-
公开(公告)号：CN114823863A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210450409.8
申请日：2022-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种具有阳极槽的低功耗功率LIGBT器件。相对于传统阳极短路结构，本发明在阳极端引入阳极槽结构，包括阳极槽内的介质、包围介质的U形P掺杂区、位于阳极槽远离漂移区一侧且与U形P掺杂区接触的N型掺杂区，U形P掺杂区的一端与阳极相连，另一端与N型掺杂区的表面共同引出端为浮空的复合电极。在正向导通时，上述U形P掺杂区增大了空穴注入面积，增强了电导调制效应，有效降低了导通电压；在低阳极电压下，U形P掺杂区与N型掺杂区之间相互耗尽，增大阳极分布电阻，有效抑制了snapback现象；在关断过程中，正向电压增加使N型掺杂区的耗尽区变窄，提供了一条电子抽取通道且通过复合电极进行消除，从而减少了关断损耗。
-
公开(公告)号：CN114823863B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210450409.8
申请日：2022-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/08 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种具有阳极槽的低功耗功率LIGBT器件。相对于传统阳极短路结构，本发明在阳极端引入阳极槽结构，包括阳极槽内的介质、包围介质的U形P掺杂区、位于阳极槽远离漂移区一侧且与U形P掺杂区接触的N型掺杂区，U形P掺杂区的一端与阳极相连，另一端与N型掺杂区的表面共同引出端为浮空的复合电极。在正向导通时，上述U形P掺杂区增大了空穴注入面积，增强了电导调制效应，有效降低了导通电压；在低阳极电压下，U形P掺杂区与N型掺杂区之间相互耗尽，增大阳极分布电阻，有效抑制了snapback现象；在关断过程中，正向电压增加使N型掺杂区的耗尽区变窄，提供了一条电子抽取通道且通过复合电极进行消除，从而减少了关断损耗。
-
公开(公告)号：CN113555424B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110829052.X
申请日：2021-07-21
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启，可加速漂移区内存储的电子抽取，有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时，阳极自适应MOS开启，提供泄漏电流释放路径，防止寄生PNP晶体管触发，改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT，本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。
-
公开(公告)号：CN113555424A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110829052.X
申请日：2021-07-21
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以缓解N+阳极区对器件空穴注入效率的影响。器件关断过程中，随着阳极电压逐步上升，多段分布的P‑body区与N+阳极区形成的多沟道自适应地开启，可加速漂移区内存储的电子抽取，有利于加快器件关断速度并降低关断损耗。器件正向阻断时，阳极自适应MOS开启，提供泄漏电流释放路径，防止寄生PNP晶体管触发，改善器件耐压特性。相比于传统SOI LIGBT，本发明进一步优化了器件关断损耗与正向导通压降之间的折中关系。
-
公开(公告)号：CN113707716B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111015593.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性NMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端NMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，随集电极电压上升，集电极NMOS沟道自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下器件的表面电场得到优化，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113990923B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111219760.8
申请日：2021-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的碳化硅双槽MOSFET。本发明的主要特征在于：第一：集成了沟道二极管，当器件处于续流工作模式时，沟道二极管导通实现续流功能，通过降低反向导通压降来有效抑制体二极管的导通，同时消除双极退化带来的影响；第二：通过源沟槽下方的P型区域调制电场，降低栅沟槽底部二氧化硅拐角处的电场尖峰，提高器件在阻断工作模式下的击穿电压和可靠性。
-
公开(公告)号：CN112909082B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110175351.6
申请日：2021-02-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高压低阻功率LDMOS。本发明主要特征在于：具有源端凸出的场板结构和漏极内侧集成二极管，有利缩短漂移区长度且不额外增加器件面积。正向导通时，集成二极管反向偏置，场板结构和N型漂移区构成等效MIS电容，在栅结构与场板结构下方的漂移区表面产生连续的电子积累层，形成积累型输运模式，大幅降低器件比导通电阻；反向阻断时，集成二极管正向偏置，场板结构承受表面耐压，辅助耗尽漂移区以提高漂移区掺杂浓度而降低比导通电阻，并调制横向电场分布以提高器件耐压。相对传统LDMOS，本发明实现高耐压的同时具有更低的比导通电阻。
-
公开(公告)号：CN113066862B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110317574.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/12
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，降低器件导通压降，增加器件饱和电流；关断过程中，集成MOS自适应辅助耗尽漂移区且提供额外的空穴抽取通道，有效降低关断损耗；短路状态下，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管截止，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的导通压降、更低的关断损耗、更高的饱和电流以及更长的短路耐受时间。
-
公开(公告)号：CN113707716A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111015593.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性NMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端NMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，随集电极电压上升，集电极NMOS沟道自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下器件的表面电场得到优化，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
-
公开(公告)号：CN113066862A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110317574.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/12
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成3个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，降低器件导通压降，增加器件饱和电流；关断过程中，集成MOS自适应辅助耗尽漂移区且提供额外的空穴抽取通道，有效降低关断损耗；短路状态下，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管截止，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的导通压降、更低的关断损耗、更高的饱和电流以及更长的短路耐受时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.062 seconds)
