公开(公告)号：CN102282489B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201080004849.6

申请日：2010-06-11

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·贝法 ,  C·斯塔盖瑞斯库

IPC: G02B6/10

CPC classification number: H01S5/18 ,  G02B6/4214 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种表面反射光子器件包括：衬底；以及该衬底上的波导结构。该波导结构包括沿着其纵轴的有源区，且该有源区用于生成光。波导结构还具有在其中形成的沟槽，沟槽相对于有源区处于横向上并界定在有源区的一末端处形成倾斜端面的第一壁，第一壁具有相对于波导结构的纵轴处于不平行角度的法线。该沟槽还界定与第一壁相对而放置的第二壁。

公开(公告)号：CN103875140A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049967.8

申请日：2012-09-21

Applicant: 恩耐激光技术有限公司

Inventor： M·坎斯卡尔

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/20 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/1014 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/166

Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括耦合到喇叭形功率放大器的单模半导体激光器，设备包括内部或外部光学元件，其通过相位匹配来增强设备的喇叭形部的弯曲波前。通过借助相位匹配增强弯曲波前，即使在高输出功率下，设备也不易受到热和增益-折射率耦合扰动，从而导致较高的束质量。示例性的相位匹配光学元件包括集成到喇叭形放大器部的光栅；腔内外置二元光学元件；和腔内外置圆柱形弯曲光学元件。

公开(公告)号：CN102782968A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080065276.8

申请日：2010-08-19

Applicant: 奥兰若技术有限公司

Inventor： S.莫尔迪克 ,  E.齐比克 ,  H.U.普菲菲尔 ,  B.斯维尔德洛夫

IPC: H01S5/14 ,  H01S5/10 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/147 ,  G02B6/262 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4203 ,  H01S5/028 ,  H01S5/065 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1085 ,  H01S2301/02

Abstract: 具有通过使用成角度的变形光纤透镜（28）光耦合到光纤（14）的半导体增益元件（12）并且包括波长选择前反射器（26）的激光器设备。激光器设备具有提高的输出特性，如高线性度激光发射输出，即使当放大部分产生大量增益也是如此。这样的激光源也可以被用于不同的应用中，如用于光纤放大器或倍频系统的泵浦激光器。半导体增益元件（12）具有弯曲波导，以腔内面（18）和倾斜光纤透镜顶端（30）基本平行，以防止外腔LD波长和强度不稳定。

公开(公告)号：CN101356699B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200680050533.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·贝法 ,  M·R·格林 ,  A·T·谢里默尔

IPC: H01S3/00

CPC classification number: H01S5/0262 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4246 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/153 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4056 ,  Y02E10/544

Abstract: 在单个芯片的相应外延层上集成的激光器和检测器与芯片上的和/或外部的光学器件协作从而将激光器所发射的第一波长的光耦合到单个外部器件(比如光纤)并且同时将从外部器件接收到的不同波长的光耦合到检测器，如此提供了双向光子操作。多个激光器和检测器可以被集成在芯片上从而提供多个双向通道。在激光器一端附近的检测器外延中，制造了监控光检测器。

公开(公告)号：CN101479897B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200780023908.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 安立股份有限公司

Inventor： 森浩 ,  中山贵司 ,  山田敦史

IPC: H01S5/026 ,  H01L33/00 ,  H01S5/14 ,  H01S5/227

CPC classification number: H01S5/141 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其具备可变任意波长的能力，包括：半导体基板(11)、在所述半导体基板(11)上以条状形成，且放出光及进行波导的活性层(12)、在所述活性层(12)的侧面形成的埋入层(13a，13b)、在所述活性层(12)及所述埋入层(13a，13b)的上方形成的包层(16)、在所述包层(16)上方形成的第一电极(17a)和在所述半导体基板(11)的下方形成的第二电极(17b)，所述活性层(12)相对通过劈开形成的两个端面的一端面(14a)的法线以规定的角度进行开口，对所述活性层(12)的光的波导方向的规定长度部分进行加热的局部加热装置(15)形成在所述第一电极(17a)的上方且在自所述一端面(14a)热独立的位置。

公开(公告)号：CN101636886A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880002530.2

申请日：2008-01-17

Applicant: 埃皮晶体有限公司

Inventor： J·康蒂南 ,  P·图米斯托 ,  T·朱蒂

IPC: H01S3/113 ,  H01S3/109 ,  G02F1/37 ,  G03B21/12

CPC classification number: H01S5/026 ,  G02F1/3501 ,  G02F1/37 ,  G02F2001/3503 ,  G03B21/2013 ,  G03B21/204 ,  G03B21/208 ,  H01S3/109 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/0604 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/065 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/42 ,  H04N9/3161

Abstract: 一种发光装置(400)包括具有电泵浦增益区域(20)的波导(24)、可饱和吸收器(40)、非线性晶体(140)、倾斜的镜(M1)和聚光结构(120)。从增益区域(20)发射的光脉冲(B1)被倾斜的镜(M1)反射并且被聚光结构(120)聚焦到非线性晶体(140)内以便生成经频率变换的光脉冲(B2)。增益区域(20)、可饱和吸收器(40)、聚光结构(120)和倾斜的镜(M1)在共用基片(10)上或共用基片(10)中实现。所产生的结构是稳定且紧凑的，并且允许对所生产的发射器(E1a、E1b、E1c)进行晶片上测试。折叠的结构允许容易地进行非线性晶体(140)的校直。

公开(公告)号：CN101507062A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031381.8

申请日：2007-07-18

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·贝法

IPC: H01S3/04

CPC classification number: H01S5/0201 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种加工能够发射蓝光的激光器的工艺过程，其中，在CAIBE中使用500℃以上的温度和高于500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导和镜面，其中，所述激光器波导具有向内倾斜的侧壁。

公开(公告)号：CN101496238A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780022437.3

申请日：2007-06-06

Applicant: 维塔利·休金 ,  尼古拉·列坚佐夫

Inventor： 维塔利·休金 ,  尼古拉·列坚佐夫

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/14 ,  H01L33/00 ,  H01S5/125

CPC classification number: H01S5/2027 ,  H01S3/0815 ,  H01S3/109 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/14 ,  H01S5/3211

Abstract: 一种发光器件以宽光谱范围和相对于与出光表面垂直的方向倾斜的宽范围角度从表面发射光。一种用于产生波长稳定的光的装置由发光器件、外腔以及至少一个外反射镜构成。由发光器件以特定预选角度发射的光通过外腔传播，碰撞到外反射镜上并被反射回。反射光与发射光经历干涉。此干涉可以是建设性的或破坏性的。建设性的干涉导致正反馈。在有源区的发光光谱里的一个或几个所选波长处达到正反馈条件。然后该装置产生波长稳定的光。一种装置可作为波长稳定的发光二极管、波长稳定的超辐射发光二极管、或波长稳定的激光器、或用于频率转换的装置工作。

公开(公告)号：CN100508310C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200480033348.5

申请日：2004-11-09

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 沃尔夫冈·施密德 ,  彼得·布里克 ,  斯特凡·吕特根 ,  托尼·阿尔布雷希特 ,  弗朗茨·埃伯哈德

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/04

CPC classification number: H01S5/183 ,  H01H13/705 ,  H01H13/86 ,  H01H2209/07 ,  H01H2223/008 ,  H01H2223/034 ,  H01H2239/032 ,  H01H2239/034 ,  H01H2239/038 ,  H01S3/094084 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

Abstract: 本发明涉及一种光泵浦半导体激光器设备，其具有一个表面发射的垂直发射区(1)和至少一个用于光泵浦垂直发射区(1)的单片式集成泵浦辐射源(2)。该半导体激光器设备的特征在于，泵浦辐射以具有不同辐射方向的部分辐射束的形式入射到垂直发射区(1)中，以便该泵浦辐射具有一个与垂直发射区(1)的基模的重叠，该重叠适合于基模的激发。本发明的根据是，当泵浦辐射的空间强度分布与基模的截面相匹配时，优先激发垂直发射区域(1)的基模。

公开(公告)号：CN101189768A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019622.2

申请日：2006-06-01

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·A·彼法 ,  A·T·舒瑞莫

IPC: H01S5/00 ,  H01S3/04

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/166

Abstract: 一种经蚀刻的刻面单横向模式半导体光子器件，它是通过在经蚀刻的刻面上沉积防反射涂层并以空间上受控制的方式沉积反射率修改涂层以修改所发射的光束的空间性能而制造的。