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公开(公告)号：CN101387805B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810215183.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1229 , H01L27/1214 , H01L27/1274 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。
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公开(公告)号：CN101521210A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005799.2
申请日：2009-02-12
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。
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公开(公告)号：CN1941280A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139342.7
申请日：2006-09-26
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/66 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法，减低因在硅膜的模拟单晶化中产生的凝聚而引起的显示装置的成品率降低。该显示装置的制造方法的特征在于，包括：半导体膜改性步骤，对第1状态的半导体膜照射激光并改性为具有细长晶粒的第2状态的半导体膜；凝聚检测步骤，检测在上述半导体膜改性步骤中产生的上述半导体膜的凝聚；以及不合格判断步骤，当上述凝聚的位置存在于预定的区域内时判断为不合格、当存在于上述预定的区域外时判断为合格品。
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公开(公告)号：CN101521212A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910126111.6
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法，该显示装置形成有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管由n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管构成，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的栅电极的上述栅极绝缘膜侧上形成由与该栅电极的材料不同的材料构成的金属层，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中至少一个半导体层上形成有LDD层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101387805A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810215183.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1229 , H01L27/1214 , H01L27/1274 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。
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公开(公告)号：CN101521210B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910005799.2
申请日：2009-02-12
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种显示装置，其在基板上具有p型薄膜晶体管，p型薄膜晶体管在栅电极的上表面隔着绝缘膜形成有半导体层，在半导体层的上表面形成有具有间隔部而彼此相对配置的漏电极和源电极，在漏电极与半导体层的界面、和源电极与半导体层的界面形成有p型杂质的扩散层。
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公开(公告)号：CN101521212B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910126111.6
申请日：2009-02-27
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法，该显示装置形成有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管由n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管构成，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中的一方薄膜晶体管的栅电极的上述栅极绝缘膜侧上形成由与该栅电极的材料不同的材料构成的金属层，在上述n型薄膜晶体管和p型薄膜晶体管中至少一个半导体层上形成有LDD层。
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公开(公告)号：CN100462821C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510058915.9
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1343 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。
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公开(公告)号：CN1673815A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510058915.9
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , G09F9/00 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。
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