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公开(公告)号:CN1974636A
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200610160614.1
申请日:2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法,以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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公开(公告)号:CN1974636B
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN200610160614.1
申请日:2006-11-29
IPC: C08J5/14 , H01L21/304 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/7681 , C09G1/02 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/76835
Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法,以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
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