公开(公告)号：CN112670339A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201910984806.1

申请日：2019-10-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制造方法；氮化镓功率器件包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本发明的氮化镓功率器件及其制造方法采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112234030A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201910635287.8

申请日：2019-07-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。

公开(公告)号：CN111952282A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910405081.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  曾丹 ,  史波 ,  陈兆同 ,  刘勇强

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/06 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8252

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；形成于衬底一侧的缓冲层、沟道层、势垒层、第一漏极电极、第一栅极电极、第一源极电极、第一漏极金属引线区、第一栅极金属引线区和第一源极金属引线区；形成于衬底另一侧的第一介质层和位于第一介质层内的第二漏极电极、第二栅极电极、第二源极电极、第二漏极金属引线区、第二栅极金属引线区和第二源极金属引线区；第一源极金属引线区与第二漏极金属引线区通过贯穿于衬底的第一过孔电连接；第一栅极金属引线区与第二源极金属引线区通过贯穿于衬底的第二过孔电连接。本申请公开的晶体管缩短了互联线的长度，降低了寄生效应，也减小了芯片面积，降低了成本。

公开(公告)号：CN111834439A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910323441.8

申请日：2019-04-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  陈兆同 ,  何昌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。

公开(公告)号：CN111504477A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010374872.X

申请日：2020-05-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  林苡任 ,  马颖江

IPC: G01J5/12

Abstract: 本发明公开了一种红外温度传感器及其制造方法、温度检测设备，红外温度传感器包括：衬底、位于所述衬底一侧上的红外温度传感单元，其用于采集被测对象的温度信号；位于所述衬底的背离所述红外温度传感单元的另一侧上的信号处理单元，其与所述红外温度传感单元信号连接，用于对所述温度信号进行处理，以得到所述被测对象的温度信息。本发明实现了自身采集温度信号，并对温度信号进行计算、校正和转换等处理后得到温度信息，避免了后期应用时需适配专用的外部信号处理器，提高了红外温度传感器的实用性，同时减小了后期应用红外温度传感器多的温度检测设备的体积。

公开(公告)号：CN113437132B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202010206337.3

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  马颖江

IPC: H10D62/10 ,  H10D8/01 ,  H10D8/50 ,  H10D8/60

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率二极管及其制备方法，该碳化硅功率二极管包括衬底、漂移层和第一欧姆金属层，漂移层形成于衬底一侧的表面，漂移层远离衬底的表面具有有源区，有源区包括间隔的多个第一P+注入区和间隔的多个第二P+注入区，各第一P+注入区的结深大于各第二P+注入区的结深，且漂移层上各第一P+注入区背离衬底的一侧均为豁口结构；第一欧姆金属层与第一P+注入区一一对应，各第一欧姆金属层位于对应的豁口结构中，并与对应的第一P+注入区欧姆接触。该碳化硅功率二极管及其制备方法能够提高碳化硅结势垒肖特基二极管的抗浪涌电流能力。

公开(公告)号：CN114242762B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202010940924.5

申请日：2020-09-09

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/832 ,  H10D8/60 ,  H10D8/01

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。

公开(公告)号：CN114122150B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202010864533.X

申请日：2020-08-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  林苡任 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/328

Abstract: 涉及碳化硅二极管的制备技术领域，本申请公开一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用。制备方法包括步骤：在衬底上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上刻蚀形成多个第一窗口以及多个第二窗口，第一窗口位于有源区，第二窗口位于终端区，第二窗口宽度大于第一窗口宽度；第一离子注入，对应第一窗口以及第二窗口处分别形成第一P+区以及第二P+区；第一掩膜层受热变形后形成第二掩膜层，第二掩膜层能够封闭多个第一窗口。与现有技术相比，本申请中第一掩膜层受热形变后形成第二掩膜层，在形成第二掩膜层的同时封闭第一窗口而第二窗口未完全封闭，进而减少刻蚀或掩膜的沉积等工艺步骤，工艺简单、节约制造成本。

公开(公告)号：CN114242762A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202010940924.5

申请日：2020-09-09

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。

公开(公告)号：CN113937168A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202010668498.4

申请日：2020-07-13

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  林苡任 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法。碳化硅结势垒肖特基半导体器件包括层叠设置的衬底和外延层，所述外延层上表面设置有源区和位于所述有源区周围的终端区，所述有源区包括若干间隔设置的结势垒区，其中，沿所述有源区的中部至边缘的方向，所述结势垒区的间距逐渐增加。有源区中心的电流密度比有源区边缘区域的电流密度稍低，使得碳化硅结势垒肖特基半导体器件在正向工作时的热分布更均匀，以此达到优化器件热分布的目的，避免热量局部积累导致碳化硅器件性能的退化或可靠性问题。