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公开(公告)号：CN1484304A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03153617.4
申请日：2003-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
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公开(公告)号：CN1333319A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01122494.0
申请日：2001-07-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09K3/14 , C08J5/14 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C11D3/14 , C11D11/0047
Abstract: CMP用淤浆,它具有:液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。
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公开(公告)号：CN100346451C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410046180.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/76808 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/10867
Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料或第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1974636A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610160614.1
申请日：2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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公开(公告)号：CN1305985C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410004329.1
申请日：2004-02-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本文公开了一种CMP用料浆，其包含溶剂、磨料颗粒及其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1919955A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610111384.X
申请日：2006-08-24
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/3212 , H01L21/76835 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的化学机械研磨用水性分散质的特征为，具有水、重量平均分子量超过20万的聚乙烯吡咯烷酮、氧化剂、含有生成水不溶性金属化合物的第一金属化合物生成剂以及生成水溶性金属化合物的第二金属化合物生成剂的保护膜生成剂、磨粒。通过使用该化学机械研磨用水性分散质，不会引起金属膜和绝缘膜的缺陷，能低摩擦，稳定均匀地研磨金属膜。
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公开(公告)号：CN1295758C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410038315.1
申请日：2004-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , C09K3/14 , C09G1/00 , B24B1/00
CPC classification number: C09K3/1409 , B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法。本发明公开了一种CMP浆料，其包含复合型颗粒和树脂颗粒，其中复合型颗粒含有复合化的树脂成分和无机成分，所述CMP浆料具有小于10mPaS的粘度。
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公开(公告)号：CN1574205A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046180.3
申请日：2004-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/76808 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/10867
Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料和第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
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公开(公告)号：CN1974636B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200610160614.1
申请日：2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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公开(公告)号：CN101410955B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由下述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≦50)。
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