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公开(公告)号：CN114266212B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111329377.8
申请日：2021-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明提供的一种半导体器件可靠性测试方法及装置，通过提供一整套理论、仿真、实验三位一体的器件纳米级分析其具体的毁伤机理的方法，根据该方法可以分析高电子迁移率晶体管、互补金属氧化物半导体、双极结型晶体管等的损伤机制，为后期的器件结构优化及可靠性加固提供指导作用，从底层上了解芯片的毁伤机理，为后期的同等规模级别芯片产品优化和鲁棒性的提高起到明显改善的作用。
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公开(公告)号：CN114266212A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111329377.8
申请日：2021-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明提供的一种半导体器件可靠性测试方法及装置，通过提供一整套理论、仿真、实验三位一体的器件纳米级分析其具体的毁伤机理的方法，根据该方法可以分析高电子迁移率晶体管、互补金属氧化物半导体、双极结型晶体管等的损伤机制，为后期的器件结构优化及可靠性加固提供指导作用，从底层上了解芯片的毁伤机理，为后期的同等规模级别芯片产品优化和鲁棒性的提高起到明显改善的作用。
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公开(公告)号：CN113985953A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111172489.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种具有过温保护与软启动特性的非带隙基准源，包括：基准模块，用于产生基准电压信号和过温采样信号；逻辑控制模块，连接基准模块，用于根据基准电压信号和过温采样信号产生控制信号；过温保护与软启动模块，连接和逻辑模块，用于根据控制信号产生软启动信号和过温保护信号，以对整个电路系统的工作状态进行调整。本发明提供的电路不仅同时具备过温保护与软启动功能，且避免了另外设计基准切换电路，大大提升了系统工作的线性度，提高了输出基准的PSRR特性。
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公开(公告)号：CN114398851B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111445709.9
申请日：2021-11-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F117/02
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真分析的前端半导体器件辐照可靠性研究方法，包括步骤：根据高电子迁移率半导体器件的参数进行几何建模，得到待测模型；对待测模型依次进行对接半导体物理场、耦合固体传热物理场、剖分网格结构，得到目标模型；根据目标模型在求解器中选定半导体物理场的接口、固体传热物理场的接口以及网格结构，并进行稳态条件和瞬态条件的设置，得到搭建好的仿真平台；根据仿真平台的仿真结果分析前端高电子迁移率半导体器件的潜在损伤区。该研究方法考虑到了不同栅极之间的相互作用以及多物理场的耦合情况，可以分析实际的多栅指芯片在受到辐照干扰条件下的工作情况，对于潜在损伤区域能够有效预测，仿真结果准确性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114815954A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210417802.7
申请日：2022-04-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种预稳压的零电流损耗单管栅控电路，包括：后端电路和与所述后端电路电连接的一个MOSFET器件；所述MOSFET器件的阈值电压为零限值；采用所述MOSFET器件的栅电压控制进行预稳压为所述后端电路提供预稳压电位。本发明仅仅使用一个阈值电压为零限值的MOSFET器件或者耗尽型的MOSFET器件就可以实现预稳压，分别使用正栅电压控制与背栅电压控制实现预稳压，预稳压部分不引入额外的电流支路，其上所消耗电流为系统本身固有电流损耗，没有额外的电流损耗，且大幅度提升基准电压的PSRR特性，实现良好的预稳压效果；单个器件实现电路最小化，最小化芯片面积；不涉及稳定性问题，设计更加简单，应用范围较广，可以应用在高压预稳压集成电路设计等领域。
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公开(公告)号：CN113721695B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110961965.7
申请日：2021-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种双模式低压差线性稳压器及其电路和电子产品。双模式低压差线性稳压器包括：低压差线性稳压主模块、基准电压模块和基准调节模块；所述基准调节模块的输出端与所述低压差线性稳压主模块的第二输入端连接；所述基准电压模块，用于对电源电压进行处理，输出第一基准电压；所述基准调节模块，用于对所述电源电压和所述第一基准电压进行处理，输出第二基准电压；所述低压差线性稳压主模块，用于基于所述第一基准电压、所述第二基准电压和所述输入端输入的输入电压，在所述第一输出端和地端之间输出第一电压，在所述第二输出端和所述输入端之间输出第二电压。可以根据实际应用场景切换为不同的工作模式，得到稳定的输出电压。
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公开(公告)号：CN115101663A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210662604.7
申请日：2022-06-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋半金属电极的磁隧道结，包括二维铁磁绝缘材料层以及间隔覆盖在二维铁磁绝缘材料上的第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料层，其中，第一二维自旋半金属材料层和第二二维自旋半金属材料分别与二维铁磁绝缘材料层通过范德瓦尔斯相互作用形成范德瓦尔斯异质结，第一二维自旋半金属材料层作为入射电极，第二二维自旋半金属材料层作为出射电极；异质结中能够发生层间电荷转移，使二维铁磁绝缘材料层与第一二维自旋半金属材料层或第二二维自旋半金属材料层接触的区域由绝缘态转变为自旋半金属态。该磁隧道结电极的自旋半金属性完全由异质结中的层间电荷转移诱导，电极和势垒层之间不存晶格失配和缺陷。
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公开(公告)号：CN113938004A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111016637.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种新型倍压反转器，包括：振荡器模块，用于产生周期性方波信号；电荷泵模块，连接振荡器模块，用于产生时钟信号，并利用时钟信号对周期性方波信号进行处理，得到携带高压与负电压的方波信号；整幅模块，连接电荷泵模块，用于对携带高压与负电压的方波信号进行整幅，得到稳定的倍压反转输出信号。本发明提供的倍压反转器大大降低了系统功耗，简化了电路结构，减小了芯片面积，同时提升了转换效率。
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公开(公告)号：CN113760029A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111016641.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于全MOS基准源的新型低压差线性稳压器，包括基准模块、放大模块、功率模块、保护模块、瞬态响应模块及反馈模块，其中，基准模块包括参考电压产生电路，参考电压产生电路包括N型耗尽管NDEP1、NDEP2，N型增强管N3，电阻R1、R2以及电容C1；NDEP1管的漏极接电源电压端VDD，其栅极与源极共同连接NDEP2管的漏极；NDEP2管的栅极与源极相连并共同连接N3管的栅极，且通过电阻R1连接N3管的漏极；N3管的源极与衬底均接地，N3管的漏极作为采样端VT连接保护模块；NDEP2管的栅极与源极的公共端还与电阻R2、电容C1串接，电容C1的另一端接地；电阻R2和电容C1的公共端作为参考电压端VREF连接放大模块。本发明提供的稳压器减小了芯片面积，提升了电路性能。
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