公开(公告)号：CN1304288C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410019069.5

申请日：2004-07-03

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  张楷亮 ,  刘钠 ,  张建新 ,  檀柏梅

IPC: C01B33/148

Abstract: 本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zeta电位绝对值监控粒子生长，确定Zeta电位绝对值为28-30mv为生长临界电位，确定Zeta电位绝对值为50-70mv为成品长期稳定可靠电位。通过活性硅酸溶液浓度、反应液pH值、反应液浓度和加热温度调整控制并保持相应工艺阶段的Zeta电位绝对值，使制备粒径为100-130nm的大粒径硅溶胶成为可能，且分散度很小。使用本方法制备的大粒径硅溶胶制得的浆料能够满足超大规模集成电路多层布线应用CMP技术研磨抛光的需要。具有设备成本低、制备周期时间短，能耗低的突出优点。

公开(公告)号：CN1379448A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02116760.5

申请日：2002-05-10

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘钠 ,  张楷亮 ,  李薇薇

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法,属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗,工艺复杂,效率低,成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内,上、下提放至少三次,在槽内放置7天以内,取出再进行正常清洗。本方法工艺简单,效率高,成本低,不存在刷片损伤、划伤等现象,存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。

公开(公告)号：CN1594080A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410019069.5

申请日：2004-07-03

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  张楷亮 ,  刘钠 ,  张建新 ,  檀柏梅

IPC: C01B33/148

Abstract: 本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zata电位绝对值监控粒子生长，确定Zata电位绝对值为28－30mv为生长临界电位，确定Zata电位绝对值为50－70mv为成品长期稳定可靠电位。通过活性硅酸溶液浓、反应液pH值、反应液浓度和加热温度调整控制并保持相应工艺阶段的Zata电位绝对值，使制备粒径为100－130nm的大粒径硅溶胶成为可能，且分散度很小。使用本方法制备的大粒径硅溶胶制得的浆料能够满足超大规模集成电路多层布线应用CMP技术研磨抛光的需要。具有设备成本低、制备周期时间短，能耗低的突出优点。

公开(公告)号：CN101972755B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010232260.3

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘效岩 ,  刘钠 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

CPC classification number: C11D1/72 ,  B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

公开(公告)号：CN101972755A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010232260.3

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘效岩 ,  刘钠 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

CPC classification number: C11D1/72 ,  B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

公开(公告)号：CN1121060C

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02116760.5

申请日：2002-05-10

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘钠 ,  张楷亮 ,  李薇薇

IPC: H01L21/30 ,  C11D1/00

Abstract: 一种集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法，属于硅抛光片表面粒子吸附状态的控制方法。主要解决硅衬底抛光片表面吸附粒子难以清洗，工艺复杂，效率低，成本高的问题。主要技术特点是将盛有新抛光硅片花篮放入0.01～5%(体积%)的FA/O活性剂水溶液的槽内，上、下提放至少三次，在槽内放置7天以内，取出再进行正常清洗。本方法工艺简单，效率高，成本低，不存在刷片损伤、划伤等现象，存放时间可由4小时提高到168小时以上。主要用于对硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制。