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公开(公告)号：CN112136077B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201980031940.8
申请日：2019-05-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G02F1/01
Abstract: 一实施方式所涉及的反射型动态超颖表面具备用于在至少构成一维排列的多个像素的各个中能够进行相位调制的结构。该超颖表面具备具有透明导电层及电介质层的层叠结构体；设置于层叠结构体的一方的面上的第1金属膜、设置于层叠结构体的另一方的面上的第2金属膜、及控制向第1及第2金属膜间施加的电压的驱动电路。第1及第2金属膜以夹着构成一维排列的多个像素的方式配置。第1金属膜以在1个像素中露出一对窗区域的方式配置，第2金属膜包含规定像素各自的形状并且相互分离的多个部分金属膜。驱动电路通过个别地控制部分金属膜各自的电位，而在每个像素调制所输入的光的相位。
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公开(公告)号：CN115388809A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211213682.5
申请日：2021-02-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 三维测量装置(101)具备：一个或多个光源部(102)，其对被测量物(SA)照射具有规定图案的测量光(105)；一个或多个摄像部(103)，其对被照射了测量光(105)的被测量物(SA)进行摄像；测量部(104)，其基于摄像部(103)的摄像结果测量被测量物(SA)的三维形状，光源部(102)由M点振荡的S－iPMSEL(1)构成。
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公开(公告)号：CN114868074A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080089846.0
申请日：2020-12-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G02F1/01 , H01S5/02315 , H01S5/18
Abstract: 本公开涉及具备可动态地控制光的相位分布并且像素的排列周期更小且适于高速动作的结构的空间光调制器等。该空间光调制器具备基板。基板具有：表面；背面；和多个贯通孔，其配置为一维状或二维状并且将表面与背面之间贯通。空间光调制器还具备：分别覆盖多个贯通孔的内壁的多个层叠结构。各层叠结构包括：设置在内壁上的第一导电层；电介质层，其设置在第一导电层上并且具有光透过性；和第二导电层，其设置在电介质层上并且具有光透过性。第一和第二导电层中的至少一个，对每一个由一个或一个以上贯通孔构成的组，电气分离。
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公开(公告)号：CN111247705B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201880067956.X
申请日：2018-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明提供一种能够形成有用的光束图案的半导体发光元件。该半导体激光元件(LD)具备活性层(4)、夹持活性层(4)的一对包层(2、7)、以及与活性层(4)光学耦合的相位调制层(6)。相位调制层(6)具备基本层(6A)、以及与基本层(6A)的折射率不同的多个差异折射率区域(6B)，通过使相位调制层(6)中的差异折射率区域(6B)为期望的配置，可以出射包含有不伴随0次光的暗线的激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113196598A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083301.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式所涉及的发光元件抑制光输出效率的降低并且输出清晰的光学图像。该发光元件具备基板、发光部、将基板与发光部接合的接合层。发光部具有被第一电极和第二电极夹持的半导体叠层，半导体叠层包含相位调制层。相位调制层具有基本层和多个差异折射率区域，并且包括与第二电极一致或包含整体的大小的第一区域和该第一区域以外的第二区域。位于第二区域内的各差异折射率区域的重心按照特定的排列条件配置于基准面上。从半导体叠层的表面输出的光为单一光束，关于从基板至半导体叠层的表面的第一距离和从基板至半导体叠层的背面的第二距离，沿着基板上的特定方向变动的第一距离的变动量比第二距离的变动量小。
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公开(公告)号：CN112335145A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040825.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一个实施方式所涉及的发光元件具备用于提高形成共振模式的层的光限制系数的结构。该发光元件具备第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层。第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层主要包含氮化物半导体。高折射率层具有比第一包覆层、活性层、第二包覆层和共振模式形成层的任一者的折射率高的折射率，并且具备具有彼此不同的折射率的二个以上的层重复层叠而成的超晶格结构。
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公开(公告)号：CN112272906A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201980038069.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式涉及主要包含氮化物半导体且具备形成共振模式的层的面发光型的发光元件。该发光元件提高形成共振模式的层的光限制系数，具备活性层、相位调制层和1个或其以上的高折射率层，还具备夹着活性层、相位调制层和高折射率层的第一包覆层和第二包覆层。相位调制层包含基本层和多个不同折射率区域。多个不同折射率区域的重心在假想的正方晶格的各晶格点中，配置在通过该晶格点且相对于正方晶格倾斜的直线上。各不同折射率区域的重心与晶格点的距离根据光像个别地设定。
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公开(公告)号：CN111448725A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880078807.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式涉及一种分别关联的不同折射率区域的重心位置与晶格点的位置关系与现有的发光装置不同的发光装置及其制造方法。在该发光装置中，在基板上设置有包含发光部和与该发光部光学耦合的相位调制层的层叠体。相位调制层包含基本层和设置于该基本层内的多个不同折射率区域。各不同折射率区域的重心位置配置于通过设定于基本层的设计面上的假想的正方晶格的晶格点中的对应的基准晶格点的假想直线上。另外，基准晶格点与不同折射率区域的重心的沿该假想直线的距离以从该发光装置输出形成光学图像的光的方式对多个不同折射率区域的各个个别地设定。
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公开(公告)号：CN110383610A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016044.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式涉及具有能够分别生成所期望的光束投影图案的光的多个发光部的单一的半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件在共用基板层上形成活性层和相位调制层，至少相位调制层包含沿共用基板层配置的多个相位调制区域，多个相位调制区域通过在相位调制层的制造后在该相位调制层内的多个部位分离而获得，由此获得具备与现有技术相比经过简单的制造工序而正确地定位的多个发光部的半导体发光元件。
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