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公开(公告)号：CN116026417A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310216244.2
申请日：2023-03-08
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及触觉传感技术领域，具体提供一种基于磁致伸缩逆效应的多模态触觉传感器，包括磁致伸缩触觉传感器、弯曲度传感器和温度传感器，所述磁致伸缩触觉传感器对物体的软硬度、形状进行识别，弯曲度传感器对物体的尺寸大小进行识别，所述温度传感器对物体的温度分布进行识别。本发明可以感知抓取物体的硬度、尺寸、温度等信息，通过多模态信息实现对物体的精准识别和分类。将多模态触觉传感器阵列安放在机械手指上，通过对传感器的信号分析对不同硬度、尺寸、形状、温度的物体进行准确是识别和分类。
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公开(公告)号：CN111005072B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911373618.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种可优化表面平整度的氮化铝单晶薄膜制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制得，整个制备过程分为五个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至400～500℃，保温10～20分钟，接着控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度保持，保温10～20分钟，紧接着控制生长区温度升至1100～1200℃，源区温度不变，保温生长5～10分钟，紧接着源区温度1300～1400℃，生长区升温至1350～1550℃，保温1～3小时，各过程中调控氩气、氮气的通入比例，最后关闭氩气，冷却至室温后取出样品。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，表面较为平整且可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
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公开(公告)号：CN107641837B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710827866.3
申请日：2017-09-14
Applicant: 河北工业大学
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法，包括如下步骤：A、对中子辐照掺杂后的区熔硅单晶进行腐蚀清洗表面；B、将清洗干净的硅单晶进行表面钝化处理；C、将钝化处理后的硅单晶装进通入氮气氛围的退火炉石英管中，进行较快速率的退火处理；D、关闭氮气流量阀，开启氧气流量阀，对单晶进行退火处理；E、关闭氧气流量阀，从石英管中取出硅单晶，酸洗去除氧化层，再喷砂测试单晶电阻率及少子寿命。通过本发明方法退火后的NTD区熔硅单晶，可以有效的反应出电阻率的真实值，并且经过多次退火，单晶电阻率不会发生较明显的改变，并且单晶的少子寿命得到明显的提高。
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公开(公告)号：CN110219050A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910621097.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种氮化铝单晶薄膜的制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制备单晶薄膜氮化铝，整个制备过程分为三个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至700-900℃，保温，再控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度升至1000-1200℃，保温，再控制生长区温度升至1250～1550℃，保温生长，冷却至室温后取出样品，所述的异质衬底为生长有氮化镓的蓝宝石。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
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公开(公告)号：CN106582332B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201611174762.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种超疏水复合微孔膜的制备方法。该方法包括以下步骤：首先通过粗糙基底辅助相转化法制备聚偏氟乙烯（PVDF）高度疏水微孔膜作为基膜，然后配置多壁碳纳米管（MWCNTs）均匀分散液，采用恒压过滤法，用制备好的PVDF基膜在恒压下过滤MWCNTs分散液，制得PVDF/MWCNTs复合膜，再经聚二甲基硅氧烷（PDMS）的正己烷溶液涂覆，制得PVDF/MWCNTs/PDMS超疏水复合微孔膜。本发明得到的复合微孔膜静态水接触角可达162°，滚动角为10°‑20°，100kPa下的氮气通量>0.3m3/(m2·s)，抗拉伸强度>2.6MPa，断裂伸长率>96%，可以应用于膜蒸馏、膜吸收等膜接触过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109378219A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811200267.X
申请日：2018-10-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有金属衬底(Cu、In、Sn、Ag、Au、Pb、Cd等)、n+-GaN、InGaN层、其制备步骤如下：在n型重掺的GaN层上利用分子束外延技术生长InGaN层，再将获得的GaN基外延片用物理或者化学方法(如键合、倒装焊、导电胶等)与金属衬底上粘合在一起，使得GaN基电池中的电子可以顺利导入到金属基板上，获得用于人工光合作用的氮化镓器件。本发明的氮化镓器件具有吸收系数高、电子空穴分离效率高、电流均匀性好的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要意义。
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公开(公告)号：CN106711248B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201611097870.0
申请日：2016-12-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。
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公开(公告)号：CN103904151A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410161505.6
申请日：2014-04-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0747 , H01L31/202
Abstract: 本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P？p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N？a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P？a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。
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公开(公告)号：CN118500447A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410578230.X
申请日：2024-05-11
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于物体形状感知的磁性触须触觉传感阵列。该传感阵列包括钕铁硼‑PDMS磁性触须、硅胶保护基底层、Z轴TMR2503传感器和PCB电路板；其中，12个钕铁硼‑PDMS磁性触须呈4×3的矩阵方式竖直分布在PCB电路板上，每一行的磁性触须中，相邻2个的磁性触须中间分布有一个Z轴TMR2503传感器；硅胶保护基底包覆TMR2503传感阵列并覆盖在PCB电路板上，12个磁性触须穿过硅胶保护基底并垂直固定在PCB电路板上。本发明的磁性触须触觉传感阵列具有灵敏度高，弹性能力好、捕捉信息准确率高的特点，可以对接触物体的形状准确识别。
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公开(公告)号：CN117949118A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410057257.4
申请日：2024-01-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于位置和滑移检测的柔性触觉传感阵列。该传感阵列包括感受层、硅胶缓冲层、接收层和柔性印刷电路板；其中，n个交错排布的X轴TMR2003阵列分布在柔性印刷电路板上，构成接收层；硅胶弹性体包覆在X轴TMR2003阵列上，作为该传感阵列的缓冲基底层；钕铁硼‑硅胶弹性体磁性薄膜构成的感受层覆盖在缓冲基底层上；n＝7～17；本发明的柔性触觉传感阵列灵敏度高，柔性高，易于大面积拓展，位置信息定位准确性高的优点，可以实现对触头的点位置和滑移产生轨迹的信息检测。
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