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公开(公告)号：CN1379448A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02116760.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法,属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗,工艺复杂,效率低,成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内,上、下提放至少三次,在槽内放置7天以内,取出再进行正常清洗。本方法工艺简单,效率高,成本低,不存在刷片损伤、划伤等现象,存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。
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公开(公告)号：CN1594080A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410019069.5
申请日：2004-07-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/148
Abstract: 本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zata电位绝对值监控粒子生长，确定Zata电位绝对值为28－30mv为生长临界电位，确定Zata电位绝对值为50－70mv为成品长期稳定可靠电位。通过活性硅酸溶液浓、反应液pH值、反应液浓度和加热温度调整控制并保持相应工艺阶段的Zata电位绝对值，使制备粒径为100－130nm的大粒径硅溶胶成为可能，且分散度很小。使用本方法制备的大粒径硅溶胶制得的浆料能够满足超大规模集成电路多层布线应用CMP技术研磨抛光的需要。具有设备成本低、制备周期时间短，能耗低的突出优点。
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公开(公告)号：CN1121450C
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN00131572.2
申请日：2000-10-28
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 一种不饱和聚酯/蒙脱土纳米复合材料及其制备方法，其蒙脱土分散相尺度为10～100nm，其组分和含量是(重量份)：不饱和聚酯树脂预聚体100、插层土0.5～20、引发剂0.5～5.0、促进剂0.5～5.0，其中插层土为经插层膨胀化处理的有机蒙脱土；其制备方法是将插层土与不饱和聚酯树脂在引发剂和促进剂的作用下进行共聚合反应，使其蒙脱土解离成纳米粒子并均匀分散于不饱和聚酯基体中而制得。该方法操作简单，易于工业化生产。制得的复合材料力学性能和耐热性能明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1140599C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02116759.1
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分重量%是：SiO2、CeO2、Al2O3、ZrO、MgO的水溶胶18～50，无金属离子的羟胺类化合物和胺盐类化合物0.1～10，多羟多胺类化合物和胺盐类化合物0.005～25，非离子表面活性剂0.1～10，非金属氧化剂1～20，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低。用于超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光。
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公开(公告)号：CN1137230C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02116761.3
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光液的组成成分重量%是SiO2、CeO2、Al2O3、ZrO、MgO的水溶胶18～50；无金属离子的羟胺类化合物和胺盐类化合物0.1～10；多羟多胺类化合物和胺盐类化合物0.005～25；非离子表面活性剂0.1～10；余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低。主要用于超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽化学机械全局平面化抛光。
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公开(公告)号：CN1121060C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02116760.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗，工艺复杂，效率低，成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内，上、下提放至少三次，在槽内放置7天以内，取出再进行正常清洗。本方法工艺简单，效率高，成本低，不存在刷片损伤、划伤等现象，存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。
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公开(公告)号：CN1304288C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410019069.5
申请日：2004-07-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/148
Abstract: 本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zeta电位绝对值监控粒子生长，确定Zeta电位绝对值为28-30mv为生长临界电位，确定Zeta电位绝对值为50-70mv为成品长期稳定可靠电位。通过活性硅酸溶液浓度、反应液pH值、反应液浓度和加热温度调整控制并保持相应工艺阶段的Zeta电位绝对值，使制备粒径为100-130nm的大粒径硅溶胶成为可能，且分散度很小。使用本方法制备的大粒径硅溶胶制得的浆料能够满足超大规模集成电路多层布线应用CMP技术研磨抛光的需要。具有设备成本低、制备周期时间短，能耗低的突出优点。
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公开(公告)号：CN1291625A
公开(公告)日：2001-04-18
申请号：CN00131572.2
申请日：2000-10-28
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 一种不饱和聚酯/蒙脱土纳米复合材料及其制备方法,其蒙脱土分散相尺度为10～100nm,其组分和含量是(重量份):不饱和聚酯树脂预聚体100、插层土0.5～20、引发剂0.5～5.0、促进剂0.5～5.0,其中插层土为经插层膨胀化处理的有机蒙脱土;其制备方法是将插层土与不饱和聚酯树脂在引发剂和促进剂的作用下进行共聚合反应,使其蒙脱土解离成纳米粒子并均匀分散于不饱和聚酯基体中而制得。该方法操作简单,易于工业化生产。制得的复合材料力学性能和耐热性能明显提高。
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