公开(公告)号：CN103904151A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410161505.6

申请日：2014-04-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  王弘 ,  张辉 ,  曹哲 ,  张浩恩 ,  张娇 ,  贾少鹏 ,  罗鸿志

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P？p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N？a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P？a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。

公开(公告)号：CN103904151B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410161505.6

申请日：2014-04-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  王弘 ,  张辉 ,  曹哲 ,  张浩恩 ,  张娇 ,  贾少鹏 ,  罗鸿志

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。

公开(公告)号：CN104213090A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410431213.X

申请日：2014-08-29

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  刘飞飞 ,  张娇 ,  赵晓丽 ,  张辉

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射法制备钼掺杂氧化锌薄膜的方法，其步骤如下：1）将玻璃衬底置于磁控溅射仪的衬底托盘上，固定；2）将ZnO靶和Mo靶分别置于射频靶位和直流靶位上，调整靶位置，使直流靶的轴线与衬底表面呈平行状态，射频靶的轴线与水平面之间夹角为70～80°；3）溅射制备ZnO:Mo透明导电薄膜。本发明制备的钼掺杂氧化锌薄膜普遍具有良好的质量及光电性能，薄膜的电阻率可达到3.829×10-4Ω·cm，在可见光区的透过率达到87%以上。本发明的方法制备工艺简单可行，且资源利用率高。