一种具有阳极槽的低功耗横向功率器件

    公开(公告)号:CN114823863A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210450409.8

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种具有阳极槽的低功耗功率LIGBT器件。相对于传统阳极短路结构,本发明在阳极端引入阳极槽结构,包括阳极槽内的介质、包围介质的U形P掺杂区、位于阳极槽远离漂移区一侧且与U形P掺杂区接触的N型掺杂区,U形P掺杂区的一端与阳极相连,另一端与N型掺杂区的表面共同引出端为浮空的复合电极。在正向导通时,上述U形P掺杂区增大了空穴注入面积,增强了电导调制效应,有效降低了导通电压;在低阳极电压下,U形P掺杂区与N型掺杂区之间相互耗尽,增大阳极分布电阻,有效抑制了snapback现象;在关断过程中,正向电压增加使N型掺杂区的耗尽区变窄,提供了一条电子抽取通道且通过复合电极进行消除,从而减少了关断损耗。

    一种新型场板技术
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116759447A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310962822.7

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 发明属于半导体功率器件领域,涉及横向耐压结构,具体提供了一种新型场板技术,应用于硅基、碳化硅基、氮化镓基或者氧化镓基的横向半导体功率器件或者纵向半导体功率器件的结边缘终端。本发明通过弧形嵌入式源极场板来吸引耗尽区中正电荷发出的电力线,从而缓解栅极或者主结处的电场集中效应。相对包含传统矩形嵌入式源极场板和传统栅极场板在内的传统场板技术,本发明中场板末端的弧形形态更加优化了场板末端的电场分布,取得优于传统技术的电场调制效果以及抑制栅漏电容效果。同时,通过一道版图和一次腐蚀工艺,可在本发明弧形嵌入式源极场板的末端同时设置多个深度及间距可变的弧形嵌入式浮空场板,进一步优化器件的表面电场分布。

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