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公开(公告)号：CN119584700A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510135565.9
申请日：2025-02-07
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本方案提供了一种基于双功能自组装钝化层的氧化镓紫外探测器及其制备方法，包括自下而上设置的衬底层、氧化剂层和双功能自组装钝化层，双功能自组装钝化层的两侧设有同氧化镓层接触的金属电极，其中双功能自组装钝化层包括自下而上设置的第一钝化层和第二钝化层，其中第一钝化层的钝化材料为降低氧化镓层表面缺陷的材料，第二钝化层的钝化材料为增强紫外光子吸收率的材料，通过将不同功能的钝化材料组合形成双功能自组装钝化层，采用双功能自组装钝化层对氧化镓紫外探测器进行钝化处理，从减少氧化镓表面缺陷和增强紫外光子吸收两方面共同提升其性能。
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公开(公告)号：CN113255190A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110632551.X
申请日：2021-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第二十研究所
Abstract: 一种不规则非均匀介质体雷达散射截面的计算方法，步骤如下：建立目标介质体模型，确定目标介质体模型的介电常数空间分布；基于目标介质体的最大介电常数对目标介质体模型进行网格剖分；生成目标介质体模型的介电常数采样点，由介电常数空间分布得到介电常数采样点对应的介电常数值，提取每个剖分单元的顶点坐标，将每个剖分单元的各顶点和目标介质体模型中每个介电常数采样点进行遍历，确定每个剖分单元内的介电常数采样点，将每个剖分单元的所有介电常数采样点的介电常数值求平均，得到的平均值即为该剖分单元的介电常数值；采用矩量法计算目标介质体的雷达散射截面。本发明可以实现对任意不规则外形、复杂非均匀介质体更精确的散射特性分析。
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公开(公告)号：CN107783022B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201711027420.9
申请日：2017-10-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管热可靠性的评估方法，主要解决现有方法对器件热可靠性评估不准确的问题，其实现方案是：1)采用脉冲法测量不同温度下器件的输出特性，提取饱和漏电流随温度的变化关系作为校准曲线；2)采用直流法测量室温下器件的输出特性，并结合校准曲线提取不同功率下的器件沟道的平均温度；3)基于被测器件的各参数利用有限元软件ANSYS建立三维有限元热模型，将不同功率下的测试结果与仿真所得到的沟道平均温度进行对照，验证模型的准确性；4)利用模型仿真推导出器件结温、热分布，并计算峰值热阻，实现对器件热可靠性的评估。本发明对热可靠性的评估准确度高，操作简单，适用于多种结构的高电子迁移率晶体管。
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公开(公告)号：CN107783022A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711027420.9
申请日：2017-10-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管热可靠性的评估方法，主要解决现有方法对器件热可靠性评估不准确的问题，其实现方案是：1)采用脉冲法测量不同温度下器件的输出特性，提取饱和漏电流随温度的变化关系作为校准曲线；2)采用直流法测量室温下器件的输出特性，并结合校准曲线提取不同功率下的器件沟道的平均温度；3)基于被测器件的各参数利用有限元软件ANSYS建立三维有限元热模型，将不同功率下的测试结果与仿真所得到的沟道平均温度进行对照，验证模型的准确性；4)利用模型仿真推导出器件结温、热分布，并计算峰值热阻，实现对器件热可靠性的评估。本发明对热可靠性的评估准确度高，操作简单，适用于多种结构的高电子迁移率晶体管。
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公开(公告)号：CN104993823A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510299764.X
申请日：2015-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明涉及一种射频通信芯片中的全集成高精度晶振频率产生电路，包括射频接收电路模块、射频发射电路模块，数模/模数转换器，锁相环，数字基带以及高集成度片内双模晶振频率产生器。其中高集成度片内双模晶振频率产生器由前后依次连接的内部模式电路和外部模式电路组成，俩种模式共用输入输出端口，采用开关控制进行内部模式和外部模式输出的切换。在上述方案中，射频收发机集成了除晶体之外的其余频率产生电路，包括后级数字分频器，减少了片外器件的数量，提高了集成度。若采用外部晶振频率产生电路，接入到芯片端口以及芯片内部连线都会很长，导致振荡频率不高。本发明在芯片内部集成了晶振频率产生电路，可以有效提高振荡频率的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104935260A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510307126.8
申请日：2015-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明涉及一种高增益低噪声混频器，包括开关级模块、有源负载模块，开关级模块的共模电压输出端与用于稳定共模电压的共模反馈模块相连接，共模反馈模块的输出端与有源负载模块相连接，有源负载模块的输出端分别连接开关级模块和双电容交叉耦合的跨导级模块，开关级模块还与尾电流源模块相连接，开关级模块采用有源Gilbert双平衡结构。上述技术方案在传统的折叠结构跨导级基础上，通过采用栅极驱动和衬底驱动两种电容交叉耦合方式，有效地提高了等效跨导值，从而在不增加功耗的前提下降低了混频器的噪声系数，提高了增益。有源负载模块的使用提高了混频器的转换增益，共模反馈模块被用来稳定输出点共模电压，提高了混频器的线性度。
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公开(公告)号：CN113255190B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110632551.X
申请日：2021-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第二十研究所
Abstract: 一种不规则非均匀介质体雷达散射截面的计算方法，步骤如下：建立目标介质体模型，确定目标介质体模型的介电常数空间分布；基于目标介质体的最大介电常数对目标介质体模型进行网格剖分；生成目标介质体模型的介电常数采样点，由介电常数空间分布得到介电常数采样点对应的介电常数值，提取每个剖分单元的顶点坐标，将每个剖分单元的各顶点和目标介质体模型中每个介电常数采样点进行遍历，确定每个剖分单元内的介电常数采样点，将每个剖分单元的所有介电常数采样点的介电常数值求平均，得到的平均值即为该剖分单元的介电常数值；采用矩量法计算目标介质体的雷达散射截面。本发明可以实现对任意不规则外形、复杂非均匀介质体更精确的散射特性分析。
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公开(公告)号：CN104980235A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510299058.5
申请日：2015-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B17/20
Abstract: 本发明涉及一种全集成射频接收通道信号幅度检测电路，包括开关阵列模块、共用运算放大器组、差分放大器以及共模反馈模块，开关阵列模块的输入端与各外部输入信号相连接并接收内部数字信号调控其运行状态，开关阵列模块的输出端分别与共用运算放大器组、差分放大器、共模反馈模块相连接，共用运算放大器组、差分放大器、共模反馈模块以及开关阵列模块的输出端均分别连接输出信号端ATEST1、ATEST2。上述技术方案中采用内部数字信号控制开关阵列的开启和关闭，通过依次检测射频收发链路中模块的输出信号是否正常，达到确定此模块是否正常工作以及性能是否达到指标要求的目的，增加芯片可测性。
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公开(公告)号：CN109360856A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811018296.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法，包括步骤：选取衬底；在衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层，AlN插入层以及AlGaN势垒层；在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层；依次去除所述衬底、所述AlN成核层，并对所述GaN缓冲层进行刻蚀；在所述GaN上制作源电极和漏电极；对所述GaN进行有源区台面隔离；在所述源电极、所述漏电极和所述GaN上制作钝化层；在所述GaN上制作栅电极，得到N面GaN HEMT器件。该器件采用转移取代直接生长，克服了较为困难的生长工艺；该器件采用金刚石作为器件衬底，具有良好的导热能力。
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