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公开(公告)号：CN1024948C
公开(公告)日：1994-06-08
申请号：CN90110381.0
申请日：1990-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及敏感技术领域，特别是一种制备酒敏薄膜的方法。该方法是用等离子增强型化学气相淀积法制备氧化铁酒敏薄膜，其关键是参加化学气相淀积反应的源物质采用了金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO5]。用此方法制备的氧化铁酒敏薄膜，在1000ppm浓度下的乙醇气体中，灵敏度可达50，而在同样浓度的城市煤气，氢气和液化石油气等杂气气氛下，其灵敏度分别仅有1.4，2.9和6，而且对于酒精的最低检测浓度可达到1ppm以下。具有灵敏度高，选择性好，响应恢复时间快等优点。
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公开(公告)号：CN1025074C
公开(公告)日：1994-06-15
申请号：CN90110100.1
申请日：1990-12-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及一种气敏传感技术领域，特别是一种制备氧化铁烟敏薄膜的方法。该方法采用金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO)]5作为反应源物质，采用常压化学气相淀积法进行淀积，分别制备出掺杂和非掺杂氧化铁烟敏薄膜。该薄膜在烟雾I级的浓度下，灵敏度可达52，而在1000ppm的酒精、液化石油气，甲烷气体和氢气的灵敏度仅为7.4、2.7、2.7和4.0，其灵敏度高，选择性好，响应恢复时间快等特点均优于已商品化的离子敏感烟探测器和烧结型气敏元件，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1369904A
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN01106742.X
申请日：2001-02-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/365
Abstract: 本发明涉及一种在蓝宝石衬底上异质外延生长半导体碳化硅薄膜的方法。主要解决在蓝宝石衬底上直接生长碳化硅薄膜时薄膜与衬底之间粘附性差,不易核生长的缺陷。提出一种在蓝宝石衬底与SiC薄膜之间介入一层缓冲层作为过渡,以减少晶格失配的生长碳化硅薄膜的方法,即在蓝宝石衬底上先淀积一层AlN材料作为缓冲层,形成复合衬底,再在其复合衬底上外延生长SiC薄膜,形成蓝宝石－缓冲层－碳化硅三层结构,在蓝宝石AlN复合衬底上得到单结晶的6H－SiC薄膜。本发明在蓝宝石－氮化铝复合衬底上已经得到的单结晶碳化硅薄膜,具有明显优于在硅衬底上得到的薄膜质量,其应力低于在硅衬底上得到SiC应力的5倍,折射率在正常的SiC薄膜范围内之优点,是制作SiCOI CMOS器件的重要技术,且可保证器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN1055159C
公开(公告)日：2000-08-02
申请号：CN94102375.3
申请日：1994-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
Inventor： 彭军
Abstract: 本发明涉及一种氧敏复合材料的制备方法。主要解决目前制备单一氧化物半导体氧敏材料需要贵金属催化剂，且氧敏特性差的问题。提出了采用氧化钛-氧化铌两种氧化物为源物质，制备复合氧敏材料的方法，其操作步骤为：(1)将两种不同比例的粉料混合搅拌并烧成，烧成温度为1200℃-1400℃，时间为4-6hr；(2)粉碎、研磨烧成的混合料，并造粒加压成片状进行烧结，烧结温度为1200℃-1400℃，时间为4-7hr；(3)将烧结后的试料切割成条并烧付电极引线成为样品。该复合材料是制备氧敏传感器的良好材料，特别适于作汽车理论空燃比控制用的氧敏传感器。
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公开(公告)号：CN1099137A
公开(公告)日：1995-02-22
申请号：CN94102375.3
申请日：1994-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
Inventor： 彭军
Abstract: 本发明涉及一种氧敏复合材料的制备方法。主要解决目前制备单一氧化物半导体氧敏材料需要贵金属催化剂，且氧敏特性差的问题，提出了采用氧化钛-氧化铌两种氧化物为源物质，制备复合氧敏材料的方法，其操作步骤为：(1)将两种不同比例的粉料混合搅拌并烧成，烧成温度为1200℃-1400℃，时间为4-6hr；(2)粉碎、研磨烧成的混合料，并造粒加压成片状进行烧结，烧结温度为1200℃-1400℃，时间为4-7hr；(3)将烧结后的试料切割成条并烧副电极引线成为样品。该复合材料是制备氧敏传感器的良好材料，特别适于作汽车理论空燃比控制用的氧敏传感器。
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公开(公告)号：CN1062976A
公开(公告)日：1992-07-22
申请号：CN90110381.0
申请日：1990-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/414 , H01L49/00
Abstract: 本发明涉及敏感技术领域，特别是一种制备酒敏薄膜的方法。该方法是用等离子增强型化学气相淀积法制备氧化铁酒敏薄膜，其关键是参加化学气相淀积反应的源物质采用了金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO)5]。用此方法制备的氧化铁酒敏薄膜，在1000ppm浓度下的乙醇气体中，灵敏度可达50，而在同样浓度的城市煤气，氢气和液化石油气等杂气气氛下，其灵敏度分别仅有1.4，2.9和6，而且对于酒精的最低检测浓度可达到1ppm以下。具有灵敏度高，选择性好，响应恢复时间快等优点。
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公开(公告)号：CN1062790A
公开(公告)日：1992-07-15
申请号：CN90110100.1
申请日：1990-12-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/414 , H01L49/00
Abstract: 本发明涉及一种气敏传感技术领域，特别是一种制备氧化铁烟敏薄膜的方法。该方法采用金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO)]5作为反应源物质，采用常压化学气相淀积法进行淀积，分别制备出掺杂和非掺杂氧化铁烟敏薄膜。该薄膜在烟雾I级的浓度下，灵敏度可达52，而在1000ppm的酒精、液化石油气，甲烷气体和氢气的灵敏度仅为7.4、2.7、2.7和4.0，其灵敏度高，选择性好，响应恢复时间快等特点均优于已商品化的离子敏感烟探测器和烧结型气敏元件，具有广泛的应用前景。
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