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公开(公告)号：CN112272906B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201980038069.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式涉及主要包含氮化物半导体且具备形成共振模式的层的面发光型的发光元件。该发光元件提高形成共振模式的层的光限制系数，具备活性层、相位调制层和1个或其以上的高折射率层，还具备夹着活性层、相位调制层和高折射率层的第一包覆层和第二包覆层。相位调制层包含基本层和多个不同折射率区域。多个不同折射率区域的重心在假想的正方晶格的各晶格点中，配置在通过该晶格点且相对于正方晶格倾斜的直线上。各不同折射率区域的重心与晶格点的距离根据光像个别地设定。
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公开(公告)号：CN112335145A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980040825.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一个实施方式所涉及的发光元件具备用于提高形成共振模式的层的光限制系数的结构。该发光元件具备第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层。第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层主要包含氮化物半导体。高折射率层具有比第一包覆层、活性层、第二包覆层和共振模式形成层的任一者的折射率高的折射率，并且具备具有彼此不同的折射率的二个以上的层重复层叠而成的超晶格结构。
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公开(公告)号：CN112272906A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201980038069.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式涉及主要包含氮化物半导体且具备形成共振模式的层的面发光型的发光元件。该发光元件提高形成共振模式的层的光限制系数，具备活性层、相位调制层和1个或其以上的高折射率层，还具备夹着活性层、相位调制层和高折射率层的第一包覆层和第二包覆层。相位调制层包含基本层和多个不同折射率区域。多个不同折射率区域的重心在假想的正方晶格的各晶格点中，配置在通过该晶格点且相对于正方晶格倾斜的直线上。各不同折射率区域的重心与晶格点的距离根据光像个别地设定。
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公开(公告)号：CN112335145B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980040825.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一个实施方式所涉及的发光元件具备用于提高形成共振模式的层的光限制系数的结构。该发光元件具备第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层。第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层主要包含氮化物半导体。高折射率层具有比第一包覆层、活性层、第二包覆层和共振模式形成层的任一者的折射率高的折射率，并且具备具有彼此不同的折射率的二个以上的层重复层叠而成的超晶格结构。
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