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公开(公告)号:CN1919955A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200610111384.X
申请日:2006-08-24
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , H01L21/3212 , H01L21/76835 , H01L21/7684
Abstract: 本发明的化学机械研磨用水性分散质的特征为,具有水、重量平均分子量超过20万的聚乙烯吡咯烷酮、氧化剂、含有生成水不溶性金属化合物的第一金属化合物生成剂以及生成水溶性金属化合物的第二金属化合物生成剂的保护膜生成剂、磨粒。通过使用该化学机械研磨用水性分散质,不会引起金属膜和绝缘膜的缺陷,能低摩擦,稳定均匀地研磨金属膜。
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公开(公告)号:CN1854225A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610076096.5
申请日:2006-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , C08J5/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料,包括:水;基于所述浆料的总量0.01至0.3wt%的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮;氧化剂;保护膜形成剂,包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂;以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。
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公开(公告)号:CN100562552C
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200610076096.5
申请日:2006-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , C08J5/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料,包括:水;基于所述浆料的总量0.01至0.3wt%的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮;氧化剂;保护膜形成剂,包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂;以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。
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公开(公告)号:CN1626600A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN200410096136.3
申请日:2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 公开了一种CMP浆料,包括Cu氧化剂,形成Cu有机络合物的络合剂,表面活性剂,无机微粒,以及树脂微粒,该树脂微粒含有聚苯乙烯,在其表面上具有与无机微粒的极性相同的功能基,并且平均微粒直径小于100nm,以小于1重量%的浓度加入所述树脂微粒。
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