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公开(公告)号：CN116247102A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310317766.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种改善输出电容的功率MOSFET器件，包括漏极金属、重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第二导电类型半导体外延层、轻掺杂第一导电类型半导体埋层、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片、栅极介质层、栅多晶硅电极、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体漂移区、重掺杂第一导电类型半导体源区、重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区、绝缘介质层、源极金属；本发明所提供的一种改善输出电容的功率MOSFET器件结构通过在半导体体区下方引入埋层结构辅助耗尽外延层使得漏源之间PN结的耗尽区进一步展宽，进而减小漏源之间的结电容，从而改善器件输出电容。
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公开(公告)号：CN107016861A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710396432.2
申请日：2017-05-31
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习和智能路灯的交通信号灯智能调控系统，属于智能公共交通领域，本系统包括在交通道路路口设置路边单元和智能交通信号灯，其中路边单元包括图像采集模块、车辆检测模块、拥堵判定模块和通信模块；图像采集模块实时采集各个路口方向的道路交通图像并发送给车辆检测模块，获取每个路口方向的车流量，由同时拥堵判定模块结合车流量给出各路口方向的拥堵等级并通过通信模块传输至智能交通信号灯；由智能交通信号灯基于拥堵等级实时调整通行时间并显示。本发明实时检测道路交通状况，针对不同的路段可灵活设定不同的拥堵级别阙值，从而自动判断拥堵情况并对路口各个方向的通信时间进行调整，使交通信号灯更加灵活且智能。
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公开(公告)号：CN119006565A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411013575.7
申请日：2024-07-26
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种基于3D视觉全形貌点云信息的电弧增材制造熔覆道特征点识别及成形尺寸检测方法，包括以下步骤：使用高精度3D扫描仪对各层熔覆道进行全方位扫描，并对点云数据进行滤波、三维曲面重建、点云细化、特征拟合对齐等预处理，得到有效点云数据；对有效点云进行降维处理，使用DW‑GCT法双向逼近搜索第1层熔覆道焊趾特征点；采用异构区域适应性插值法搜索边缘回凸和非边缘回凸区域并得到保留表面小特征的熔覆道插值轮廓，结合层交点动态定位法双向搜索相邻层间不完全融合区的咬边点。本发明提出的方法可以有效地解决现有技术存在的无熔覆道侧面点云信息、景深误差和断点误差问题，并提供了一种利用熔覆道全形貌三维点云轮廓信息来提取顶层熔覆道尺寸数据的方法。
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公开(公告)号：CN116435364A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310308490.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子辐射加固的屏蔽栅VDMOS，包括：漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体阱区，第二导电类型多晶硅区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，重掺杂第一导电类型半导体源区，屏蔽栅多晶硅电极，栅多晶硅电极，屏蔽栅介质层，隔离介质层，栅极介质层，栅源间介质层，源极金属。本发明提出了一种带第二导电类型多晶硅区的屏蔽栅VDMOS结构，该器件在经受单粒子辐照效应后，第二导电类型多晶硅体区可以加速辐照产生的空穴载流子抽取，提高器件的抗单粒子烧毁和抗单粒子栅穿能力。
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公开(公告)号：CN110081887A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910329271.4
申请日：2019-04-23
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于定位的技术领域，具体涉及一种室内外无缝切换的定位方法，包括如下步骤：初始化定位系统，接收卫星定位信号，通过室外地图进行定位；按照预设周期采集若干个基站发送的定位信息，然后对所述定位信息进行解算；判断所述定位信息是否成功解算出室内的定位坐标，若是，则切换到室内地图进行定位，否则，继续采集若干个所述基站发送的所述定位信息。本发明能够结合基站定位和卫星定位，提高定位的准确性和速度，还能实现室内地图和室外地图无缝切换，有助于提高室内外地图切换的稳定性。此外，本发明还公开了一种室内外无缝切换的定位终端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107742267A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710795096.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
CPC classification number: G06Q50/26 , G06F17/30386 , H04L67/12
Abstract: 本发明涉及一种物联网综合信息服务平台，包括数据终端处理器、云储存系统、用户数据处理器、企业数据处理器、用户服务器、用户数据备份服务器和客户信息采集终端，所述客户信息采集终端是由接收模块、查询模块、服务模块和发送模块依次连接而成，所述数据终端处理器分别连接用户数据处理器、企业数据处理器和云储存系统，所述用户数据处理器、企业数据处理器连接所述用户服务器，所述用户服务器连接用户数据备份服务器与客户信息采集终端，所述用户数据备份服务器连接云储存系统。本发明通过客户信息采集终端便可查询所需的服务信息，且可快速有效的处理客户与企业的数据，做到数据及时的反馈和处理，服务器稳定，有效的保障客户信息安全。
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公开(公告)号：CN116417519A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310317792.4
申请日：2023-03-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种功率MOSFET器件及制备方法，包括漏极金属，重掺杂第一导电类型半导体衬底，轻掺杂第二导电类型半导体外延层，第一导电类型半导体垂直沉片，栅极介质层，栅多晶硅电极，第二导电类型半导体体区，第一导电类型半导体漂移区，重掺杂第一导电类型半导体源区，重掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区，第一绝缘介质层，源极金属，沟槽结构，第二绝缘介质层，重掺杂第一导电类型多晶硅。本发明具有垂直沉片结构，可以将电流路径由横向变为纵向，且由漂移区和垂直沉片构成的横纵向耐压结构有效地提高了器件的耐压特性。此外，该结构还具有较小的栅极寄生效应和较大的电流能力。
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公开(公告)号：CN110099352B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910239764.9
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明属于UWB定位技术领域，具体涉及一种UWB定位系统在二维和三维定位场景所需定位基站的智能切换方法，包括如下步骤：S1、按照定位节点接收角度，分别赋予不同定位基站接收信号角度θi,j(i=1,2,3…N,j=1,2,3…M)，其中N为该定位基站所在层数，M为该基站编号；S2、初始设置为二维定位场景，根据θi,j值的正负情况来判断该定位标签位于第几层基站之间。用定位标签与定位基站接收信号角度的正负值变化来智能切换所需定位基站，减少了定位标签与当前定位无关的基站链接，优化了基站的使用率，从而降低了整个定位系统的平均功耗。
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公开(公告)号：CN109194594A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810988949.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
CPC classification number: H04L25/0224 , H04L25/0212 , H04L25/022 , H04L25/03012 , H04L25/03159 , H04L25/03821
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，涉及一种基于连续载波聚合的相位噪声抑制方法。本发明设计了一种利用信道稀疏特性抑制相位噪声的方法。该发明首先对接收信号做频域变换，然后从中提取导频的接收信号，初步估计信道冲激响应，接着利用信道冲激响应(CIR)的稀疏特性设计一种时域滤波器，对其做进一步估计，然后通过FFT运算得到信道频域响应进而估计出传输数据。本发明联合信道估计和CPE校正得到的信道冲激响应解决了CPE不能从CIR分离出来的问题，并且在不具有信道先验信息的情况下对由相位噪声引起的两种失真——共同相位误差(CPE)和载波间干扰(ICI)同时进行了抑制，弥补了传统方法在CPE和ICI抑制方面的不足。
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公开(公告)号：CN108008755A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711226737.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 一种内嵌基准的低压差线性稳压器，属于模拟集成电路技术领域。本发明利用NPN晶体管的基极-发射极电压作为负温度系数电压，电阻电压作为正温度系数电压，采用带隙基准的方法实现温度补偿；在低压差线性稳压器的反馈环路中使用NPN晶体管和电阻构成带隙基准，同时构建误差放大通道，使得本发明提供的低压差线性稳压器能实现低温度系数的电源变换功能。本发明提出的低压差线性稳压器具有基准电压源的功能，能够集成到芯片内部供电，保持较低的静态电流；与现有低压差线性稳压器相比，本发明使用更少数量的晶体管实现了电源的变换，并保持了较低的功耗。
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