-
公开(公告)号：CN101414638A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810149909.8
申请日：2008-10-15
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/84 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，该显示装置具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管。该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。
-
公开(公告)号：CN101329486A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810109780.8
申请日：2008-06-17
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示装置，该显示装置在基板上具有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：与栅极信号线连接的栅电极；隔着绝缘膜跨上述栅电极而形成的半导体层；与漏极信号线连接而形成在上述半导体层上的漏电极；以及与上述漏电极相对而形成在上述半导体层的源电极，平面观察时，上述漏电极的与源电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成，上述源电极的与漏电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成。该显示装置虽然结构极为简单，但具备实现截止电流减少的薄膜晶体管。
-
公开(公告)号：CN1523412A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410004414.8
申请日：2004-02-19
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。
-
公开(公告)号：CN102778751A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210074751.9
申请日：2012-03-20
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G02B26/02 , G02B26/0841 , G09G3/3433 , G09G2300/08
Abstract: 本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，其特征在于，在具有高透光性的基板上形成金属层，在该金属层上设置形成有开口图案的抗蚀剂掩膜，在该状态下，蚀刻金属层的露出部分而形成开口部，然后除去抗蚀剂掩膜，将金属层的表面和开口部的内壁面氧化而形成金属氧化物层，由此使开口板正背的反射率不同。氧化物层在灰化抗蚀剂掩膜时在抗蚀剂被除去的同时形成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101521210B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910005799.2
申请日：2009-02-12
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。
-
公开(公告)号：CN101644865A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910165701.X
申请日：2009-08-06
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F2202/104
Abstract: 本发明提供一种可以减小降低了截止电流的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。本发明提供一种在基板中形成有薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极、并由以其半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一和第二薄膜晶体管构成，在半导体层中，具备兼作第一薄膜晶体管的漏区和源区的一方以及第二薄膜晶体管的漏区和源区的另一方的公共区，在第一和第二薄膜晶体管各自的半导体层中，在沟道区与漏区之间、及沟道区与源区之间，分别具备掺杂浓度比漏区和源区低的LDD区，栅电极被形成为跨越半导体层的公共区、并至少与第一薄膜晶体管的沟道区和各LDD区、及第二薄膜晶体管的沟道区和各LDD区对置。
-
公开(公告)号：CN101540332A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910126586.5
申请日：2009-03-16
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/84 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1229 , H01L27/1285
Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。
-
公开(公告)号：CN100462821C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510058915.9
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1343 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。
-
公开(公告)号：CN1673815A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510058915.9
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , G09F9/00 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.026 seconds)
