公开(公告)号：CN111448726B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201880078841.0

申请日：2018-11-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  泷口优 ,  杉山贵浩

IPC: H01S5/183

Abstract: 本实施方式涉及具备能够将±1次光中的一方的功率相对于另一方的功率降低的构造的发光装置等。该发光装置具备基板、发光部、包含基本层以及多个不同折射率区域的相位调制层。多个不同折射率区域的各个具有由面对基板的第一面、相对于第一面而位于基板的相反侧的第二面、以及侧面规定的立体形状。在该立体形状中，第一面、第二面以及侧面中的至少任一者包含相对于主面倾斜的部分。

公开(公告)号：CN115668670A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180038606.2

申请日：2021-05-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  泷口优 ,  伊藤昭生 ,  枝村忠孝 ,  山中孝彦 ,  原滋郎

IPC: H01S5/183 ,  G02F1/01 ,  G02B5/20 ,  H01S5/20

Abstract: 一个实施方式的光学器件包括能够输出可见区域这样的短波长区域的光的结构。该光学器件包括UC层、第1光限制层、第2光限制层和共振模式形成层。UC层包含接收第1波长区域的激发光并输出比第1波长区域短的第2波长区域的光的上转换材料。第1光限制层具有将第2波长区域的光的至少一部分反射的光反射特性。第2光限制层具有将第2波长区域的光的一部分反射并使剩余部分透过的光反射特性，并且以UC层位于第1及第2光限制层之间的方式配置。共振模式层设置于UC层与第1光限制层之间、或UC层与第2光限制层之间，包括基本层和多个不同折射率区域，且形成第2波长区域的光的共振模式。

公开(公告)号：CN115004491A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009816.9

申请日：2021-01-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  上野山聪

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/11 ,  H01S5/22 ,  H01S5/42 ,  G02B5/18 ,  G02B5/30 ,  H01S5/026 ,  H01S5/18

Abstract: 本发明的一个实施方式涉及能够动态地控制光的相位分布的光源模块。该光源模块包括半导体层叠部。半导体层叠部包括由活性层和产生Γ点振荡的光子晶体层构成的层叠体，具有沿作为光子晶体层的共振方向之一的Y方向排列的相位同步部和强度调制部。构成强度调制部的一部分的层叠体具有沿X方向排列的M个(M为2以上的整数)像素。M个像素分别包含N1个(N1为2以上的整数)子像素。由N1个子像素中连续的N2个(N2为2以上N1以下的整数)子像素构成的区域的沿X方向定义的长度小于活性层的发光波长。该光源模块从包含于强度调制部的M个像素分别沿与X方向和Y方向的双方交叉的方向输出激光。

公开(公告)号：CN113631994A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080025809.3

申请日：2020-03-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 上野山聪 ,  黑坂刚孝 ,  广瀬和义

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/29

Abstract: 本实施方式涉及具备能够解决各种技术问题的新的器件结构的可变相位器件。该可变相位器件具备排列成一维或二维并且各自进行发光或光调制的M(M为2以上的整数)个像素。M个像素的排列周期低于入射光的波长并且沿着规定方向为恒定。M个像素各自包含分别具有将射出光的相位设为可变的结构的N(N为2以上的整数)个子像素。在M个像素的各个中，从N个子像素输出的N条部分光束在远场被合成为具有单一相位的光。

公开(公告)号：CN109565152B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201780049076.5

申请日：2017-08-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗

IPC: H01S5/183

Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的发光装置。该发光装置包括半导体发光元件和光遮蔽部件。半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和分别个别地配置于特定位置的多个不同折射率区域。光遮蔽部件具有如下功能：使沿倾斜方向输出的特定的光像通过，而遮蔽沿发光面的法线方向输出的0次光。

公开(公告)号：CN109565152A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049076.5

申请日：2017-08-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗

IPC: H01S5/183

Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的发光装置。该发光装置包括半导体发光元件和光遮蔽部件。半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和分别个别地配置于特定位置的多个不同折射率区域。光遮蔽部件具有如下功能：使沿倾斜方向输出的特定的光像通过，而遮蔽沿发光面的法线方向输出的0次光。

公开(公告)号：CN105960744B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201480074880.5

申请日：2014-11-10

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 渡边明佳 ,  黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩 ,  野田进

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/022 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/0683 ,  H01S5/022 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18 ,  H01S5/187

Abstract: 本发明涉及半导体激光模块，具备能够射出主光束和副光束的面发光激光元件、能够检测副光束的光强度的监测用光检测元件，面发光激光元件是PCSEL，主光束和副光束被射出至面发光激光元件的上方，仅以预先确定的角度互相倾斜，相对于面发光激光元件的驱动电流值的主光束的峰值光强度以及副光束的峰值光强度的各个的变动互相相关。因此，如果使用表示副光束的峰值光强度的监测用光检测元件的输出的话，则能够推定主光束的峰值光强度。

公开(公告)号：CN105191028B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480013107.8

申请日：2014-03-07

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 渡边明佳 ,  广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  杉山贵浩 ,  野田进

IPC: H01S5/18 ,  G02F1/37 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01S5/0092 ,  G02F1/3544 ,  G02F1/3551 ,  G02F1/3558 ,  G02F1/37 ,  G02F2001/3548 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02446 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18 ,  H01S5/187

Abstract: 在激光装置中，光子晶体层的不同折射率区域(6B)被配置于正方格子的格子点位置，各个不同折射率区域(6B)的平面形状为大致等腰直角三角形的情况下，构成其直角的2边沿着正方格子的纵以及横格子线，平行或者垂直于该三角形的斜边的方向与非线性光学晶体(NL)的周期极化反转结构中的极化的方向一致。

公开(公告)号：CN103988379B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280060429.9

申请日：2012-12-05

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 野田进 ,  黑坂刚孝 ,  渡边明佳 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩

IPC: H01S5/50

CPC classification number: H01S5/105 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06243 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/323 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/4056

Abstract: 对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分，在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下，相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成，这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定，另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。

公开(公告)号：CN103038959A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037546.9

申请日：2011-06-21

Applicant: 浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 广瀬和义 ,  古田慎一 ,  渡边明佳 ,  杉山贵浩 ,  柴田公督 ,  黑坂刚孝 ,  野田进

IPC: H01S5/18 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0083 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3432 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备：光子晶体层（6），周期性地将多个孔（H）形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层（6A）内，并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层（6B）在孔（H）内生长；活性层（4），对光子晶体层（6）提供光；基本层（6A）的主表面为（001）面，孔（H）的侧面具有至少不同的3个{100}面。