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公开(公告)号：CN112862309A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110165288.8
申请日：2021-02-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及人与机器人的协作技术领域，本发明针对人与机器人协作的混合生产单元的任务规划，提供一种在生产过程中为工人提供短暂休息的人机协作生产任务的规划方法，并通过化学反应优化方法求解面向生产周期最短以及工人疲劳最小的多目标优化，在工人的疲劳程度与生产周期之前求得最优平衡方案。本发明提供的任务规划方法集成工人短暂休息时间，使得在生产过程中，工人都能得到短暂休息，降低工人疲劳，最大程度保证生产线的效率。传统模型不包含短暂休息时间，仅在工人的疲劳在下个生产周期将会超出疲劳约束时，为工人提供休息时间。经过对比，本发明提供的方法考虑了工人的疲劳因素，求解的工作周期更短，因此生产效率更高。
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公开(公告)号：CN112230330A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011214195.1
申请日：2020-11-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种低串扰的超紧凑双相交聚合物微纳光纤结构，其包括双相交聚合物微纳光纤、相交角度、分离距离、直径、纤芯、包层，其特征在于所述两根光纤在三维空间中相交，所述光纤间相交角度为52°～90°，所述光纤间分离距离为0nm～800nm，所述光纤的直径为300nm～900nm，所述纤芯为聚对苯二甲酸丙二醇酯（PTT）,所述包层为空气。在三维空间中，由于双相交的聚合物微纳光纤由于倏逝波耦合产生串扰，通过改变双相交聚合物微纳光纤的相交角度和分离距离来降低倏逝波耦合的效率，从而极大地降低串扰，同时聚合物微纳光纤具有较高的机械强度及优良的柔韧性和弹性。本发明有利于构筑超紧凑结构复杂的光子学器件和小型化集成光路。在光通信，传感和非线性光学领域具有极好的潜力。
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公开(公告)号：CN109859181A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910084335.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种PCB焊点缺陷检测方法，首先，对焊点图像进行预处理，提取焊点的形状特征参数、纹理特征参数，采用SVM分类中最优的RBF核函数进行SVM分类器构建，对误检焊点，再利用基于HOG特征的第二SVM多分类器，得到最终分类准确率，本发明的分类准确率达到98.46％以上，具有一定的优越性。
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公开(公告)号：CN109151134A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710472215.7
申请日：2017-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H04M1/18 , H02J7/025 , H04M1/0274
Abstract: 本发明公开了一种带镜面的无线充电手机壳，属于手机壳技术领域。本发明的带镜面的无线充电手机壳，包括无线充电接收器主体、连接线、充电接口、手机壳体、一种镜面钢化材料。所述无线充电接收器主体固定于手机壳体右侧壳体内层与外层之间，连接线连接无线充电接收器主体与充电接口，手机壳体分为内壳与外壳，左侧壳体采用的钢化材料是经过工业电镀技术，能达到镜面效果的一种钢化材料，具有隐蔽性，也很便利。这种带镜面结构的无线充电手机壳，采用软硬结合pcb板，右侧壳体内部部件在同一平面上，可以使壳体更薄，不但可以起到保护手机的作用，也可以在手机续航能力不足时提供无线充电输出电流来给手机进行充电。另外，采用一种携带充电接口的滑动按钮，进行无线充电和有限充电都很方便，简单得体，使用方便。
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公开(公告)号：CN119126300A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411328112.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的光栅辅助反向耦合器结构，属于光波导和光开关技术领域。本发明基于布拉格光栅实现，包括非对称定向耦合器与光栅耦合器构成的光回路；中间段两个波导的内侧壁刻蚀光栅，形成光栅微扰结构；利用光栅微扰结构对光信号进行调控，实现TE模式反向耦合从下载端口输出，TM模式从直通端口输出，达到偏振分束的效果。根据偏振消光比的定义，中心波长处的TE消光比达到了32.4dB，TM的消光比则达到了22.6dB。与传统反向耦合器相比，本发明基于波导光栅，没有FSR的限制，调谐范围大，更利于片上集成。本发明有利于构建可重构的光交换网络，为制作大规模光开关阵列、光互连网络提供了灵活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119105202A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411329628.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光栅耦合器的多向可控电光开关结构，属于光波导和光开关技术领域。本发明基于光栅反向耦合器实现，包括非对称定向耦合器与光栅耦合器构成的光回路级联；所述光回路包括一个光栅反向耦合器、上波导和下波导，上波导与下波导平行放置将光栅反向耦合器夹于内侧，分别构成两组光栅耦合器，形成光回路；在定向耦合器及上、下波导两侧分别设有独立控制的金属电极，基于电光效应，利用电极对光信号进行调控，实现光信号能够从指定端口以不同比例输出以及反向传输的功能，达到光信号能够多向可控传输的目的。本发明有利于构建可重构的光交换网络，利用铌酸锂材料优良的电光系数在电光协同控制作用下可实现开关状态的高速稳定切换，为制作大规模光开关阵列、光互连网络提供了灵活性。
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公开(公告)号：CN118364460A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410282968.1
申请日：2024-03-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F21/56 , G06F18/241 , G06F18/214
Abstract: 本发明提出了一种基于MobileViT架构的结合Triplet attention的硬件木马的检测方法。本发明基于Pytorch框架实现对硬件木马的检测识别算法，提出一个新颖的深度学习模型用于检测识别硬件木马。采用基于Transformer的轻量级网络MobileViT结构。本发明从改进MobileViT模型的角度出发，提出TA‑MobileViT模型，通过添加三重注意力机制，获取更丰富和更重要的网络特征，提升网络的分类性能。使用Transformer相比于CNN拥有全局提取特征的能力，从而提高模型的表现力和性能，能够更好的提取硬件木马时间序列的特征，Triplet attention能够是模型获得跨维度交互能力，进而大大提升模型分类的精度。本发明能够提高检测识别集成电路中硬件木马的准确率，有利于提高硬件电路安全，对于国家集成电路和半导体发展具有现实意义。
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公开(公告)号：CN117422967A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311453152.2
申请日：2023-11-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/80 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明提出一种基于信息熵自适应决策融合的晶圆图缺陷模式识别方法，结合不同深度卷积神经网络(DCNN)提取特征优势的信息熵自适应决策融合深度学习模型用于晶圆图缺陷模式识别。不同DCNN对不同缺陷模式识别效果各有优势，通过计算信息熵给不同DCCN的全连接层提取到的特征自适应赋予合理的权重，进而对输出结果进行决策融合得到最终融合特征。该融合特征更具有表达性，能够进一步提高最终的晶圆图识别分类准确率。最后，将融合特征输入到纠错输出编码和支持向量机（ECOC‑SVM）结合模型，以实现晶圆图缺陷模式识别分类。本发明能够准确识别并分析晶圆图缺陷模式，有利于提高晶圆生产的良率，对国家半导体制造技术发展具有极大的现实意义。
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公开(公告)号：CN116580253A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310797157.0
申请日：2023-06-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F18/2433 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开一种基于GAF‑深度学习及弱电流源结构的TSV测试方法，包括首先引入格拉姆角场算法对TSV故障信号的时间域进行预处理，将一维的时间信号转换为二维的图片信息；然后利用机器视觉优势，通过一种深度学习MobileNetV2算法识别二维图片信号中的特征并进一步完成分类，其中TSV故障信号通过搭建弱电流源测试结构提取。该方法有效解决探针测试会对TSV造成二次损伤和内建自测试方法识别精度不足问题，以及针对现有方法对于TSV存在复合故障研究较少情况，对复合故障进行研究。并且该方法对不同故障位置处的微小故障进行测试，测试集准确率达到96％以上。
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公开(公告)号：CN115332162A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210919105.1
申请日：2022-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明提出了一种基于掩模光刻方法制造带有屏蔽层的导电聚合物通孔的方法，方法包括（1）通过掩模光刻方法使用可以固化的光刻胶制造通孔基柱并使其金属化，（2）通过溅射等方法在基柱外形成屏蔽层，（3）在通孔的基础上直接灌封封装聚合物形成聚合物通孔。这一方法制造的聚合物通孔适用于封装天线芯片与天线的键合，具有键合路径短、寄生电容小、抗干扰能力强的优点。
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