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公开(公告)号：CN114220845A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539843.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/745
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件，包括晶圆，以及设置于所述晶圆表面的多个第一阴极梳条和门极；其中，所述晶圆表面划分为具有相同圆心的多个同心圆环区和多个同心扇形区，所述多个同心圆环区和所述多个同心扇形区交叠以限定出多个图形区，所述多个第一阴极梳条间隔设置于所述多个图形区内；设置于同一所述图形区内的各个所述第一阴极梳条与该图形区的径向对称轴平行，且沿其所在的所述圆环区的内环排布；各个所述图形区内所述第一阴极梳条的排布间距沿与所述门极的径向距离的增加的方向先减小后增大。图形区内的阴极梳条的间距随其与门极的径向距离变化进行变化设计，提升了阴极梳条动态开关均匀性，有利于提升大面积芯片的关断能力。
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公开(公告)号：CN114040568A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111268274.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种IGCT以及大功率半导体器件。该IGCT包括GCT、接口板、驱动板和屏蔽罩，屏蔽罩位于接口板下方，接口板包括相邻设置的接口板一部和接口板二部，屏蔽罩包括相邻设置的屏蔽罩一部和屏蔽罩二部，接口板一部、屏蔽罩一部以及GCT压接配合，GCT凸出于接口板一部的台阶面为阳极台面，GCT凸出于屏蔽罩一部的台阶面为阴极台面；驱动板与接口板二部和屏蔽罩二部可拆卸地连接。利用该IGCT，通过将IGCT传统的驱动单元电路板拆分为接口板和驱动板，接口板一侧与GCT、屏蔽罩压接，接口板另一侧与驱动板、屏蔽罩可拆卸地连接，从而为定期更换驱动板提供了结构基础。
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公开(公告)号：CN111933704A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010575741.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/744 , H01L21/332 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种门极换流晶闸管的元胞结构、制备方法及门极换流晶闸管，所述元胞结构包括在元胞结构两侧，于所述衬底表面向下设置有侧部沟槽，以在所述衬底表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽和所述凸台下方的第二导电类型短基区；其中，所述短基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述短基区上方的第二导电类型第一基区；位于所述短基区下方的第二导电类型第二基区；其中，所述第二基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述第一基区表面内的第一导电类型发射区；其中，所述短基区的掺杂浓度高于所述第一基区和所述第二基区。可提高驱动控制电压值，从而提高换流速度、增大GCT芯片的关断能力。
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公开(公告)号：CN111933686A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010609729.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/744 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了标准型GCT芯片在过电压阻断状态时容易在芯片台面终端处失效，导致器件失效呈开路状态的问题。包括功能区和电压击穿区，电压击穿区靠近功率半导体器件的中心位置，被功能区环绕，包括依次层叠设置的第二导电类型短路结构和凸形第二导电类型基区，第二导电类型短路结构贯穿功能区的第一导电类型透明发射阳极和第二导电类型缓冲层；凸形第二导电类型基区贯穿第一导电类型第一基区、第一导电类型第二基区和第二导电类型区，在第二导电类型基区向第一导电类型基区的延伸方向上形成凸起部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111933588A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010592494.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种IGCT封装结构，包括环形门极、连接部件、弹性支撑部件和门极外接环。其中，连接部件的顶部与底部分别与环形门极和门极外接环连接，弹性支撑部件位于连接部件内。本发明提供的IGCT封装结构，能够在保证压力传递均匀的同时简化封装工艺流程，提高封装效率，并且有效缩短换流回路的迂回长度，从而有效降低换流回路的杂散电感的IGCT封装结构。
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公开(公告)号：CN213152023U
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202021206704.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/08
Abstract: 本公开提供一种基于逆阻型IGCT的固态开关，包括并联的开关模块和吸收保护模块；其中，所述开关模块包括反向并联的第一逆阻型IGCT和第二逆阻型IGCT，所述第一逆阻型IGCT的阳极为所述开关模块的第一端，所述第一逆阻型IGCT的阴极为所述开关模块的第二端，所述第二逆阻型IGCT的阳极连接所述第一逆阻型IGCT的阴极，所述第二逆阻型IGCT的阴极连接所述第一逆阻型IGCT的阳极；所述吸收保护模块，用于保护所述开关模块。无需在IGCT器件两端反并联二极管或者采用二极管桥式电路结构就可实现双向导通和关断，简化了固态开关的结构，减小了固态开关内部的杂散电感。而且降低了固态开关的损耗，提高了固态开关的电流关断速度。
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公开(公告)号：CN213152022U
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202021177333.9
申请日：2020-06-22
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/08
Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件驱动保护电路，涉及电子电路技术领域，该驱动保护电路包括：驱动模块、启停模块以及保护模块，驱动模块连接在功率半导体器件的门极与阴极之间，启停模块的一端与功率半导体器件的门极连接，启停模块的另一端与保护模块的一端连接，且启停模块的控制端连接触发控制信号，保护模块的另一端与所述功率半导体器件的阴极连接。本实用新型的有益效果是：能够在该启停模块失效后造成的功率半导体器件门阴极短路的情况下，防止功率半导体器件损坏。不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。
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公开(公告)号：CN221727056U
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202323413473.8
申请日：2023-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种用于IGCT组件的压装装置，涉及功率器件加工技术领域。本实用新型提供的压装组件包括：底座，底座安装有下压板，下压板用于支撑叠设的压装单元；架体，架体的底部与底座相连，架体的顶部设有加压件，加压件连接有上压板，加压件可驱动上压板上下移动，上压板与下压板相对设置，且位于压装单元的上方，上压板用于压装压装单元形成功率器件；安装于架体的分离机构，分离机构用于将部分功率器件升高，并使升高的功率器件与下方的功率器件分离。可将压装好的功率器件一部分抬高与下方的功率器件分离，降低了工作人员单次取件的总量，减轻了工作人员的取件难度。
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公开(公告)号：CN216490256U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202122587046.6
申请日：2021-10-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02M7/04
Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路，包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块；所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容；所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容；所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容；当主晶闸管的阳极为正电压时，端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路；当主晶闸管V1的阳极为负电压时，端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路，这样，整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电，延长了取电时间，提高了取电功率。
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