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公开(公告)号：CN113609662B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110858215.7
申请日：2021-07-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于张量的半导体载流子有效质量各向异性的计算方法，包括：根据半导体材料的能带结构确定能带极值位置；构建能带极值位置的有效质量张量矩阵；计算有效质量张量矩阵，并判断其正定性；当判断有效质量张量矩阵正定时，根据能带极值位置处 的可微性，判断有效质量张量的有效性；否则，更新能带极值位置，直至得到的有效质量张量矩阵正定；根据有效质量张量的有效性选择相应的计算方式计算能带极值位置处各个方向上的有效质量，以对半导体有效质量各向异性进行分析。本发明提供的方法减小了计算量，避免了现有张量法易出现的错误，提升了半导体载流子有效质量各向异性分析结果的准确性，可适用于全方向的有效质量计算。
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公开(公告)号：CN117498853A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311567721.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/0185 , H03F1/42 , H03F1/56 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种无片外电容的LDO瞬态增强电路，包括：误差放大器EA、AB类源跟随器、功率管MP、反馈电路和瞬态增强模块。通过利用AB类源跟随器中的共源级放大器A1和CLASS‑AB类放大器A2级联形成一个两级放大器作为单位增益缓冲器，将电路的输出阻抗降低从而将次极点推到更高频率，增加系统的带宽的同时极大的节省了电路的面积。利用瞬态增强模块瞬间增大了功率管MP的栅端的充放电电流，增大了电路的摆率；并在LDO的输出端Vout增加一个额外的泄放通路。从增强电路的闭环带宽和功率管MP的栅端的驱动电流入手，在不增加功耗的前提下提高电路的瞬态响应。
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公开(公告)号：CN111245232B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010089304.5
申请日：2020-02-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种快速响应同步降压型DC‑DC转换器，包括：功率级降压环路、并联于所述功率级降压环路上的RC采样电路、电压转电流电路以及控制电路；其中，功率级降压环路，用于对转换器的输入电压进行降压，得到输出电压；RC采样电路，用于对功率级降压环路中的电感电流进行采样，得到采样电压；电压转电流电路，用于将采样电压转换为采样电流；控制电路，用于根据采样电压、采样电流以及输出电压的反馈电压，控制功率级降压环路内的开关器件周期性的打开和关断，以使功率级降压环路对转换器的输入电压进行降压。本发明实施例提供的快速响应同步降压型DC‑DC转换器具有较低的功耗。
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公开(公告)号：CN105932047B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610255961.6
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极在N型沟道左侧、右侧、中间分别形成左沟道凹陷区、右沟道凹陷区、中间沟道凹陷区，所述沟道表面和栅电极之间形成左高栅区域和右高栅区域。本发明的优点体现在：漏极电流提高；击穿电压提高；频率特性改善。
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公开(公告)号：CN107231141A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710609979.6
申请日：2017-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H11/46
Abstract: 本发明公开了一种模拟信号控制电路，包括滤波电路和整流电路，所述滤波电路串联RC电路滤去中高频杂波，同时利用运放器稳压和比例放大后输入整流电路，整流电路利用晶闸管和三端可控硅整流输出稳定的模拟信号；采用晶闸管D2和D5的负极分两路接收接收滤波电路的模拟信号，一路串联电容C2，利用电容C2通交隔直的特性滤去交流模拟信号中的直流模拟信号，其中晶闸管D3起到保护电路的作用，三端可控硅Q1的控制极电位过高则会反相导通接地，电位过低不会使三端可控硅Q1触发导通，同理并联了同样的电路由晶闸管D5、D6和电容C3以及三端可控硅Q2，达到整流的效果，有效地解决了高压集成电路的输出模拟信号的稳定和滤波且能有效的调控异常模拟信号。
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公开(公告)号：CN104935259A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510299059.X
申请日：2015-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明涉及一种折叠正交双平衡混频器，包括跨导级模块、开关级模块、尾电流源模块、负载电流源模块以及共模反馈模块；负载电流源模块包括晶体管M1、M2，尾电流源模块包括晶体管M11、M12，开关级模块包括晶体管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10，跨导级模块包括晶体管M13、M14、M15、M16。本发明中采用折叠的开关级模块提高端口间的隔离度；采用电流源负载模块提高混频器的增益；采用共模反馈模块为混频器各个关键节点提供稳定的工作电流、提高混频器的线性度；另外同相和正交两个混频器支路共用一组射频输入端口，实现正交混频的同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN102339868A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110257575.8
申请日：2011-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/338 , H01L21/265
Abstract: 一种应用于微波射频电路的带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的反型隔离层、源极帽层、漏极帽层以及源、漏、栅电极。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生长同质P型的缓冲层和同质N型的沟道层。在沟道层上生长同质P型的反型隔离层。对反型隔离层两端对应于源电极和漏电极位置的区域进行高浓度N型离子注入，形成源极帽层和漏极帽层。刻蚀掉反型隔离层对应于栅电极位置的部分，形成一个凹槽，使沟道层露出于表面。在源极帽层、漏极帽层上制作源电极和漏电极，在凹槽内的沟道层上制作栅电极。本发明的晶体管能提高微波射频电路的功率密度和增益。
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公开(公告)号：CN102290434A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110257607.4
申请日：2011-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 一种带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的栅下缓冲层、源极帽层和漏极帽层以及源、漏和栅电极；栅下缓冲层在沟道层之上形成一个凸起的平台，栅电极形成于该平台之上。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生长P型缓冲层、N型沟道层、N型栅下缓冲层；对栅下缓冲层两端对应于源电极和漏电极位置的区域进行高浓度N型离子注入，形成源极帽层和漏极帽层；刻蚀掉栅下缓冲层位于栅源之间和栅漏之间的部分；在源极帽层、漏极帽层上制作源电极和漏电极，在栅下缓冲层上制作栅电极。本发明的晶体管能提高微波功放电路与系统的功率密度和频率响应，制作工艺简单。
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