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公开(公告)号：CN107765103B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710979669.3
申请日：2017-10-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种基于多传感器的复杂环境电磁态势反演方法，主要解决现有技术所需感知设备的数量庞大，电磁态势反演的准确度较低的问题。其技术方案是：1、确定和配置复杂电磁环境参数；2、构建传感器位置矩阵；3、构建路径损耗矩阵；4、根据传感器位置矩阵、路径损耗矩阵进行辐射源识别，获得辐射源的位置和辐射功率；5、根据识别的辐射源，电磁态势反演，获得各点的电磁态势。本发明可在少量传感器位置随机分布，辐射源位置和辐射功率随机分布的条件下，实现辐射源识别，进而实现电磁态势反演，可用于基于多传感器的复杂环境电磁态势反演。
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公开(公告)号：CN107765103A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710979669.3
申请日：2017-10-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R29/08
CPC classification number: G01R29/0892
Abstract: 本发明公开了一种基于多传感器的复杂环境电磁态势反演方法，主要解决现有技术所需感知设备的数量庞大，电磁态势反演的准确度较低的问题。其技术方案是：1、确定和配置复杂电磁环境参数；2、构建传感器位置矩阵；3、构建路径损耗矩阵；4、根据传感器位置矩阵、路径损耗矩阵进行辐射源识别，获得辐射源的位置和辐射功率；5、根据识别的辐射源，电磁态势反演，获得各点的电磁态势。本发明可在少量传感器位置随机分布，辐射源位置和辐射功率随机分布的条件下，实现辐射源识别，进而实现电磁态势反演，可用于基于多传感器的复杂环境电磁态势反演。
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公开(公告)号：CN109981136B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910215219.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B1/713 , H04B1/7136
Abstract: 本发明实施例公开了一种跳频通信信号的捕获方法、装置及计算机存储介质；该方法可以包括：对于被监测的目标带宽，按照设定的监测带宽划分为一个以上的监测频段；将各监测频段依次搬移到与所述监测带宽对应的中心频率，并对各搬移后的监测频段按照预设的判决策略进行监测，获得各搬移后的监测频段对应的符合所述判决策略的跳频频段；根据各搬移后的监测频段对应的符合所述判决策略的跳频频段生成所述目标带宽内的跳频图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109981136A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910215219.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B1/713 , H04B1/7136
Abstract: 本发明实施例公开了一种跳频通信信号的捕获方法、装置及计算机存储介质；该方法可以包括：对于被监测的目标带宽，按照设定的监测带宽划分为一个以上的监测频段；将各监测频段依次搬移到与所述监测带宽对应的中心频率，并对各搬移后的监测频段按照预设的判决策略进行监测，获得各搬移后的监测频段对应的符合所述判决策略的跳频频段；根据各搬移后的监测频段对应的符合所述判决策略的跳频频段生成所述目标带宽内的跳频图案。
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公开(公告)号：CN114398851B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111445709.9
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F117/02
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真分析的前端半导体器件辐照可靠性研究方法，包括步骤：根据高电子迁移率半导体器件的参数进行几何建模，得到待测模型；对待测模型依次进行对接半导体物理场、耦合固体传热物理场、剖分网格结构，得到目标模型；根据目标模型在求解器中选定半导体物理场的接口、固体传热物理场的接口以及网格结构，并进行稳态条件和瞬态条件的设置，得到搭建好的仿真平台；根据仿真平台的仿真结果分析前端高电子迁移率半导体器件的潜在损伤区。该研究方法考虑到了不同栅极之间的相互作用以及多物理场的耦合情况，可以分析实际的多栅指芯片在受到辐照干扰条件下的工作情况，对于潜在损伤区域能够有效预测，仿真结果准确性高。
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公开(公告)号：CN114398851A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111445709.9
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F117/02
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真分析的前端半导体器件辐照可靠性研究方法，包括步骤：根据高电子迁移率半导体器件的参数进行几何建模，得到待测模型；对待测模型依次进行对接半导体物理场、耦合固体传热物理场、剖分网格结构，得到目标模型；根据目标模型在求解器中选定半导体物理场的接口、固体传热物理场的接口以及网格结构，并进行稳态条件和瞬态条件的设置，得到搭建好的仿真平台；根据仿真平台的仿真结果分析前端高电子迁移率半导体器件的潜在损伤区。该研究方法考虑到了不同栅极之间的相互作用以及多物理场的耦合情况，可以分析实际的多栅指芯片在受到辐照干扰条件下的工作情况，对于潜在损伤区域能够有效预测，仿真结果准确性高。
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公开(公告)号：CN109802736A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910186920.X
申请日：2019-03-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B17/382
Abstract: 本发明实施例公开了一种频谱感知的方法、装置及计算机存储介质，该方法包括：在当前迭代过程中，获取当前的归一化功率谱；针对所述当前归一化功率谱按照设定的正向判决策略进行判定：相应于第一判定结果，确定当前累积的总频谱分段占用数目，并更新用于获取下次迭代的归一化功率谱的参数，进入下次迭代；相应于第二判定结果，针对所述当前归一化功率谱按照设定的反向判决策略进行判定：相应于第三判定结果，确定当前累积的总频谱分段占用数目，并更新用于获取下次迭代的归一化功率谱的参数，进入下次迭代；相应于第四判定结果，确定当前累积的总频谱分段占用数目，并基于所述当前累积的总频谱分段占用数目确定未被占用的频谱分段。
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公开(公告)号：CN109495198A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201910075068.9
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B17/382
Abstract: 本发明公开了一种基于残差相关矩阵检测的欠采样频谱感知方法，解决了现有技术必须依赖于不易感知的先验信息的问题。其方案是：对输入信号采样；得到测量矩阵A和残差矩阵V；初始化信号恢复参数；计算与当前残差矩阵最相关的列索引值Iτ；得到中间残差矩阵 得到修正残差矩阵Vτ；得到检测统计量 计算判决门限 对比检测统计量 与判决门限 得到信号支撑集。本发明将欠采样频谱感知转化为二元判决，通过残差检测控制迭代，判决门限不受噪声影响，在无先验知识，极低信噪比和较低的虚警概率下仍能获得优异检测性能，增加采样次数可显着提高检测性能。实用，漏检、虚警概率低，复杂度低，感知性能受噪声功率影响较小，感知性能比较稳定。
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