公开(公告)号：CN1551304A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038315.1

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  C09K3/14 ,  C09G1/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: C09K3/1409 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法。本发明公开了一种CMP浆料，其包含复合型颗粒和树脂颗粒，其中复合型颗粒含有复合化的树脂成分和无机成分，所述CMP浆料具有小于10MPaS的粘度。

公开(公告)号：CN1521226A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410004329.1

申请日：2004-02-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  矢野博之

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本文公开了一种CMP用料浆，其包含溶剂、磨料颗粒及其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂。

公开(公告)号：CN1333319A

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01122494.0

申请日：2001-07-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  矢野博之 ,  福岛大

IPC: C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C11D3/14 ,  C11D11/0047

Abstract: CMP用淤浆,它具有:液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。

公开(公告)号：CN100346451C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410046180.3

申请日：2004-06-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之 ,  重田厚

IPC: H01L21/00 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  C09G1/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10867

Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料或第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。

公开(公告)号：CN1974636A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160614.1

申请日：2006-11-29

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 仕田裕贵 ,  松井之辉 ,  重田厚 ,  平沢信一 ,  加藤宽和 ,  木下正子 ,  西冈岳 ,  矢野博之

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/7681 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76835

Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。

公开(公告)号：CN1305985C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410004329.1

申请日：2004-02-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  矢野博之

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本文公开了一种CMP用料浆，其包含溶剂、磨料颗粒及其HLB值为7至20的基于硅氧烷的表面活性剂。

公开(公告)号：CN1295758C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410038315.1

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  C09K3/14 ,  C09G1/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: C09K3/1409 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法。本发明公开了一种CMP浆料，其包含复合型颗粒和树脂颗粒，其中复合型颗粒含有复合化的树脂成分和无机成分，所述CMP浆料具有小于10mPaS的粘度。

公开(公告)号：CN1574205A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046180.3

申请日：2004-06-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之 ,  重田厚

IPC: H01L21/00 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  C09G1/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10867

Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料和第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。

公开(公告)号：CN1321441C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410069162.7

申请日：2004-07-05

Applicant: 捷时雅株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  西元和男 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  矢野博之 ,  松井之辉 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  仓嶋延行

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明中所涉及的化学机械研磨用水性分散体含有：研磨粉粒成分(A)、喹啉羧酸及吡啶羧酸中至少一种所组成的成分(B)、喹啉羧酸及吡啶羧酸以外的有机酸组成的成分(C)、氧化剂成分(D)，且其中成分(B)的含量(WB)与成分(C)的含量(WC)的质量比(WB/WC)在0.01到2之间，氨及铵离子组成的氨成分浓度在0.005摩尔/升以下。这种化学机械研磨用水性分散体，可高效研磨各种被加工层各处，获得非常平坦且高精度的最终面。

公开(公告)号：CN1276959C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200410073976.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 南幅学 ,  松井之辉 ,  矢野博之

IPC: C09G1/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044

Abstract: 本文公开了一种抛光方法，包括：使半导体基片的抛光面与含有树脂作主要组分并连接到转盘上的抛光垫接触，并向抛光垫滴加CMP浆料以打磨抛光面，该CMP浆料含有树脂微粒、无机微粒、可聚合组分和聚合引发剂。