-
公开(公告)号：CN100491074C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610014304.9
申请日：2006-06-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09G1/04
Abstract: 本发明涉及一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，根据硅单晶衬底材料的化学性质，选用碱性介质，采用SiO2水溶胶作为磨料，用pH调节剂乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)调整上述溶液，使pH值在9-13.5范围内；并加入FA/O等表面活性剂来制备抛光液。该方法采用不同抛光工艺条件下的粗抛、精抛两步抛光法进行抛光；用粗抛液在流量100-200ml/min，温度30-40℃，转速40-120rpm，压力0.10-0.20MPa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光10-20min。用精抛液在流量800-1000ml/min，温度20-30℃，转速30-60rpm，压力0.05-0.10MPa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光4-7min。实现硅单晶衬底材料表面的低粗糙度，以满足工业上对硅单晶衬底片CMP精密加工的要求。
-
公开(公告)号：CN1304288C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410019069.5
申请日：2004-07-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/148
Abstract: 本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zeta电位绝对值监控粒子生长，确定Zeta电位绝对值为28-30mv为生长临界电位，确定Zeta电位绝对值为50-70mv为成品长期稳定可靠电位。通过活性硅酸溶液浓度、反应液pH值、反应液浓度和加热温度调整控制并保持相应工艺阶段的Zeta电位绝对值，使制备粒径为100-130nm的大粒径硅溶胶成为可能，且分散度很小。使用本方法制备的大粒径硅溶胶制得的浆料能够满足超大规模集成电路多层布线应用CMP技术研磨抛光的需要。具有设备成本低、制备周期时间短，能耗低的突出优点。
-
公开(公告)号：CN119243160A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411218205.7
申请日：2024-09-02
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种新型碱性铜CMP抛光液及其制备方法，涉及抛光液技术领域，包括磨料、pH调节剂、络合剂、氧化剂、复合抑制剂、润滑剂和去离子水，所述磨料为SiO2，所述pH调节剂为氢氧化钾溶液，所述复合抑制剂包括十二烷基苯磺酸和2‑氨基苯并咪唑，所述润滑剂包括多壁碳纳米管；本发明抛光液能有效调控去除速率并大幅提升表面质量；本申请中抛光液添加了MWCNTs作为润滑剂，有效减少了磨料对铜表面的划伤；本申请抛光液为碱性抛光液，对设备与操作人员友好；本申请抛光液使用的抑制剂DBSA与2‑ABI无毒无害、易溶于水，能在铜表面附着一层致密的钝化膜，有效的阻止了抛光液对铜表面的腐蚀。
-
公开(公告)号：CN119242179A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411175197.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种绿色环保高效蓝宝石抛光液，涉及抛光液技术领域，包括磨料、pH调节剂、表面活性剂和去离子水，磨料为胶体SiO2，pH调节剂为精氨酸溶液，表面活性剂为十二烷基硫酸铵，其余成分为去离子水；本发明抛光液绿色环保、成分中不含金属离子，有机碱精氨酸不仅能作为碱性pH调节剂，还可以发挥络合剂的作用，本发明设置的阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵不仅能够提升蓝宝石抛后的表面质量，还能够有效提升抛光液的稳定性，防止磨料团聚，使抛光液能够长时间保存，本发明设置的抛光液对C、A、R三种晶面的蓝宝石都有很好的CMP效果，材料去除速率和表面质量都得到了很大的提升。
-
公开(公告)号：CN118248856A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410370634.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层MoB MBene与1T‑MoS2复合的水系锌离子电池的正极材料制备方法。该制备方法包括：将MoB MBene进行超声处理得到单层MoB MBene，再将它与MoO3、尿素和硫代乙酰胺混合置于高压釜中在200℃下反应12h，然后无水乙醇和蒸馏水洗涤，冷冻干燥即得。为进一步提高性能，将材料在低温下加入苯胺、盐酸和过硫酸铵，反应12h，可在材料上包覆一层聚苯胺，其作用是增强材料结构的稳定性。本发明以单层MoB MBene为骨架，在外原位生长1T‑MoS2，使得制备的电极材料有着优异的电子导电性和良好的结构稳定性，包覆的聚苯胺进一步保证材料在充放电时的循环稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110484386A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863085.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的0.3％-2％；阴离子表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％-1.5％；清洗剂的pH值为9-10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
-
公开(公告)号：CN106244028B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610577468.6
申请日：2016-07-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，具体涉及一种碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用，所述的碱性抛光液以多羟基多氨基化合物作为螯合剂以及pH调节剂；所述的多羟基多氨基化合物在所述的碱性抛光液中的质量百分比为0.1％‑2％，所述的碱性抛光液的pH值为9‑10.5；所述的多羟基多氨基化合物为羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺、三乙醇胺的一种或者几种进行混合。本发明采用在碱性抛光液中添加特殊的含有羟基及氨基的化合物作为螯合剂，该螯合剂使铜在抛光液中的电位降低，并在钽表面形成一层钝化层，使钽在抛光液中的电位较小程度的降低，从而达到降低两者之间电位差的目的，同时腐蚀电流降低，腐蚀速率得到控制。
-
公开(公告)号：CN103091278A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210308393.3
申请日：2012-08-28
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸硅单晶片表面有机物沾污的红外镜反射检测方法。本发明使用傅立叶变换红外光谱仪对300mm大尺寸硅单晶片进行表面检测，将经碱性抛光液处理后的300mm大尺寸硅单晶片作为样品放入镜反射附件样品台，对样品进行红外扫描，得到镜反射红外光谱图，与表面洁净的硅单晶片红外反射图谱进行对比，根据图谱峰出现的位置，在波数为3400cm-1-2800cm-1和1700cm-1-1460cm-1位置处出现强吸收，表明硅单晶片表面含有抛光液残留。本发明方法在整个检测过程中不需要对样品进行任何处理，对样品不会造成任何损坏，是一种先进的无损检测方法。
-
公开(公告)号：CN101908503A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010232256.7
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/768 , B08B1/02 , B08B3/08
CPC classification number: B08B3/12 , H01L21/02074 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及一种超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法，步骤如下：制备水抛液，非离子表面活性剂0.1-5、阻蚀剂0.1-7、螯合剂0.1-0.6、余量为去离子水；用三乙醇胺调节其pH值等于7-8；使用水抛液进行水抛，流量500ml/min-5000ml/min，时间0.5-1分钟；使用超声波清洗机，在去离子水中对抛光后的Cu布线晶圆超声清洗。有益效果：活性剂分子在Cu表面和颗粒表面形成致密的保护层，不仅能有效地去除多层Cu布线化学机械抛光后表面沾污颗粒，而且防止Cu布线表面非均化腐蚀或进一步被氧化和腐蚀，可有效降低金属离子的污染，以及表面颗粒难以去除的化学吸附与键和的表面状态，使之转化为易于清洗的物理吸附。清洗效果明显优于使用单一的非离子表面活性剂的清洗效果。
-
公开(公告)号：CN100452305C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610014303.4
申请日：2006-06-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/30
Abstract: 本发明涉及一种提高硅单晶衬底片表面完美性的工艺控制方法，其实施步骤是：(1)在硅片抛光清洗后对其表面进行氧化处理，即在硅片抛光清洗后将硅片浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成3-5nm的氧化层，将硅片表面封闭，有效保护防沾污；(2)对划片区进行重掺杂，制作失配位错网络，释放器件区域应力，并吸除器件区域的金属杂质。本发明根据硅单晶衬底片加工的工艺特点，运用背封保护硅片、划片区进行重掺杂制作失配位错网络等工艺，获得制备器件区域表面完美性好的硅片。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.026 seconds)
