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公开(公告)号：CN100523292C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710018519.2
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/30 , C23C16/54 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜，利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体，并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜，具体过程为：衬底清洗并放入工艺室；对工艺室抽真空；通入混合气体；在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜；净化工艺室。其中，在淀积氟化非晶碳膜前后，可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点，可用于集成电路互连或者某些光学器件的制造。
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公开(公告)号：CN101111122A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710018517.3
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明公开了一种用于电子回旋共振等离子体源的分布式永磁磁场装置，主要解决现有技术能耗高、体积大、均匀性差的问题。整个装置包括磁铁200，屏蔽板301、无磁模板302，该无磁模板上设有数个梯形固定孔201和一个圆形固定孔202，梯形固定孔由圆心向外在半径R1、R2、R3处分别以角度θ1、θ2、θ3等间隔分布，且θ1＞θ2＞θ3，每个磁铁嵌入无磁模板的固定孔中，与固定孔紧配合，磁铁底面与模板底面处于同一平面，通过环形相间排列形成大面积高强度永磁磁场，模板下方设有屏蔽板，该屏蔽板通过磁铁的吸力与模板固定为一体，形成磁铁、无磁模板、屏蔽板的组合整体。具有均匀性好、能耗低、体积小、正面磁场强度高，安装组合简单的优点，用于电子回旋共振等离子体源设备。
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公开(公告)号：CN100593585C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200710018516.9
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备，该设备包括微波功率源及传输系统101、微波谐振腔体102、工艺室与样品台系统103、真空系统104、气路系统105、自动传片系统106、控制系统107，其中，微波谐振腔体内设有等间隔排列的磁场装置306，样品台系统设在工艺室内部，微波谐振腔体、真空系统、自动传片系统分别与工艺室809相连，微波功率源及传输系统与微波谐振腔体相连，控制系统的主机内固化有控制软件，通过接口分别控制微波功率源及传输系统、工艺室与样品台系统、真空系统、气路系统的工作状态，完成薄膜的淀积工艺过程。本发明具有大面积均匀性好、淀积速率高、自动化程度和生产效率高、可靠性好、功耗小、稳定性和重复性好的优点。
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公开(公告)号：CN100574003C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710018521.X
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微波谐振腔体，该微波谐振腔包括：同轴波导、介质窗，其中，同轴波导(200)采用圆波导管和锥形波导管组成的一体结构，该同轴波导下方固定有法兰盘(700)，法兰盘中间开有圆形窗口，该窗口外侧开有密封槽(903)，密封槽中设有密封圈，密封圈上固定有介质窗(902)，介质窗和法兰盘内壁之间设有固定橡胶圈(901)，介质窗上设有无磁托盘(600)，该无磁托盘与同轴波导内导体(502)之间通过扼流圈(800)连接。法兰盘上外缘与同轴波导的外导体的下外缘通过螺纹连接，法兰盘下外缘与工艺室上外缘通过螺纹连接。本发明具有微波电场分布均匀、腔体加工尺寸大，拆卸维修方便的优点，可用于为电子回旋共振等离子体设备提供微波电场。
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公开(公告)号：CN101144155A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710018516.9
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备，该设备包括微波功率源及传输系统101、微波谐振腔体102、工艺室与样品台系统103、真空系统104、气路系统105、自动传片系统106、控制系统107，其中，微波谐振腔体内设有等间隔排列的磁场装置306，样品台系统设在工艺室内部，微波谐振腔体、真空系统、自动传片系统分别与工艺室809相连，微波功率源及传输系统与微波谐振腔体相连，控制系统的主机内固化有控制软件，通过接口分别控制微波功率源及传输系统、工艺室与样品台系统、真空系统、气路系统的工作状态，完成薄膜的淀积工艺过程。本发明具有大面积均匀性好、淀积速率高、自动化程度和生产效率高、可靠性好、功耗小、稳定性和重复性好的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101109077A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710018519.2
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/30 , C23C16/54 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构，其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜，利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体，并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜，具体过程为：衬底清洗并放入工艺室；对工艺室抽真空；通入混合气体；在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜；净化工艺室。其中，在淀积氟化非晶碳膜前后，可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点，可用于集成电路互连或者某些光学器件的制造。
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公开(公告)号：CN100584999C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710018520.5
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力为1.0帕～4.0帕；微波功率为1000瓦～3500瓦；衬底温度为室温～100℃；衬底转动速率为60转/每分钟。本发明在100℃以下低温下均匀淀积介电常数接近3.2的氧化硅薄膜，具有介电常数低，淀积速率高、工艺温度低、大面积均匀的优点，可用于集成电路互连介质或某些光学器件材料的制作。
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公开(公告)号：CN101127413A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710018521.X
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微波谐振腔体，该微波谐振腔包括：同轴波导、介质窗，其中，同轴波导200采用圆波导管和锥形波导管组成的一体结构，该同轴波导下方固定有法兰盘700，法兰盘中间开有圆形窗口，该窗口外侧开有密封槽903，密封槽中设有密封圈，密封圈上固定有介质窗902，介质窗和法兰盘内壁之间设有固定橡胶圈901，介质窗上设有无磁托盘600，该无磁托盘与同轴波导内导体502之间通过扼流圈800连接。法兰盘上外缘与同轴波导的外导体的下外缘通过螺纹连接，法兰盘下外缘与工艺室上外缘通过螺纹连接。本发明具有微波电场分布均匀、腔体加工尺寸大，拆卸维修方便的优点，可用于为电子回旋共振等离子体设备提供微波电场。
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公开(公告)号：CN101109078A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710018520.5
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力为1.0帕～4.0帕；微波功率为1000瓦～3500瓦；衬底温度为室温～100℃；衬底转动速率为60转/每分钟。本发明在100℃以下低温下均匀淀积介电常数接近3.2的氧化硅薄膜，具有介电常数低，淀积速率高、工艺温度低、大面积均匀的优点，可用于集成电路互连介质或某些光学器件材料的制作。
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公开(公告)号：CN101104925A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710018518.8
申请日：2007-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/52 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开一种用于集成电路钝化层的氮化硅薄膜的低温制造方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空并设定工艺条件；将硅源气体与氮化源气体先混合后通入工艺室，利用电子回旋共振效应吸收的微波源能量对混合后的硅源气体和氮化源气体进行电离分解，并将电离分解后所产生的活性带电粒子通过永磁磁场的作用输运到衬底表面，在衬底上淀积氮化硅薄膜，该工艺条件是：工艺室的压力为0.1Pa～5Pa；微波功率为600W～2000W；淀积温度为室温～300℃范围；气体总流量为50～300sccm；硅源气体和氮化源气体的流量比为1∶6～1∶12；衬底旋转速率为60转/分钟。本发明可在300℃以下低温下高速均匀淀积6英寸的的低氢含量的氮化硅薄膜，作为集成电路钝化层或光学器件材料。
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