN114398851B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111445709.9
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F117/02
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真分析的前端半导体器件辐照可靠性研究方法，包括步骤：根据高电子迁移率半导体器件的参数进行几何建模，得到待测模型；对待测模型依次进行对接半导体物理场、耦合固体传热物理场、剖分网格结构，得到目标模型；根据目标模型在求解器中选定半导体物理场的接口、固体传热物理场的接口以及网格结构，并进行稳态条件和瞬态条件的设置，得到搭建好的仿真平台；根据仿真平台的仿真结果分析前端高电子迁移率半导体器件的潜在损伤区。该研究方法考虑到了不同栅极之间的相互作用以及多物理场的耦合情况，可以分析实际的多栅指芯片在受到辐照干扰条件下的工作情况，对于潜在损伤区域能够有效预测，仿真结果准确性高。
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