公开(公告)号：CN103904151A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410161505.6

申请日：2014-04-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  王弘 ,  张辉 ,  曹哲 ,  张浩恩 ,  张娇 ,  贾少鹏 ,  罗鸿志

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P？p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N？a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i？a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P？a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。

公开(公告)号：CN103904151B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410161505.6

申请日：2014-04-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  王弘 ,  张辉 ,  曹哲 ,  张浩恩 ,  张娇 ,  贾少鹏 ,  罗鸿志

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。

公开(公告)号：CN104073771B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201410308148.1

申请日：2014-07-01

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  张辉 ,  曹哲 ,  王弘 ,  赵晓丽 ,  王雄涛 ,  王鹤 ,  门小云

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明公开的一种钼掺钠溅射靶材的制备方法，步骤如下：将高纯钼粉及钼酸钠粉末混合球磨后，加入PVA充分研磨获得混合粉末；用冷等静压方式将混合粉末均匀压制成靶坯；将靶坯封入真空石英管内，置于马弗炉中采用多段升温的方式烧结；机械加工获得钼掺钠溅射靶材。本发明采用先将靶坯封入真空石英管中再进行烧结的方法，既避免了如真空热压机等大型设备的使用，又可以将多个封有靶坯的真空石英管同一批次烧结处理，极大的节约了能源，降低了成本。此外，本发明采用多段升温的方式，使得靶坯中由PVA引入的C、H及O元素得到充分释放。本发明的方法工艺简单、能耗少且成本较低，Na的掺入含量可在较大范围内进行调控，有利于产业化的应用。

公开(公告)号：CN104073771A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410308148.1

申请日：2014-07-01

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 陈贵锋 ,  张辉 ,  曹哲 ,  王弘 ,  赵晓丽 ,  王雄涛 ,  王鹤 ,  门小云

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明公开的一种钼掺钠溅射靶材的制备方法，步骤如下：将高纯钼粉及钼酸钠粉末混合球磨后，加入PVA充分研磨获得混合粉末；用冷等静压方式将混合粉末均匀压制成靶坯；将靶坯封入真空石英管内，置于马弗炉中采用多段升温的方式烧结；机械加工获得钼掺钠溅射靶材。本发明采用先将靶坯封入真空石英管中再进行烧结的方法，既避免了如真空热压机等大型设备的使用，又可以将多个封有靶坯的真空石英管同一批次烧结处理，极大的节约了能源，降低了成本。此外，本发明采用多段升温的方式，使得靶坯中由PVA引入的C、H及O元素得到充分释放。本发明的方法工艺简单、能耗少且成本较低，Na的掺入含量可在较大范围内进行调控，有利于产业化的应用。