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公开(公告)号：CN116599532A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310564952.5
申请日：2023-05-18
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种高速采样器电路、一种高速采样器及采样方法，该抗辐射加固高速采样器电路，包括PMOS管M1，PMOS管M2，PMOS管M3，PMOS管M6，PMOS管M11，PMOS管M9，NMOS管M4，NMOS管M7，NMOS管M5，NMOS管M8，NMOS管M10，电流源Is1以及电流源Is2；该高速采样器电路设计有两个等效的电流源Is，用来补偿粒子辐照引起的节点Vout1和Vout2的扰动，电流源Is的设置增大了电路结构的抗单粒子翻转的临界电荷，增加了该结构在采样过程中的抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN116567441A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310179255.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置，包括多级依次连接的拼接块，每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路，斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路；拼接块中均排列设置有多级电路组，每级电路组中包括两根信号电路；拼接块中的首级电路组接入对应的斜坡生成补偿电路组，仅其余级电路组与下一级拼接块的多级电路组依次连接，且首级拼接块之后的所有拼接块的多级电路组接入信号的数量逐级递减；本申请每一级拼接块为可复用版图，通过可复用版图将光刻版数目降低为一套，有效解决了超大面阵图像传感器采用多套光刻版的高成本问题，以及不同拼接块之间的工艺差异问题，同时，斜坡生成补偿电路能够大幅优化成像质量。
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公开(公告)号：CN110190833B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910592633.9
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/013 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的自检测自恢复同步复位D触发器，D触发器的时钟信号输入电路分别与时钟信号输入端C、自检测自恢复同步复位主锁存器和自检测自恢复同步复位从锁存器连接，能够产生一个与时钟信号输入端C逻辑状态相反和相同的输出信号CN、CP；SEU监测电路分别与自检测自恢复同步复位主锁存器及自检测自恢复同步复位从锁存器连接；自检测自恢复同步复位主锁存器分别与数据信号输入端D、复位信号输入端RN及自检测自恢复同步复位从锁存器连接；自检测自恢复同步复位从锁存器与输出电路连接；输出电路与第一输出端Q及第二输出端QN连接。本发明触发器状态可控能力强，抗单粒子翻转能力强，工作方式灵活。
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公开(公告)号：CN115694471A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211339506.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构，包括转换信号输入管；电平钳位管的栅端接收电平VREF，电平钳位管的源端分别连接反馈管的源端、反向N管的栅端、反向P管的栅端；电平钳位管的漏端连接转换信号输入管的源端；转换信号输入管的漏端接地；转换信号输入管的栅端接IP；反馈管的漏端与上拉管的源端相接，上拉管的栅端接IP，上拉管的漏端接电源VDD；反向P管的源端接电源VDD，反向P管的漏端连接反向N管的源端，反向N管的漏端接地；电平VREF由电平VREF钳位匹配电压产生电路产生。保证转换信号输入管(低阈值管)的源漏电压不超过1.2V，确保该器件工作在正常的电压区间，避免击穿风险。
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公开(公告)号：CN115050768A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210737686.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114979522A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN113885641A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111250905.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于带隙基准源的高低温补偿电路，高温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第一输出端连接，输出端通过高温补偿支路开关与PTAT补偿电流源连接；低温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第二输出端连接，输出端通过低温补偿支路开关与CTAT补偿电流源连接；电流求和电路的第一输入端与高温补偿支路开关连接，电流求和电路的第二输入端与低温补偿支路开关连接，PTAT电流镜像电路的第二输出端和CTAT电流镜像电路的第三输出端均与电流求和电路的第三输入端连接，本发明能够大幅提高带隙基准源在全温度范围内的输出精度。
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公开(公告)号：CN111351589B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010158583.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法，温度传感器包括温度转电压模块以及单积分型ADC模块；温度转电压模块包括比例电流生成电路，比例电流生成电路将电流源转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极‑发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，单积分型ADC模块将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。本发明温度传感器的控制方法通过采用两次采样两次转换的方法，在不增加电路复杂程度的前提下提高了片上温度传感器的精度。
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公开(公告)号：CN111294531B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010171737.5
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高帧频CMOS图像传感器及其实现方法，属于CMOS图像传感器的帧频提升领域。本发明的高帧频CMOS图像传感器及其实现方法，时钟发生器通过时钟延迟单元产生多路异步时钟信号，异步时钟信号具有均匀的相位差，上升沿计数器和下降沿计数器根据异步时钟信号进行触发计数，而上升沿计数器和上下降沿计数器分别在时钟信号的上升沿和下降沿触发并计数，实现分辨率指数级提升，在同样分辨率下，实现帧频指数级提升。
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公开(公告)号：CN112019779A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010858423.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明为一种超大阵列图像传感器的校准型面阵驱动电路及方法，包括行驱动电路A、行驱动电路B和驱动校准电路；所述行驱动电路A和行驱动电路B的版图结构相同，分别连接像元面阵，对像元面阵产生驱动信号；所述驱动校准电路的输入端连接产生图像传感器控制信号的状态机的输出端，驱动校准电路的输出端分别连接行驱动电路A和行驱动电路B的输入端；所述驱动校准电路将状态机输入的控制信号分为两路，一路控制信号通过延时校准后输出至行驱动电路A，另一路控制信号直接输出至行驱动电路B。本发明实现了对像元阵列的可靠控制，支持芯片的拼接复用，具有设计结构简单、可移植性强，可靠性高的优点。
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