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公开(公告)号：CN107749420B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107342321B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710768209.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极‑LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
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公开(公告)号：CN108336133A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810131088.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明提供的SiC IGBT器件包括自下而上依次层叠设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、栅极结构、层间介质层和发射极金属，其中，漂移区的两端分别存在凹槽，两个凹槽相互独立并在其间形成一个高于凹槽底部平面的平台，本发明在凹槽底部顶层和平台顶层上集成了平面型和槽栅型IGBT，相比传统平面型IGBT增加了水平沟槽和垂直沟槽的数量，进而增强了正向电导调制效应，提升了器件正向导通能力；并且有利于屏蔽凹槽底部的电场集聚效应，提高了器件制造的可行性。此外，本发明提供的制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容，无需增加额外的工艺步骤，节约了器件制造成本。
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公开(公告)号：CN106952809A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710202896.5
申请日：2017-03-30
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L21/316 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/26506 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法，包括以下步骤：以SOI为衬底，形成N型线性变掺杂厚SOI层与薄硅层漂移区、形成薄硅层区即厚介质层、形成Pwell区；形成Nwell区、形成栅氧化层、形成多晶硅栅电极、形成N条、形成P条、进行第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区以及第二N型重掺杂区的注入，形成欧姆接触，引出电极第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极与漏极接触电极；该制造方法与传统工艺兼容性好，具有普适性，制造出的器件能够有效地减小器件面积、降低器件成本；利用本发明所述的方法制备的SOI低阻横向高压器件，可实现BV＝950V，Ron，sp＝153Ω·cm2。
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公开(公告)号：CN106847885A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710110370.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L29/42304 , H01L29/7394
Abstract: 本发明提供一种低关断损耗槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、N型源端、P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道右侧是栅氧层，栅氧层右边是多晶硅，多晶硅位于P型阱区右侧、N‑buffer层的左侧；本发明拥有双栅结构，在相同条件下有更大的电流能力，N型载流子存储层的引入减少了空穴直接向P型阱区的注入，使载流子分布更均匀，有利于关断时的载流子复合减少关断时间，同时槽介质二氧化硅使得N型漂移区的有效空间减少，也同时阻挡了右侧的载流子的注入，形成载流子积累层；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107797096A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710986530.1
申请日：2017-10-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
CPC classification number: G01S5/22 , G08G1/0116
Abstract: 本发明算法涉及一种基于麦克风面阵的鸣笛检测定位方法，可以有效、快速地对违章鸣笛声进行方位角定位。本发明首先基于麦克风面阵接收鸣笛信号，然后通过硬件系统对接收信号进行采样。本发明算法主要针对硬件采样后的数据进行分析，同时，考虑到实际情况下硬件可能不支持高采样率，算法中增加了重采样部分，可用来提高采样率以减小定位误差。算法中首先估计出每个麦克风阵元与参考点之间的到达时间差，对每个阵元接收信号进行相应的时移，然后对时间对齐后的信号进行加权，将结果加在一起形成一个输出。接着对波束形成后的数据进行傅里叶变换，遍历声源可能的位置来引导傅里叶变换后的波束，找出输出最大的点，从而计算出鸣笛声来波的方位角。
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公开(公告)号：CN107703482A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710986504.9
申请日：2017-10-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
CPC classification number: G01S5/02 , H04W64/006
Abstract: 本发明涉及无线定位技术，具体为一种将闭式解与迭代算法相结合的AOA定位方法。本发明基于AOA基本定位算法首先采用一步加权最小二乘估计法求得对目标位置估计的闭式解，然后将其作为迭代算法的初始值进行迭代运算，进一步精确估计目标位置，最后对迭代结果进行判断，若发散，则闭式解即为目标估计最终解，若不发散，则迭代结果为最终解。本方法能获得较好的定位精度。
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公开(公告)号：CN107342321A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710768209.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0821
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有可控集电极槽的SOI LIGBT。本发明相对与传统结构，主要在集电极端引入可控集电极槽结构和集电极端引入多个槽栅结构。正向导通时，槽集电极相对于集电极的偏置电压为负值，集电极槽侧壁形成高浓度的P型反型层以增加空穴注入，而分段式槽栅结构起到空穴抽取的阻挡层；因此，漂移区内空穴/电子浓度提高，有利获得更低的正向导通压降；同时，由于N+集电区位于P+集电区上表面，未与N型漂移区接触，因此新器件没有电压折回效应。本发明的有益效果为，相对于传统短路阳极-LIGBT结构，本发明具有更快的关断速度和更低的正向导通压降，而且没有电压折回效应。
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公开(公告)号：CN107482058B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201710873013.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用两个槽栅和一个平面栅结构，且在两个槽栅之间、平面栅下方引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度下仍可维持高耐压。本发明的有益效果为，相对于传统LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降、更快的关断速度和更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN107369892B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710778208.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种用于全金属外壳的多频终端天线，属于天线技术领域。本发明天线包括装设在系统电路板背面的金属外壳，设置在系统电路板正面的馈电网络和缝隙；所述金属外壳位于系统电路板背面且其上分别开设有双端开口型缝隙和单端开口型缝隙，馈电网络中与馈电端口相匹配的馈电分支分别横跨上述两个缝隙，激励缝隙形成多个频点谐振。本发明进一步藉由U型折叠金属片加载于双端开口型缝隙的改良，形成有别于现有二维缝隙天线的三维结构用以覆盖更多频段；本发明在实现多频带和宽频带的同时也解决了天线与大面积的金属外壳共存致使天线性能受损的难题，提高了终端设备的强度、质感和美感。
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