-
公开(公告)号：CN105870190A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610256738.3
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0603 , H01L29/0611 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/42312 , H01L29/66477
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别公开了一种具有双高栅的4H?SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法；目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有双高栅的4H?SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法。采用的技术方案为：对4H?SiC半绝缘衬底进行清洗；外延生长SiC层并原位掺杂乙硼烷形成P缓冲层；P缓冲层上外延生长SiC层并原位掺杂形成N型沟道层；N型沟道层外延生长SiC层并原位掺杂形成N+帽层；N+帽层上制作隔离区和有源区；制作源电极和漏电极；对源电极和漏电极之间的N+型帽层和沟道进行光刻、刻蚀，形成的双高栅区域；制作栅电极；制作电极压焊点，完成器件的制作。
-
公开(公告)号：CN105870190B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610256738.3
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别公开了一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法；目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法。采用的技术方案为：对4H‑SiC半绝缘衬底进行清洗；外延生长SiC层并原位掺杂乙硼烷形成P缓冲层；P缓冲层上外延生长SiC层并原位掺杂形成N型沟道层；N型沟道层外延生长SiC层并原位掺杂形成N+帽层；N+帽层上制作隔离区和有源区；制作源电极和漏电极；对源电极和漏电极之间的N+型帽层和沟道进行光刻、刻蚀，形成的双高栅区域；制作栅电极；制作电极压焊点，完成器件的制作。
-
公开(公告)号：CN105932047A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610255961.6
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极在N型沟道左侧、右侧、中间分别形成左沟道凹陷区、右沟道凹陷区、中间沟道凹陷区，所述沟道表面和栅电极之间形成左高栅区域和右高栅区域。本发明的优点体现在：漏极电流提高；击穿电压提高；频率特性改善。
-
公开(公告)号：CN105932047B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610255961.6
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极在N型沟道左侧、右侧、中间分别形成左沟道凹陷区、右沟道凹陷区、中间沟道凹陷区，所述沟道表面和栅电极之间形成左高栅区域和右高栅区域。本发明的优点体现在：漏极电流提高；击穿电压提高；频率特性改善。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789282A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610256739.8
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/49
CPC classification number: H01L29/49
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H?SiC金半场效应管；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H?SiC金半场效应管；采用的技术方案为：自下而上设置有4H?SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅区域，栅区域在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区，左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.05?0.1μm，左侧沟道的宽度为0.5μm，右侧沟道的宽度为1μm，在左侧沟道凹陷区正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域。
-
公开(公告)号：CN105789056A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610255963.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/10 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L29/1029 , H01L29/36 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种具有部分高浓度掺杂沟道4H?SiC金半场效应管的制备方法；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高浓度掺杂沟道的4H?SiC金属半导体场效应晶体管；采用的技术方案为：在4H?SiC半绝缘衬底上形成P型缓冲层；在P型缓冲层上形成N型沟道层；N型沟道层形成N+型帽层；在N+型帽层上形成隔离区和有源区；对有源区加工形成源电极和漏电极；对源电极和漏电极之间的N+型帽层进行加工，形成凹沟道区域；对凹沟道区域正下方区域进行重掺杂；对源电极和漏电极之间的凹沟道进行加工，形成栅区域；对栅区域进行加工，形成栅区域；对所形成的4H?SiC金属半导体场效应晶体管表面进行加工，形成电极压焊点，完成器件的制作。
-
公开(公告)号：CN105789282B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201610256739.8
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/49
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；采用的技术方案为：自下而上设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅区域，栅区域在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区，左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.05‑0.1μm，左侧沟道的宽度为0.5μm，右侧沟道的宽度为1μm，在左侧沟道凹陷区正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域。
-
公开(公告)号：CN105118867B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510532352.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L21/338
Abstract: 本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源级帽层一侧形成栅电极，靠近源级帽层侧的部分栅电极向下凹陷，形成凹栅结构，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P缓冲层上端面靠近漏极帽层处与凹栅漏侧之间形成凹陷栅漏缓冲层，凹陷栅漏漂移区的凹陷深度与凹陷栅漏缓冲层的凹陷深度相同。本发明具有漏极输出电流大、击穿电压高、频率特性优良的优点。
-
公开(公告)号：CN105118867A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510532352.6
申请日：2015-08-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8128 , H01L29/0684 , H01L29/1029 , H01L29/24 , H01L29/66848
Abstract: 本发明公开了一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源级帽层一侧形成栅电极，靠近源级帽层侧的部分栅电极向下凹陷，形成凹栅结构，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P缓冲层上端面靠近漏极帽层处与凹栅漏侧之间形成凹陷栅漏缓冲层，凹陷栅漏漂移区的凹陷深度与凹陷栅漏缓冲层的凹陷深度相同。本发明具有漏极输出电流大、击穿电压高、频率特性优良的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.032 seconds)
