公开(公告)号：CN111351589B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202010158583.6

申请日：2020-03-09

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 袁昕 ,  李婷 ,  曹天骄 ,  陈贵宝 ,  吴龙胜

IPC: G01K7/01

Abstract: 本发明公开了一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法，温度传感器包括温度转电压模块以及单积分型ADC模块；温度转电压模块包括比例电流生成电路，比例电流生成电路将电流源转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极‑发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，单积分型ADC模块将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。本发明温度传感器的控制方法通过采用两次采样两次转换的方法，在不增加电路复杂程度的前提下提高了片上温度传感器的精度。

公开(公告)号：CN111351589A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN202010158583.6

申请日：2020-03-09

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 袁昕 ,  李婷 ,  曹天骄 ,  陈贵宝 ,  吴龙胜

IPC: G01K7/01

Abstract: 本发明公开了一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法，温度传感器包括温度转电压模块以及单积分型ADC模块；温度转电压模块包括比例电流生成电路，比例电流生成电路将电流源转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极-发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，单积分型ADC模块将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。本发明温度传感器的控制方法通过采用两次采样两次转换的方法，在不增加电路复杂程度的前提下提高了片上温度传感器的精度。