公开(公告)号：CN102403341B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110274680.2

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。

公开(公告)号：CN103022095A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210369374.1

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井健 ,  山田明 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  白木聪

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种具有横向元件（7，8）的半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底（11，60）、所述衬底（11，60）上的第一和第二电极（19，32，20，33）、以及从所述第一电极（19，32）延伸至所述第二电极（20，33）的电阻性场板（21，34）。所述横向元件（7，8）传送所述第一与第二电极（19，32，20，33）之间的电流。施加至所述第二电极（20，33）的电压小于施加至所述第一电极（19，32）的电压。所述电阻性场板（21，34）具有第一端部和与所述第一端部相对的第二端部。所述第二端部设置得比所述第一端部更靠近所述第二电极（20，33）。所述第二端部中的杂质浓度等于或大于1×1018cm-3。

公开(公告)号：CN102034876B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010503591.6

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 芦田洋一 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  中山喜明 ,  白木聪 ,  千田厚慈

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体装置，包括：SOI衬底(1)；具有布置在SOI衬底(1)的活性层(3)中的第一和第二杂质层(5，6，71，77，81，88)的半导体元件(5，6，71，77，81，88)，其中第二杂质层(6，71，81)围绕第一杂质层(5，77，88)；和布置在活性层(3)中邻近SOI衬底(1)的嵌入绝缘薄膜(4)的部分中的多个第一和第二导电型区域(10，11)。第一和第二导电型区域(10，11)交替地布置。第一和第二导电型区域(10，11)具有对应于半导体元件(5，6，71，77，81，88)的布局。

公开(公告)号：CN102403341A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110274680.2

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/43 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13)。集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。

公开(公告)号：CN111344867B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880073391.6

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  高桥茂树 ,  住友正清

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，在共通的衬底(10)形成有具有IGBT元件(3a)的IGBT区域(3)和具有FWD元件(4a)的FWD区域(4)，在阴极层(22)，形成有多个与第2电极(23)电连接并且与场截止层(20)构成PN结的载流子注入层(24)。并且，多个载流子注入层(24)中，如果将场截止层(20)的杂质浓度设为Nfs[cm‑3]，将载流子注入层(24)的沿半导体衬底(10)的平面方向的最短部分的长度设为L1[μm]，则L1＞6.8×10‑16×Nfs+20。

公开(公告)号：CN110249431B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201880009680.X

申请日：2018-01-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  高桥茂树 ,  住友正清 ,  志贺智英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置，具有元件部(1)和将元件部(1)包围的外周部(2)，在外周部(2)形成有深度比基极层(12)深的深层(23)，设深层(23)中的最靠元件部(1)侧的位置为边界位置(K)，设边界位置(K)与能够注入第1载流子的发射极区域(16)中的最靠外周部(2)侧的位置之间的距离为第1距离(L1)，设边界位置(K)与集电极层(21)中的半导体基板(10)的面方向上的端部的位置之间的距离为第2距离(L2)，将第1距离(L1)及第2距离(L2)进行调整，以使得基于因深层(23)而降低了的外周部(2)的耐压而该外周部(2)的载流子密度降低。

公开(公告)号：CN110785836A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042217.5

申请日：2018-05-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 畑谦佑 ,  星真一 ,  松木英夫 ,  阴泳信 ,  高桥茂树

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。

公开(公告)号：CN102332468B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN101594158B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910132216.2

申请日：2009-04-28

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社日本自动车部品综合研究所

Inventor： 铃木洋一朗 ,  前田登 ,  高桥茂树 ,  近藤耕治 ,  长濑和义 ,  子安贵久

IPC: H04B1/10 ,  H04B14/06

CPC classification number: H04M3/18 ,  H04L25/0272 ,  H04L25/0292 ,  H04L25/085

Abstract: 一种信号接收器，包括：接收电路(2)，其经由传输线路(3)接收差分信号，该传输线路(3)包括用于发送差分信号的一对信号线(3P、3M)；以及阻抗控制电路(4、21)，其控制输入阻抗从而降低共模噪声。阻抗控制电路包括检测元件(5)，该检测元件(5)用于检测所述共模噪声的电压、电流和电功率中的至少一个。阻抗控制电路根据所述共模噪声的电压、电流和电功率中的至少一个的变化来控制所述输入阻抗。

公开(公告)号：CN101540627B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200910128016.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社日本自动车部品综合研究所

Inventor： 铃木洋一朗 ,  前田登 ,  中野敬志 ,  长濑和义 ,  近藤耕治 ,  高桥茂树 ,  尾关善彦

IPC: H04B3/18 ,  H01L23/64 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明涉及包括阻抗控制电路的接收装置和半导体装置。一种接收装置(1，15)包括接收电路(2，16)和阻抗控制电路(4，17)。接收电路(2，16)接收通过通信线路(3，12)传输的信号。阻抗控制电路(4，17)与接收电路(2，16)耦合并具有检测部分(5，18a，18b)。该检测部分(5，18a，18b)检测信号的物理值，该物理值包括电压、电流和电功率中的至少一种。该阻抗控制电路(4，17)基于该检测值改变输入阻抗，以便减小该信号的振铃振荡。