公开(公告)号：CN110785836B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880042217.5

申请日：2018-05-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 畑谦佑 ,  星真一 ,  松木英夫 ,  阴泳信 ,  高桥茂树

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。

公开(公告)号：CN105473990A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045954.2

申请日：2014-07-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 井上孝 ,  畑谦佑 ,  加藤哲弥 ,  酒井贤一 ,  宇野真由美 ,  竹谷纯一

IPC: G01L1/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L1/2293 ,  G01L1/18 ,  H01L29/22 ,  H01L29/84 ,  H01L51/057

Abstract: 通过使用了肋(2)及有机半导体薄膜(5)等的纵型晶体管来构成载荷传感器(100)，基于纵型晶体管中的沟道长、即漏极－源极间的间隔的变化进行载荷测量。由此，能够使得电流Ids相对于被施加的载荷呈现线性的变化。

公开(公告)号：CN110785836A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880042217.5

申请日：2018-05-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 畑谦佑 ,  星真一 ,  松木英夫 ,  阴泳信 ,  高桥茂树

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 在具有活性区域(1)和非活性区域(2)的半导体装置中，活性区域(1)采用如下结构：具备：具有包括第一、第二半导体层(12、13)的异质结构造的沟道形成层；具有MOS栅极电极(17)的栅极构造部；在第二半导体层(13)之上配置于夹着栅极构造部的两侧的源极电极(18)及漏极电极(19)；配置于栅极构造部与漏极电极(19)之间的从漏极电极(19)离开了的位置、且未掺加杂质的第三半导体层(14)；形成于第三半导体层(14)之上的p型的第四半导体层(20)；以及与第四半导体层(20)接触的JG电极(21)。并且，JG电极(21)与源极电极(18)电连接而成为与该源极电极(18)相同的电位，并且仅配置于活性区域(1)内。

公开(公告)号：CN105473990B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201480045954.2

申请日：2014-07-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 井上孝 ,  畑谦佑 ,  加藤哲弥 ,  酒井贤一 ,  宇野真由美 ,  竹谷纯一

IPC: G01L1/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/84

Abstract: 通过使用了肋(2)及有机半导体薄膜(5)等的纵型晶体管来构成载荷传感器(100)，基于纵型晶体管中的沟道长、即漏极－源极间的间隔的变化进行载荷测量。由此，能够使得电流Ids相对于被施加的载荷呈现线性的变化。